【課題】積層型の電子放出素子を備えた電子線装置において、電子が放出される電子放出点を制御して電子放出効率の向上を図る。
【解決手段】基板１上に、絶縁部材３、ゲート５を形成し、絶縁部材３に凹部７を形成し、絶縁部材３の側面に配置されるカソード６のゲート５に対向する端部において、凹部７の縁よりゲート５に向かって突起する突起部分を設け、該突起部分の幅方向においてゲート５との間隔が１ｎｍ以上５ｎｍ以下となる凸部を、カソード６の幅方向において１０％以下の割合で有する素子とする。 （もっと読む）

【課題】高価な大型（ｍｍ以上クラス）の単結晶ダイヤモンドを利用することなく、ダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】基台部と、その先端に位置する電子放出部とを有し、該電子放出部が、最大径が１０μｍ以上で、（１１１）面と（１００）面とを有するダイヤモンド砥粒であって、該砥粒の電子放出面に高さが５μｍ以上のダイヤモンドの突起が形成されているダイヤモンド砥粒でからなることを特徴とするダイヤモンド電子源。また、前記ダイヤモンド砥粒において、少なくとも砥粒の一部にＣＶＤ法でダイヤモンドが合成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷陰極電界放出型電子源への希土類六ホウ化物の適用を実現し、輝度や電子源の寿命が向上し、エネルギーの広がりも抑制できる電子源を提供する。
【解決手段】高電界により電子放出する冷陰極電界放出型電子源であって、希土類六ホウ化物単結晶ナノファイバが電子源支持針の表面に取り付けることで、上記課題を達成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜するナノ炭素材料への電界集中を好適に行なうことの出来るナノ炭素材料複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、ナノ炭素材料を形成前に触媒層の一部を剥離しスポットを形成する。ナノ炭素材料は触媒層の残存部から生成されることから、生成されたナノ炭素材料の極近傍にナノ炭素材料の存在しないスポットが存在する。このため、電界の集中しやすいナノ炭素材料よりなるエッジ部位を多数備えたナノ炭素材料複合基板を製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体５を備え、エピタキシャル構造体５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル構造体５はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】 電子線密度が高い電子放出体とこの電子放出体を組み込んだＸ線放射装置を提供する。
【解決手段】 炭素結晶の成長は最初は隆起部２２が徐々に大きくなり、次いで隆起部２２の先端から針状部２３が成長する。この針状部２３はグラフェンシートが斜めに多層に巻回され且つ内部は中空になっている。このようにして形成された炭素突起２１の軸は凹面１１の接線と略直交するため、多数の炭素突起２１の軸は凹面１１の焦点Ｆにて交わることになる。 （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル膜６と、エピタキシャル膜６が形成された領域を含む表面を有するダイヤモンド突起部５とを備える。ダイヤモンド突起部５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル膜６はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子であって素子内に効率よく電子を注入可能なもの、及び、そのような電子放出素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】基３と、該基材３の端部３ａに設けられた突起５と、導電性を有する導電性皮膜７と、を備え、突起５は、突起５の側面に設けられた少なくとも１つの穴部５ｃを有し、導電性皮膜７は、穴部５ｃの内面を含む突起５の表面上に形成されており、突起５の先端部５ｂの表面は露出しており、突起５は一辺が１０００μｍの立方体内に収容可能な形状を有する。 （もっと読む）

【課題】電子線及び電子ビーム機器や真空管、特に、電子顕微鏡や電子ビーム描画装置等の電子光学機器に使用される、量産性に優れ入手の容易な遷移金属炭化物を用いた高輝度電子源を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡、電子ビーム描画装置等の電子光学機器に使用される電子源であって、電子放出部分は表層部と基材部からなり、該表層部は遷移金属炭化物であり、該基材部はダイヤモンド単結晶であることを特徴とする電子源により解決される。 （もっと読む）

【課題】積層型の電子放出素子を備えた電子線装置において、ゲートの変形を防止して、電子放出特性の変動を低減し、素子の破壊を防止する。
【解決手段】ゲート５の膜厚ｈと、絶縁部材３の外表面から凹部７の内側面までの距離Ｌとの関係を適切に保つことにより、電子放出素子を動作させたときに生じるクーロン力によるゲート５の変形を抑制する。 （もっと読む）