【課題】電力損失が少ない電子放出素子を提供する。
【解決手段】上面に電子放出源２が設けられたカソード電極１と、カソード電極１に一定の距離ｄをおいて平行に対向配置され、電子放出源２からの電子が通過する開口部５ａを有するゲート電極５と、カソード電極１とゲート電極５との間に積層して介在され、電子放出源２からの電子を通過させる開口部３ａ，４ａをそれぞれ有する２層の第１及び第２絶縁体３，４とを備える。第１及び第２絶縁体３，４のうち、カソード電極１に１番目に近い第１絶縁体３の誘電率ε１を、カソード電極１に２番目に近い第２絶縁体４の誘電率ε２より高くした。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブが焼成中に焼失せず好適に固定され、発光性に優れた電子放出源用被膜を形成可能な被膜形成用組成物及び電子放出源の形成方法を提供する。
【解決手段】電子放出源形成用組成物は、カーボンナノチューブと、ガラスフリットと、有機バインダー樹脂と、有機溶剤とを含有し、ガラスフリットの軟化点は５００℃以下である。基板に塗布される電子放出源形成用組成物から有機溶剤を除去して得られる塗膜を、４００〜４５０℃の温度で焼成して有機バインダー樹脂を除去し、カーボンナノチューブとガラスとを含有する被膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 優れた電子放出特性を有する電子放出部材、電子放出装置及び電子放出部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子放出部材は、金属のマトリックスにカーボンナノファイバーが分散した押出材ｂである。押出材ｂの押出方向Ａと交差する方向に形成された面が電子放出領域である。本発明の電子放出部材の製造方法は、金属粒子と、カーボンナノファイバーと、を含む混合材料Ｂを押出加工して押出材ｂを得る工程（ａ）と、押出材ｂを少なくとも押出方向Ａの複数個所で分割して、押出方向Ａと交差する方向に形成された分割面を有する電子放出部材を得る工程（ｂ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】素子作成工程が単純であり、機械的、電気的に安定な冷陰極電界電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明は、SiC結晶基板の上に金属膜を堆積させ、加熱処理し、SiCと金属を反応させて形成した金属シリサイドと、この反応プロセスでSiCとの反応にあずからないカーボンをグラファイト状クラスターとして金属シリサイド内或いは最表面層に析出させて作成した表層構造物からなり、この表層構造物を冷陰極電子放出素子として機能させると共に、SiC基板を電極として機能させる。 （もっと読む）

【課題】現用のＺｒ／Ｏ／Ｗ電子源よりも電子放出面の仕事関数を減少させ、狭エネルギー幅かつ高電流密度の放出電子が得られ、長寿命な電子源を提供し、高分解能像が短時間に得られる電子顕微鏡や高スループットな電子線描画装置を実現する。
【解決手段】先端を針状にした金属からなる針状電極１０４と、前記針状電極を加熱する発熱体１０３からなる電子源において、前記電子源は前記発熱体により加熱可能な拡散源を有し、酸素を含むバリウム化合物と炭素粒子の混合物を拡散源１０６とする。 （もっと読む）

【課題】有機バインダのみに依存せずに機械的膜強度が確保でき、平坦形状が簡便に得られ膜内に気泡を抱え込むことがなく、また、ナノチューブ以外の不純物を必要以上に除去するような複雑なＣＮＴ精製工程を無くすことを可能とし、バンドル径増大による電子放出特性の劣化を軽減できるＣＮＴ膜を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）及び粒子状不純物を含むＣＮＴ膜１２は、断面及び表面構造におけるＣＮＴ１２ａと粒子状不純物との面積比が０．５：９９．５〜４０：６０の範囲に設定されている。このようなＣＮＴ膜１２において、粒子状不純物を、ＣＮＴ１２ａを製造する際にＣＮＴ１２ａと共に得られる不純物で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】 電界放出型電子源の冷陰極を構成する炭素材の表面構造の先鋭化を実現すると共に、その先鋭化を１回の工程で行うことで製造コストを抑える。
【解決手段】 電界が印加されることにより電子を放出する冷陰極を備えた電界放出型電子源の製造方法であって、冷陰極の素材となる炭素材１０を水素酸素混合ガスの燃焼炎１１に暴露することで、該炭素材１０の表面に炭素のナノメートル構造を形成するエッチング処理を行い、得られた炭素材１０で冷陰極を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属下地及びその上に形成されたＣＮＦとからなる線状複合体を、安定して電界電子を放出可能な形状に規定した電界電子放出源用部材及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】頂端に曲率半径を有する円錐体を端部に備えた線状の金属下地と、その上に多数本の炭素ナノファイバーとを具備した線状複合体を改良した電界電子放出源用部材を提供する。その改良は、前記金属下地の頂角を４０〜８０ｄｅｇに限定したことである。この場合、前記線状複合体の電界電子放出面積が１０，０００〜１５，０００ｎｍ^２であったり、あるいは前記円錐体の曲率半径が３〜７μｍであるのが好ましい。また、前記金属下地が、タングステン（Ｗ）上にパラジュウム（Ｐｄ）をスパッタ被覆したものであると良い。さらに、上記電界電子放出源用部材の製造方法をも提供する。 （もっと読む）

【課題】 消費電力を低減した画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 一対の電極間に電子放出部を備える複数の電子放出素子を互いに接続する第一の配線と、第一の配線よりも高抵抗な第二の配線と、第二の配線を覆う絶縁層と、第一の配線と接続して絶縁層を覆う表面抵抗が１０^８Ω／□以上の抵抗膜とを有し、抵抗膜は第二の配線と重ならない部分で第一の配線と接続し、抵抗膜の第一の配線と接続する部分と第二の配線と重なる部分との間の長さＬが、抵抗膜の電子移動度μと、第一、第二の配線に供給される電位Ｖ１、Ｖ２と、Ｖ１及びＶ２が供給されている時間ｔとしたとき、（μ（｜Ｖ１―Ｖ２｜）ｔ）^１／２以上であることを特徴とする画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ膜を用いながら均一で安定な放出電流を発生させ、良好なエミッション特性を得ることができるエミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置を提供する。
【解決手段】エミッタの製造方法では、ガラス基板1０上に、複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含みエミッタ電極を構成するＣＮＴ膜１２を形成し、ＣＮＴ膜１２上に絶縁膜１３を介してゲート電極１６を形成し、ゲート電極１６及び絶縁膜１３に複数のゲート開口１７を形成し、ゲート開口１７内のＣＮＴを直立配向させる。 （もっと読む）