【課題】基板表面においてナノ炭素材料をパターニングして成長させることの出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数の微粒子を基板表面に配列し、該微粒子間の空隙からナノ炭素材料を成長させる。複数の微粒子を基板表面に配置したとき、微粒子は粒径に従って自己整合的に配列されることから、該微粒子間の空隙から成長したナノ炭素材料は、基板表面においてパターニングされて成長することになる。 （もっと読む）

【課題】本願発明の目的は、電界放出型の面光源装置及びそれを採用した画像表示装置を提供することである。
【解決手段】第１基板に立ちに交差する方向に沿って設けられる第１電極、第２電極、及び第２基板に設けられる第３電極が、第１基板と第２基板とによって密封される内部に配され、第１電極及び第２電極に対する端子部が、第１基板の同一側に設けられ、電界放出型の面光源装置の実装を容易にし、電界放出型の面光源装置をバックライト・ユニットとして採用する画像表示装置の組み立てを容易にする。 （もっと読む）

【課題】電子放出効率が高く、電子放出に要する駆動電圧を低く、電子放出の面分布が均一となる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】酸処理されたカーボンナノチューブと、ガラスフリットと、バインダー樹脂と、ペースト用溶媒とを含むことを特徴とする電子放出源用ペースト。その配合比は、カーボンナノチューブが１〜５重量％、バインダー樹脂が１０〜３０重量％、ガラスフリット（ベヒクル）が１〜１０重量％、そしてペースト用溶媒は４０〜８０重量％程度とする。 （もっと読む）

【課題】電子放出電流の増大と、ビーム径の集束とを同時に実現する電子放出素子を提供する。
【解決手段】第１の絶縁層２の第１の側面２１に第１の低電位側電極４を、第２の側面２２に第１の高電位側電極５を配置し、第１の絶縁層２上に第２の絶縁層３を介して第２の低電位側電極６を配置し、さらに、低電位側電極６の上に第３の絶縁層７を介して第２の高電位側電極８を配置し、第１の低電位側電極４と第２の高電位側電極８との間隙９と、第１の高電位側電極５と第２の低電位側電極６との間隙１０とからそれぞれ電子放出を行う。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いた電子源を製造する場合、ＣＮＴを成長させたままの状態では、電子源として作動するＣＮＴの先端の密度が高すぎて良好な電子源特性が得られない。先端の密度を下げるためにＣＮＴを成長させた基板を溶液に浸して乾燥させる技術は既知であるが、さらにこの密度を低下させる方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって、先端に金属触媒を保持したＣＮＴを基盤上に成長させ、その後、溶剤に浸して乾燥させ、ＣＮＴ構造体を作製する。さらに、その後、このＣＮＴ構造体の先端に、同様なプラズマＣＶＤ法を施して再度ＣＮＴを成長させ、再度、溶剤に浸して乾燥させてＣＮＴ構造体を製造する。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜するナノ炭素材料への電界集中を好適に行なうことができるナノ炭素材料複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板の製造方法は、ナノ炭素材料１６を形成する前に触媒層１２の一部を剥離してスポット１３を形成し、さらに基板１１に対して凹部１４および凸部１５の形成を行う。ナノ炭素材料１６は凸部１５の表面に残存させられた触媒層１２の表面に成膜されることから、ナノ炭素材料１６は凸部１５の表面、すなわち基板１１上の突出した部位に位置選択的に成膜されることとなる。また、成膜されたナノ炭素材料１６の極近傍にナノ炭素材料１６の存在しないスポット１３が存在する。このため、電界の集中しやすいナノ炭素材料１６で構成されたナノ炭素材料複合基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】低閾値電圧で電子放出し、基板上に高密度、且つ均一に分布し、長寿命なＣＮＴ集合体を備えた電子デバイスを提供する
【解決手段】本発明によると、基板と、基板に設けられた金属部材を介して延出し、無配向に、かつ弧状形状を有する複数のＣＮＴを備え、閾値値電圧が２．０Ｖ／μｍ以下であるＣＮＴ集合体と、を備える電子デバイスが提供される。ＣＮＴ集合体は、基板上にＣＮＴ密集層を備え、ＣＮＴ密集層の上部に弧状形状を有する複数のＣＮＴを備える。本発明の電子デバイスによると、弧状形状を有するＣＮＴから電子が放出される。 （もっと読む）

【課題】 高エミッション効率で低電圧駆動可能な電界放出型冷陰極を提供する。
【解決手段】 ガラス製の基板5上に形成された導電層4上に、絶縁層2およびゲート層1を堆積する。その後、前記ゲート層1の開口径を前記絶縁層2開口径よりも大きくなるようにエッチングする。開口部以外をマスク材7にて被覆し、噴霧等の手法によってカーボンナノチューブを堆積して、エミッタ層３を、絶縁層２の開口側面をも被覆するように、かつ、エミッタ層の任意の点から最も近接したゲート層開口端が絶縁層２によって遮蔽されるように、形成する。このとき、絶縁層２の開口側面の上部がエミッタ層（カーボンナノチューブ層）によって被覆されないようにする。 （もっと読む）

【課題】ガス吸着材料が電子放出素子内に均一に分布されて、均一な発光が得られる電子放出素子、該電子放出素子を光源とする照明装置、および該電子放出素子のカソード電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子１のカソード電極２は、電子輸送層９の表面に、カーボンナノ構造体１３と電子放出材料１４を固定して構成されている。カーボンナノ構造体１３は、電子放出素子１の動作中に発生するガスや電子放出素子１の製造時に除去出来なかったガスを吸着するガス吸着材料として機能する物質である。カーボンナノ構造体１３は、大きさを制御して製造される。電子放出材料１４は、その先端がカーボンナノ構造体１３の上面から突出している。 （もっと読む）

【課題】電力損失が少ない電子放出素子を提供する。
【解決手段】上面に電子放出源２が設けられたカソード電極１と、カソード電極１に一定の距離ｄをおいて平行に対向配置され、電子放出源２からの電子が通過する開口部５ａを有するゲート電極５と、カソード電極１とゲート電極５との間に積層して介在され、電子放出源２からの電子を通過させる開口部３ａ，４ａをそれぞれ有する２層の第１及び第２絶縁体３，４とを備える。第１及び第２絶縁体３，４のうち、カソード電極１に１番目に近い第１絶縁体３の誘電率ε１を、カソード電極１に２番目に近い第２絶縁体４の誘電率ε２より高くした。 （もっと読む）