【課題】素子毎で電子放出特性のばらつきが少ない電子放出素子、電子放出素子を用いた電子線装置、及び電子線装置を用いた画像表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲートと、上面にゲートを有し、ゲート直下の側面に凹部を有する絶縁部材と、突起部分を有し、突起部分の先端が凹部を介してゲートに向き合っているカソードと、を備える電子放出素子の製造方法であって、金属を含み不動態を形成可能な部材からなるゲート、を上面に有する絶縁部材を形成した後、ゲートの表面に不動態膜を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出陰極素子及びそれを利用した電界放出表示装置に関する。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、絶縁基板と、第一電極と、第二電極と、少なくとも一つの陰極エミッタと、二次電子放出エミッタと、を含む。前記第一電極及び前記第二電極は、相互に間隔をあけて設置され、前記絶縁基板の一つの表面に設置される。前記陰極エミッタは、前記第一電極に電気的に接続される。前記二次電子放出エミッタは、電子放出面を有する。前記二次電子放出エミッタは、前記陰極エミッタに対向して、該陰極エミッタと間隔をあけて設置される。 （もっと読む）

【課題】特殊な電子放出素子を用いることなく、長寿命の電界放出型Ｘ線発生装置を得る。
【解決手段】電界放出型Ｘ線管１０は、電子放出素子となる冷陰極１２を備えている。冷陰極１２に対しては、直流電源２１から、高圧ケーブル２２を介して、数十ｋＶの負電圧が印加される。直流電源２１近傍に設けた第１の電流制御抵抗３１の他に、冷陰極１２近傍には、第２の電流制御抵抗４１が設けられている。
高圧ケーブル２２に寄生しているインダクタンスＬやキャパシタンスＣに起因する過電流が発生して冷陰極１２に流れようとしても、第２の電流制御抵抗４１によって当該過電流がそのまま冷陰極１２に流れることを防止でき、冷陰極１２の長寿命化が図れる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出陰極素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、第一カーボンナノチューブ構造体と、第二カーボンナノチューブ構造体と、を含む。前記第一カーボンナノチューブ構造体は、複数の第一カーボンナノチューブが面上に配列される。前記第二カーボンナノチューブ構造体は、複数の各行に配列された複数の第二カーボンナノチューブからなるとともに、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に形成される。前記複数の第二カーボンナノチューブは、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に垂直に設けられる。前記第二カーボンナノチューブ構造体の、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面から離れる端部は、電子放出の先端として利用される。前記複数の第二カーボンナノチューブの高さは、中間行が最も高く、前記中間行から離れる方向に沿って次第に減少している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出表示装置に関し、特に、カーボンナノチューブを利用した電子エミッタ及び、それを利用した電界放出表示装置に関するものである。
【解決手段】本発明の電界放出表示装置は、絶縁基板と、複数の行電極と、複数の陰極エミッタと、隔離層と、複数の列電極と、陽極素子と、を含む。前記複数の陰極エミッタは、少なくとも一つの電子エミッタを含み、該電子エミッタは、チューブ状構造体であり、その一端が前記行電極に電気的に接続され、その他端が前記陽極電極の方向へ延伸する。前記電子エミッタは、中空であって線状の軸心を有し、前記電子エミッタは、前記線状の軸心を囲む複数のカーボンナノチューブからなり、前記電子エミッタの一つの端部に、複数の電子放出の先端が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電界放出装置に関し、特に大寸法の電界放出装置に関する。
【解決手段】本発明の電界放出装置は、絶縁基板と、電子放出ユニットと、行引出し電極と、列引出し電極とを含む。行引出し電極と列引出し電極とは、電気絶縁的に交叉して格子が形成される。各々の格子の中に、電子放出ユニットが設置されている。電子放出ユニットは、陽極電極と、陰極電極と、蛍光層と、陰極エミッタと、第一集束電極と、第二集束電極とを含む。陽極電極は、行引出し電極に接続され、陰極電極は、列引出し電極に接続されている。陰極エミッタは、陽極電極と陰極電極の間に設置され、一端は陰極電極に接続され、もう一端は陽極電極に対向している。蛍光層は、陽極電極の絶縁基板に隣接する表面の反対表面に形成されている。第一集束電極と第二集束電極は、それぞれ列引出し電極に接続され、行引出し電極及び陽極電極と絶縁的に設置され、陰極エミッタの両側に設置されている。 （もっと読む）

【課題】大型の極薄型ディスプレイ装置や照明装置に使用して好適な、簡易かつ実用的な電子放出素子の製造方法、およびそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】隔壁１４によって隔てられた窪み部１２を有し、前記窪み部１２にはカソード電極１６と電子放出源１８が設けられ、前記隔壁１４上にはゲート電極２０が設けられた構造体を備える電子放出素子の製造方法であって、前記隔壁１４上へゲート電極２０を陽極接合する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子エミッタに関し、特に、カーボンナノチューブを利用した電子エミッタ、その製造方法及び該電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管に関するものである。
【解決手段】本発明の電子エミッタは、チューブ状構造体を有する。チューブ状構造体を有する電子エミッタにおいて、前記電子エミッタは、中空の線状の軸心を有し、前記電子エミッタは、前記線状の軸心を囲む複数のカーボンナノチューブからなり、前記電子エミッタの一つの端部に、複数の電子放出の先端が形成されている。また、本発明は、前記電子エミッタの製造方法及び前記電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管も提供する。 （もっと読む）

【課題】 カソードからゲートに対して電子が放出される電子放出素子において、ゲートが熱膨張した場合、カソードとの距離が縮まるため更にカソードからの電子放出量や電子それぞれの運動エネルギーが増加する。増加した電子放出量や電子の運動エネルギーによって、ゲートがさらに熱膨張するという正帰還が発生する場合があった。
【解決手段】 カソードからゲートに対して電子が放出される電子放出素子において、ゲートが熱膨張した際に、ゲートとカソードとの距離が離れる構造を備える電子放出素子である。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性に優れる電子放出素子を提供する。
【解決手段】 カソードと該カソードから電界放出された電子が照射されるゲートとを備える電子放出素子であって、前記ゲートは、前記カソードから電界放出された電子が照射される部分に、モリブデンと酸素とを含む層を少なくとも有しており、前記層が、透過電子顕微鏡を用いた電子エネルギー損失分光法によるスペクトル測定において、３９７ｅＶ〜４０１ｅＶの範囲と４１４ｅＶ〜４１８ｅＶの範囲と５３４ｅＶ〜５３８ｅＶの範囲と５４０ｅＶ〜５４７ｅＶの範囲のそれぞれにピークを有する。 （もっと読む）