カーボンナノチューブ構造体製造方法及びそれを利用した電子放出源
【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いた電子源を製造する場合、ＣＮＴを成長させたままの状態では、電子源として作動するＣＮＴの先端の密度が高すぎて良好な電子源特性が得られない。先端の密度を下げるためにＣＮＴを成長させた基板を溶液に浸して乾燥させる技術は既知であるが、さらにこの密度を低下させる方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって、先端に金属触媒を保持したＣＮＴを基盤上に成長させ、その後、溶剤に浸して乾燥させ、ＣＮＴ構造体を作製する。さらに、その後、このＣＮＴ構造体の先端に、同様なプラズマＣＶＤ法を施して再度ＣＮＴを成長させ、再度、溶剤に浸して乾燥させてＣＮＴ構造体を製造する。
【解決手段】ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって、先端に金属触媒を保持したＣＮＴを基盤上に成長させ、その後、溶剤に浸して乾燥させ、ＣＮＴ構造体を作製する。さらに、その後、このＣＮＴ構造体の先端に、同様なプラズマＣＶＤ法を施して再度ＣＮＴを成長させ、再度、溶剤に浸して乾燥させてＣＮＴ構造体を製造する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はカーボンナノチューブ構造体製造方法とそれを利用した電子放出源に関わるものである。
【背景技術】
【０００２】
カーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏ Ｔｕｂｅ，以後ＣＮＴと記す）は１９９１年に日本の飯島澄男によってフラーレン合成の副産物として発見されたもので、これは炭素原子が結合して出来たグラフェンが筒状に丸まった形状をしている。このカーボンナノチューブは微細であり、機械的強度に優れしかも電気伝導率が良好なことから新しい素材として幅広い注目を集めてきた。特に、カーボンナノチューブが微細であることを利用して、電子放出源への応用が盛んに研究され、特にこれを用いた電界放出型平面ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ，ＦＥＤ）などへの応用が期待されている。
【０００３】
ＣＮＴを用いたＦＥＤを作製する方法としては、粉末状のＣＮＴを溶液に分散させて、この溶液を基板に塗布して乾燥させた後、一定方向にＣＮＴを配向させるための配向処理する方法が一般的に用いられてきた。このようにして配向させたＣＮＴに電圧を印加すると、この先端に電界が集中し、電子が放出される。しかし、この方法では広い範囲に亘って均一にＣＮＴを配向させることが難しく、これが一つの課題となっている。
【０００４】
この課題は、触媒金属を堆積させた基板上にプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，化学気相成長法）を用いて、直接ＣＮＴを配向成長させる方法を採用すれば避けることが出来る。これによって作製されたＣＮＴの基板上における成長密度は１０９本／ｃｍ２程度である。（ちなみにＣＮＴ作製のために最も良く用いられる熱ＣＶＤ法で作製されたＣＮＴの基板上における成長密度は１０１０本／ｃｍ２程度とされる。）
【０００５】
一方、一般的に、基板上に成長させたＣＮＴについて最大の電子放出電流密度を得るには、電子放出源となるＣＮＴ同士の間隔が、配向成長したＣＮＴの高さ程度に空いている必要があることが報告されている（非特許文献１、非特許文献２、非特許文献３参照）。上記ＣＮＴの高さ（長さ）が数ミクロン程度であることを考慮すると、電子放出源となるＣＮＴの間隔も数ミクロン程度にすることが望ましい。つまり、通常の熱ＣＶＤやプラズマＣＶＤで作製したＣＮＴの基板上における成長密度は、電子放出源となるＣＮＴに充分に強く電界を集中させるには高すぎる。ＣＮＴの密度が高いとその先端への電界の集中がそれだけ妨げられるからである。
【０００６】
従って、電子放出源となるＣＮＴ同士の間隔が、配向成長したＣＮＴの高さ程度に空いている状態にするには成長密度を１０７本／ｃｍ２程度にまで下げなければならない。これを実現するために、従来は、基板上にパターニングした触媒金属を堆積させ、その上にＣＮＴを配向成長させたり（非特許文献４参照）、ＣＮＴ成長後にイオン照射して電子放出源の密度を低下させたりすることが行われてきた（特許文献１参照）。
【０００７】
一方、基板上に配向成長させたＣＮＴを溶液に浸した後、これを乾燥させるとその過程で隣り合ったＣＮＴが寄り添うように集合して先端部のみが束ねられ、完全に乾燥した後になっても分子間力によって複数のＣＮＴの先端部が集合したままの状態（円錐状ないしは略ピラミッド状）を保つことが知られている。この現象を利用すれば電子放出源となるＣＮＴ同士の間隔を大きくし、その密度を低下させることが出来る（非特許文献５、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−２４７７５８
【特許文献２】特開２００６−１９６３６４
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｊ．Ｓ．Ｓｕｈ，ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８０（２００２）２３９２
【非特許文献２】Ｌ．Ｎｉｌｓｓｏｎ，ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７６（２０００）２０７１
【非特許文献３】Ｇ．Ｃ．Ｋｏｋｋｏｒａｔｉｓ，ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．７６（２００２）４５８０
【非特許文献４】Ｋ．Ｂ．Ｋ．Ｔｅｏ，ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８０（２００２）２０１１
【非特許文献５】Ｈ．Ｂｕｓｔａ，ｅｔ．ａｌ．，Ｔｅｃｈ． Ｄｉｇｅｓｔ １７ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｖａｃ． Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｎｆ．，２００４，ｐｐ．３０−３１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記の従来技術には幾つかの課題が存在する。例えば、非特許文献４記載の方法では、電子放出源の先端を尖鋭にすることが出来ないので、ＣＮＴの細さという電子放出源に好適な利点をうまく活用できない。また特許文献１記載の方法では、イオン照射のためにＣＮＴが損傷し、その結晶性が損なわれるうえ、ディスプレイ用などの大面積基板に一様なイオン照射行うのは難しい。
【００１１】
また、基板上に配向成長させたＣＮＴを溶液に浸した後、これを乾燥させる工程を用いて作られたカーボンナノチューブ構造体に関しては、非特許文献５記載の方法で作製した場合、束ねられるＣＮＴの本数が十本程度であるため、電子放出源の間隔が１００ｎｍ以下であり、さらにこの間隔を大きくする必要があった。特許文献２記載の方法では電子放出源の間隔を確保するために触媒膜（触媒金属）のパターニングが必要であり、その分工程が煩雑になっていた。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決する手段として、本発明のカーボンナノチューブ構造体の製造方法は、先端に金属触媒を保持した複数のカーボンナノチューブを、ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって基板の上に配向成長させる工程と、前記複数のカーボンナノチューブを溶剤に浸す工程と、前記溶剤に浸した前記複数のカーボンナノチューブを乾燥させる工程とを含むことを特徴としている。
【００１３】
さらに本発明のもう一つのカーボンナノチューブ構造体の製造方法は、上記の課題を解決する手段として、先端に金属触媒を保持した複数のカーボンナノチューブを、ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって基板の上に配向成長させる工程と、前記複数のカーボンナノチューブを溶剤に浸す工程と、前記溶剤に浸した前記複数のカーボンナノチューブを乾燥させる工程と、前記乾燥された複数のカーボンナノチューブの先端に再度複数のカーボンナノチューブを成長させる工程と、前記再度成長させた複数のカーボンナノチューブを含む前記複数のカーボンナノチューブを再度溶剤に浸す工程と、前記再度溶剤に浸した前記複数のカーボンナノチューブを再度乾燥させる工程とを含むことを特徴としている。
【００１４】
また、本発明の電子放出源は、上記課題を解決するために、上記二つのいずれかの製造方法によって作製されたカーボンナノチューブ構造体を用いて構成されることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係るＣＮＴ構造体の製造方法は上記のような工程を含んでいるので、ＤＣ放電プラズマによって基板から真っ直ぐ立ち上がる非常に配向性の良いＣＮＴを成長させることが出来る。そのため、溶剤に浸して乾燥させる処理を行うと極めて尖鋭な先端を持つＣＮＴ構造体を作製することが出来る。これによって電子放出源となるＣＮＴ構造物の先端に充分に強く電界を集中させることが出来る。従ってそれだけ低い電圧で電子を放出させることが可能となる。また、本ＣＮＴの構造物を用いれば良好な性能をもつ電子放出源を作製することが出来る。
【００１６】
また、本発明に係るもう一つのＣＮＴ構造体の製造方法は、上記の工程によって先端を束ねたＣＮＴの上にさらにＣＮＴを配向成長させるので、電子放出源となるＣＮＴ構造体の先端をさらに尖鋭にし、しかもその密度を下げることが出来る。従って電子放出源としてさらに好適なＣＮＴ構造体を製造することが出来る。また、このＣＮＴ構造体を用いれば一層良好な性能をもつ電子放出源を作製することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本願発明の第一実施例に係るＣＮＴ構造体の製造方法に従って作製されたＣＮＴ構造体と比較例の電子顕微鏡写真である。
【図２】図１の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の形態のそれぞれのＣＮＴ構造体について測定された電子放出特性を示すグラフである。
【図３】本発明によるＣＮＴ構造体の製造に用いたプラズマＣＶＤ装置の概略を示す図である。
【図４】本発明によるＣＮＴ構造体の電子放出特性を測定するために作製された電子放出源の概略を示す図である。
【図５】本願発明の第二実施例に係るＣＮＴ構造体の製造方法によって製造されるＣＮＴ構造体の製造途中の形態を示す電子顕微鏡写真である。
【図６】本願発明の第二実施例に係るＣＮＴ構造体の製造方法によって製造されたＣＮＴ構造体の形態を示す電子顕微鏡写真である。
【図７】本願発明の第二実施例に係るＣＮＴ構造体の成長の様子を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明に係るＣＮＴ構造体の製造方法とこれを利用した電子放出源の作製工程、およびその特性測定について適宜図を用いながら、以下に詳細に説明する。
【実施例】
【００１９】
《第一実施例》
１．基板の準備
まず、ＣＮＴを成長させる基板（触媒金属）となる鉄板（厚さ０.２ｍｍ、１ｃｍ角）を準備しこの基板を、アセトンを入れたビーカーに入れ、超音波洗浄した。超音波洗浄を終了すると、アセトンから基板を取り出して窒素ブロワで乾燥させた。
【００２０】
２．前処理工程
この基板３０を図３に示すプラズマＣＶＤ装置の内部に設置し、真空ポンプ３１によって内部を真空にした。その後、水素を流量調整器（ＭＦＣ）３２で流量を調整しながらチャンバー内に導入し、真空ポンプ３１に繋がるバルブを操作して、チャンバー内部の圧力が１０００Ｐａから２０００Ｐａになるように調節した。その後、ＲＦ電源３３を起動し、マッチングボックス（図示せず）によってＲＦの反射を０Ｗに調整しながら、ＲＦ電源出力を３００Ｗから５００Ｗに調整した。ＲＦの周波数は１３．５６ＭＨｚである。
【００２１】
ＲＦプラズマが安定した後、ＤＣ電源３４を起動し、３００Ｖから６００ＶのＤＣバイアスを基板３０に印加し、１５分間、一定の放電電流値に調整しながら、基板を水素プラズマに曝した。
【００２２】
３．成長工程
前工程が終了後、チャンバー内に水素に加えて、原料物質となるメタンを流量２０ｃｃｍで導入し、ＣＮＴの成長工程を開始した。チャンバー内にメタンを導入するとチャンバー内の圧力、ＲＦの反射、ＤＣ電源の電圧、温度が急変するので運転諸元を適宜調整した。チャンバー内のプラズマが安定していることを確認しながら、また基板の温度を監視しながらＤＣ電源の電圧を調整した。基板温度は６７０度とした。この状態で、上記諸元を適宜調整しながらプラズマを安定に保って１５分間ＣＮＴを成長させた。
【００２３】
４．終了工程
成長工程が終わると、メタンと水素の導入を停止し、真空ポンプ３１へ繋がるバルブを全開にして、チャンバー内に残留した水素とメタンを完全に排出し、プラズマＣＶＤ装置が室温程度まで冷えるのを待った。プラズマＣＶＤ装置が充分冷えた後、チャンバーを大気開放し、基板を取り出した。なお、前工程と成長工程に用いたプラズマＣＶＤ装置は本発明の発明者のうち二名が発明したものであり、特許文献特開２００６−５７１２２に開示されたものと実質的に同一のものである。
【００２４】
鉄を基板すなわち触媒とし、本成長工程によって成長させたＣＮＴは、先端に触媒である鉄粒子を保持したまま成長し、長さが３μｍから５μｍ、密度は１０９本／ｃｍ２、ＣＮＴの平均間隔は０．３μｍであった。よって次の工程に移る前の状態ではＣＮＴの高さと距離の比（高さを距離で除した値、即ちアスペクト比）は１０から２０であった。先端に鉄粒子を保持したまま成長するのは、本発明ではＤＣ放電によるプラズマを用いているので、プラズマと基板の間のプラズマシースに生ずる強い電界で鉄粒子（触媒金属微粒子）が持ち上げられるためではないかと考えられている。先端に金属触媒を保持したＣＮＴの成長は、Ｒ.Ｓ.Ｗａｇｎｅｒ ａｎｄ Ｗ．Ｃ．Ｅｌｌｉｓ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，４（１９６４）８９に記載の理論を用いて解析しうる。
【００２５】
５．浸漬／乾燥工程
以上の工程によって基板を作製した後、以下の三通りの溶剤への浸漬と乾燥の処理を行って、三種の異なるＣＮＴ構造体を製造した。
（１）蒸留水に五分間浸漬した後、常温乾燥して出来たＣＮＴ構造物。
（２）エタノール（通常の洗浄に用いる純度９９．５％のもの）に五分間浸漬した後、常温乾燥して出来たＣＮＴ構造体。
（３）蒸留水と上記エタノールを等量混合した溶剤に五分間浸漬し、常温乾燥して出来たＣＮＴ構造体。
また、この浸漬／乾燥工程を行わない基板（即ち生のＣＮＴ構造体）も比較例として準備した。この四種類のＣＮＴ構造物の電子顕微鏡写真を図１に示す。写真内のスケールは６μｍである。
【００２６】
これら四つの異なるＣＮＴ構造体の電子顕微鏡写真を図１に示す。図中の写真について、（ａ）は浸漬／乾燥工程を行わない状態のＣＮＴ構造体、（ｂ）は上記（１）の浸漬と乾燥の処理によって出来たＣＮＴ構造体、（ｃ）は上記（２）の処理によって出来たＣＮＴ構造体、（ｄ）は上記（３）の処理によって出来たＣＮＴ構造体である。図１の写真から判るように、溶剤への浸漬と乾燥の工程を経たもののほうが、乾燥の際に分子間力によってＣＮＴの先端がくっついて束ねられてゆくため、尖った先端の密度が低くなっている。これは電子源として好適に用いることの出来る構造である。なお、溶剤としてはエタノールよりも蒸発速度の速いイソプロピルアルコールなどは、より多くのＣＮＴを束ねる効果があると予想され、溶剤としてより好適に用いることが出来ると考えられる。電子放出源として作用する尖った先端の密度は（ａ）が４．４×１０８本／ｃｍ２程度、（ｃ）が２．５×１０７本／ｃｍ２程度になっており、ほぼ望ましい程度にまで密度を低下させることが出来た。一方、（ｂ）についてはＣＮＴが横方向に繋がってウォール状に変形しており、（ｄ）は先端の曲率半径が大きいことがわかる。また（ｃ）についてアスペクト比は４．６であった。
【００２７】
６．電子放出源作製工程
本発明に係るＣＮＴ構造体の電子放出源としての特性を測定するために作製された電子放出源の断面図を図４に示す。前記５．の浸漬／乾燥工程を経たＣＮＴ構造体を電子源に加工するためには、通常知られている半導体デバイスの工程やプロセスを用いれば良い。
【００２８】
図４に示すように、前記４．の工程までの処理によってＣＮＴ構造体を成長させた基板３０上に、中央に直径１０ｍｍの孔を持つ、厚さ２００μｍの雲母板４０をスペーサー（絶縁物）として載せた。基板３０は陰極（カソード）として機能する。これとは別に、陽極（アノード）として機能する透明導電膜４１（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を堆積させたガラス４２（石英ガラス）を準備し、図４に示すように、透明導電膜４１と基板３０で雲母板４０を挟みつけた。これによって同じ構造を持つ電子放出源を、上記４．の浸漬／乾燥工程を経た四つの異なるＣＮＴ構造体、即ち（ａ）前記の浸漬／乾燥工程を行わないＣＮＴ構造体，（ｂ）蒸留水に五分間浸漬した後、常温乾燥して出来たＣＮＴ構造物、（ｃ）エタノール（通常の洗浄に用いる純度９９．５％のもの）に五分間浸漬した後、常温乾燥して出来たＣＮＴ構造体、（ｄ）蒸留水と上記エタノールを等量混合した溶剤に五分間浸漬し、常温乾燥して出来たＣＮＴ構造体のそれぞれについて作製した。
【００２９】
７．電子放出源の特性測定
これらの四つの電子放出源を、ステンレス製の真空容器内に設置し、この真空容器内をターボ分子ポンプによって１×１０−５Ｐａ程度の真空度まで排気した。この電子放出源に印加した電圧は最大で１５００Ｖであった。これら四種類の電子放出源の電子放出特性を図２に示す。図２中の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ図１中の写真のＣＮＴ構造体に対応する。
【００３０】
図２から判るように電子放出源としての電界放出の起こりやすさについて（ａ）が最も起こりにくく、（ｃ）が最も起こりやすくなっている。（ｂ）と（ｄ）は（ｃ）ほどではないが、（ａ）よりは電界放出を起こしやすくなっており、４．浸漬／乾燥工程によって先端を束ねて電子源となる尖った先端の密度を低下させた効果は明らかである。電子顕微鏡写真に見られるＣＮＴ構造体の形状と図２に見られる電子放出特性は良い対応をしめしていると言える。
【００３１】
《第二実施例》
次に第二実施例について述べる。第二実施例では、第一実施例の５．浸漬／乾燥工程で作製した四つのＣＮＴ構造体のうち、（ｃ）のエタノールに五分間浸漬した後、常温乾燥して出来たＣＮＴ構造体にさらに、第一実施例中の２．前処理工程、３．成長工程および４．終了工程を施した。ただし、２．前処理工程の水素プラズマに曝す時間は１０分間とした。第二実施例中のここまでの工程を二段階成長法と呼ぶことにする。
【００３２】
第一実施例で述べた工程によって作製したＣＮＴ構造体は先端に金属触媒を保持したまま成長しているので、２．前処理工程によって先端の金属触媒が活性化し、二段階成長法によってＣＮＴ構造体の先端にさらに、一本乃至は数本のＣＮＴを成長させることが出来た。これの電子顕微鏡写真を図５に示している。二段階成長法を経たＣＮＴ構造体は尖った先端の密度が図１の（ｃ）よりも低下していることが判る。さらに、第二実施例においては、二段階成長法の後にさらにエタノールによる浸漬／乾燥工程を実施した。この浸漬／乾燥工程は第一実施例の工程と同じである。その結果作製されたＣＮＴ構造体の電子顕微鏡写真を図６に示す。これによると尖った先端の密度はさらに低下していることが判る。なお、図６中のスケールは６μｍである。
【００３３】
第一実施例の３．成長工程を終了した段階におけるＣＮＴの成長密度は、上にも述べた通り、１０９本／ｃｍ２程度であり、平均のＣＮＴの間隔は０．３μｍ、ＣＮＴの高さと距離の比は１０から２０であったが、第一実施例の４．浸漬／乾燥工程を経た段階では、４．６であった。第二実施例におけるＣＮＴ構造体においては、二段階成長法を施した段階で、高さと距離の比は２．２、その後の浸漬／乾燥工程を経たものは２であった。これは第一実施例よりもＣＮＴ構造体の先端の密度が低下していることを意味する。これは電子放出源として好適に用いることの出来る形状のＣＮＴ構造体であり、これを用いた電子放出源はより低い電圧で電子を放出することが出来る。また、基板（鉄）のパターニング等の工程を行わなくとも、充分に先端の密度を下げることが出来る。
【００３４】
第二実施例に従う工程によって作製した、ＣＮＴ構造体の成長の様子を示す模式的に示したのが図７である。第二実施例の工程によって、基板３０（鉄）の上に成長したＣＮＴ構造体の先端に保持された金属触媒（鉄）から、ＣＮＴが再成長している。ここで第二実施例において、何本のＣＮＴを束ねることが出来るかについて考えてみる。成長密度が１０９本／ｃｍ２のＣＮＴは、それらの間隔が０．３μｍである。これらが１００本束ねられた場合、ＣＮＴの平均距離が十分の一となるので、ＣＮＴ構造体の高さと距離の比は２以下になるはずである。この値を第二実施例で作製したＣＮＴ構造体と比較すると、１００本程度あるいはそれ以上の本数のＣＮＴを束ねることが出来たということが判る。
【００３５】
なお、本発明の主旨から逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、本発明に係る電子源にさらに加工を行う場合にこれを容易にしたり、その強度を増すために、本発明の工程で作製した電子源の間を絶縁性の材料で満たし、その後、電子源の先端を切り落とすなどの加工を行ったものも本願発明の範囲に入ることになる。本発明はＣＮＴから電子源として用いることのできる構造体を製造する方法として優れており、当該分野の発展に資するところ大である。
【符号の説明】
【００３６】
３０．基板
３１．真空ポンプ
３２．流量調節器
３３．ＲＦ電源
３４．ＤＣ電源
４０．雲母板
４１．透明導電膜
４２．ガラス
【技術分野】
【０００１】
本発明はカーボンナノチューブ構造体製造方法とそれを利用した電子放出源に関わるものである。
【背景技術】
【０００２】
カーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏ Ｔｕｂｅ，以後ＣＮＴと記す）は１９９１年に日本の飯島澄男によってフラーレン合成の副産物として発見されたもので、これは炭素原子が結合して出来たグラフェンが筒状に丸まった形状をしている。このカーボンナノチューブは微細であり、機械的強度に優れしかも電気伝導率が良好なことから新しい素材として幅広い注目を集めてきた。特に、カーボンナノチューブが微細であることを利用して、電子放出源への応用が盛んに研究され、特にこれを用いた電界放出型平面ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ，ＦＥＤ）などへの応用が期待されている。
【０００３】
ＣＮＴを用いたＦＥＤを作製する方法としては、粉末状のＣＮＴを溶液に分散させて、この溶液を基板に塗布して乾燥させた後、一定方向にＣＮＴを配向させるための配向処理する方法が一般的に用いられてきた。このようにして配向させたＣＮＴに電圧を印加すると、この先端に電界が集中し、電子が放出される。しかし、この方法では広い範囲に亘って均一にＣＮＴを配向させることが難しく、これが一つの課題となっている。
【０００４】
この課題は、触媒金属を堆積させた基板上にプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，化学気相成長法）を用いて、直接ＣＮＴを配向成長させる方法を採用すれば避けることが出来る。これによって作製されたＣＮＴの基板上における成長密度は１０９本／ｃｍ２程度である。（ちなみにＣＮＴ作製のために最も良く用いられる熱ＣＶＤ法で作製されたＣＮＴの基板上における成長密度は１０１０本／ｃｍ２程度とされる。）
【０００５】
一方、一般的に、基板上に成長させたＣＮＴについて最大の電子放出電流密度を得るには、電子放出源となるＣＮＴ同士の間隔が、配向成長したＣＮＴの高さ程度に空いている必要があることが報告されている（非特許文献１、非特許文献２、非特許文献３参照）。上記ＣＮＴの高さ（長さ）が数ミクロン程度であることを考慮すると、電子放出源となるＣＮＴの間隔も数ミクロン程度にすることが望ましい。つまり、通常の熱ＣＶＤやプラズマＣＶＤで作製したＣＮＴの基板上における成長密度は、電子放出源となるＣＮＴに充分に強く電界を集中させるには高すぎる。ＣＮＴの密度が高いとその先端への電界の集中がそれだけ妨げられるからである。
【０００６】
従って、電子放出源となるＣＮＴ同士の間隔が、配向成長したＣＮＴの高さ程度に空いている状態にするには成長密度を１０７本／ｃｍ２程度にまで下げなければならない。これを実現するために、従来は、基板上にパターニングした触媒金属を堆積させ、その上にＣＮＴを配向成長させたり（非特許文献４参照）、ＣＮＴ成長後にイオン照射して電子放出源の密度を低下させたりすることが行われてきた（特許文献１参照）。
【０００７】
一方、基板上に配向成長させたＣＮＴを溶液に浸した後、これを乾燥させるとその過程で隣り合ったＣＮＴが寄り添うように集合して先端部のみが束ねられ、完全に乾燥した後になっても分子間力によって複数のＣＮＴの先端部が集合したままの状態（円錐状ないしは略ピラミッド状）を保つことが知られている。この現象を利用すれば電子放出源となるＣＮＴ同士の間隔を大きくし、その密度を低下させることが出来る（非特許文献５、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−２４７７５８
【特許文献２】特開２００６−１９６３６４
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｊ．Ｓ．Ｓｕｈ，ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８０（２００２）２３９２
【非特許文献２】Ｌ．Ｎｉｌｓｓｏｎ，ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７６（２０００）２０７１
【非特許文献３】Ｇ．Ｃ．Ｋｏｋｋｏｒａｔｉｓ，ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．７６（２００２）４５８０
【非特許文献４】Ｋ．Ｂ．Ｋ．Ｔｅｏ，ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８０（２００２）２０１１
【非特許文献５】Ｈ．Ｂｕｓｔａ，ｅｔ．ａｌ．，Ｔｅｃｈ． Ｄｉｇｅｓｔ １７ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｖａｃ． Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｎｆ．，２００４，ｐｐ．３０−３１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記の従来技術には幾つかの課題が存在する。例えば、非特許文献４記載の方法では、電子放出源の先端を尖鋭にすることが出来ないので、ＣＮＴの細さという電子放出源に好適な利点をうまく活用できない。また特許文献１記載の方法では、イオン照射のためにＣＮＴが損傷し、その結晶性が損なわれるうえ、ディスプレイ用などの大面積基板に一様なイオン照射行うのは難しい。
【００１１】
また、基板上に配向成長させたＣＮＴを溶液に浸した後、これを乾燥させる工程を用いて作られたカーボンナノチューブ構造体に関しては、非特許文献５記載の方法で作製した場合、束ねられるＣＮＴの本数が十本程度であるため、電子放出源の間隔が１００ｎｍ以下であり、さらにこの間隔を大きくする必要があった。特許文献２記載の方法では電子放出源の間隔を確保するために触媒膜（触媒金属）のパターニングが必要であり、その分工程が煩雑になっていた。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決する手段として、本発明のカーボンナノチューブ構造体の製造方法は、先端に金属触媒を保持した複数のカーボンナノチューブを、ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって基板の上に配向成長させる工程と、前記複数のカーボンナノチューブを溶剤に浸す工程と、前記溶剤に浸した前記複数のカーボンナノチューブを乾燥させる工程とを含むことを特徴としている。
【００１３】
さらに本発明のもう一つのカーボンナノチューブ構造体の製造方法は、上記の課題を解決する手段として、先端に金属触媒を保持した複数のカーボンナノチューブを、ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって基板の上に配向成長させる工程と、前記複数のカーボンナノチューブを溶剤に浸す工程と、前記溶剤に浸した前記複数のカーボンナノチューブを乾燥させる工程と、前記乾燥された複数のカーボンナノチューブの先端に再度複数のカーボンナノチューブを成長させる工程と、前記再度成長させた複数のカーボンナノチューブを含む前記複数のカーボンナノチューブを再度溶剤に浸す工程と、前記再度溶剤に浸した前記複数のカーボンナノチューブを再度乾燥させる工程とを含むことを特徴としている。
【００１４】
また、本発明の電子放出源は、上記課題を解決するために、上記二つのいずれかの製造方法によって作製されたカーボンナノチューブ構造体を用いて構成されることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係るＣＮＴ構造体の製造方法は上記のような工程を含んでいるので、ＤＣ放電プラズマによって基板から真っ直ぐ立ち上がる非常に配向性の良いＣＮＴを成長させることが出来る。そのため、溶剤に浸して乾燥させる処理を行うと極めて尖鋭な先端を持つＣＮＴ構造体を作製することが出来る。これによって電子放出源となるＣＮＴ構造物の先端に充分に強く電界を集中させることが出来る。従ってそれだけ低い電圧で電子を放出させることが可能となる。また、本ＣＮＴの構造物を用いれば良好な性能をもつ電子放出源を作製することが出来る。
【００１６】
また、本発明に係るもう一つのＣＮＴ構造体の製造方法は、上記の工程によって先端を束ねたＣＮＴの上にさらにＣＮＴを配向成長させるので、電子放出源となるＣＮＴ構造体の先端をさらに尖鋭にし、しかもその密度を下げることが出来る。従って電子放出源としてさらに好適なＣＮＴ構造体を製造することが出来る。また、このＣＮＴ構造体を用いれば一層良好な性能をもつ電子放出源を作製することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本願発明の第一実施例に係るＣＮＴ構造体の製造方法に従って作製されたＣＮＴ構造体と比較例の電子顕微鏡写真である。
【図２】図１の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の形態のそれぞれのＣＮＴ構造体について測定された電子放出特性を示すグラフである。
【図３】本発明によるＣＮＴ構造体の製造に用いたプラズマＣＶＤ装置の概略を示す図である。
【図４】本発明によるＣＮＴ構造体の電子放出特性を測定するために作製された電子放出源の概略を示す図である。
【図５】本願発明の第二実施例に係るＣＮＴ構造体の製造方法によって製造されるＣＮＴ構造体の製造途中の形態を示す電子顕微鏡写真である。
【図６】本願発明の第二実施例に係るＣＮＴ構造体の製造方法によって製造されたＣＮＴ構造体の形態を示す電子顕微鏡写真である。
【図７】本願発明の第二実施例に係るＣＮＴ構造体の成長の様子を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明に係るＣＮＴ構造体の製造方法とこれを利用した電子放出源の作製工程、およびその特性測定について適宜図を用いながら、以下に詳細に説明する。
【実施例】
【００１９】
《第一実施例》
１．基板の準備
まず、ＣＮＴを成長させる基板（触媒金属）となる鉄板（厚さ０.２ｍｍ、１ｃｍ角）を準備しこの基板を、アセトンを入れたビーカーに入れ、超音波洗浄した。超音波洗浄を終了すると、アセトンから基板を取り出して窒素ブロワで乾燥させた。
【００２０】
２．前処理工程
この基板３０を図３に示すプラズマＣＶＤ装置の内部に設置し、真空ポンプ３１によって内部を真空にした。その後、水素を流量調整器（ＭＦＣ）３２で流量を調整しながらチャンバー内に導入し、真空ポンプ３１に繋がるバルブを操作して、チャンバー内部の圧力が１０００Ｐａから２０００Ｐａになるように調節した。その後、ＲＦ電源３３を起動し、マッチングボックス（図示せず）によってＲＦの反射を０Ｗに調整しながら、ＲＦ電源出力を３００Ｗから５００Ｗに調整した。ＲＦの周波数は１３．５６ＭＨｚである。
【００２１】
ＲＦプラズマが安定した後、ＤＣ電源３４を起動し、３００Ｖから６００ＶのＤＣバイアスを基板３０に印加し、１５分間、一定の放電電流値に調整しながら、基板を水素プラズマに曝した。
【００２２】
３．成長工程
前工程が終了後、チャンバー内に水素に加えて、原料物質となるメタンを流量２０ｃｃｍで導入し、ＣＮＴの成長工程を開始した。チャンバー内にメタンを導入するとチャンバー内の圧力、ＲＦの反射、ＤＣ電源の電圧、温度が急変するので運転諸元を適宜調整した。チャンバー内のプラズマが安定していることを確認しながら、また基板の温度を監視しながらＤＣ電源の電圧を調整した。基板温度は６７０度とした。この状態で、上記諸元を適宜調整しながらプラズマを安定に保って１５分間ＣＮＴを成長させた。
【００２３】
４．終了工程
成長工程が終わると、メタンと水素の導入を停止し、真空ポンプ３１へ繋がるバルブを全開にして、チャンバー内に残留した水素とメタンを完全に排出し、プラズマＣＶＤ装置が室温程度まで冷えるのを待った。プラズマＣＶＤ装置が充分冷えた後、チャンバーを大気開放し、基板を取り出した。なお、前工程と成長工程に用いたプラズマＣＶＤ装置は本発明の発明者のうち二名が発明したものであり、特許文献特開２００６−５７１２２に開示されたものと実質的に同一のものである。
【００２４】
鉄を基板すなわち触媒とし、本成長工程によって成長させたＣＮＴは、先端に触媒である鉄粒子を保持したまま成長し、長さが３μｍから５μｍ、密度は１０９本／ｃｍ２、ＣＮＴの平均間隔は０．３μｍであった。よって次の工程に移る前の状態ではＣＮＴの高さと距離の比（高さを距離で除した値、即ちアスペクト比）は１０から２０であった。先端に鉄粒子を保持したまま成長するのは、本発明ではＤＣ放電によるプラズマを用いているので、プラズマと基板の間のプラズマシースに生ずる強い電界で鉄粒子（触媒金属微粒子）が持ち上げられるためではないかと考えられている。先端に金属触媒を保持したＣＮＴの成長は、Ｒ.Ｓ.Ｗａｇｎｅｒ ａｎｄ Ｗ．Ｃ．Ｅｌｌｉｓ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，４（１９６４）８９に記載の理論を用いて解析しうる。
【００２５】
５．浸漬／乾燥工程
以上の工程によって基板を作製した後、以下の三通りの溶剤への浸漬と乾燥の処理を行って、三種の異なるＣＮＴ構造体を製造した。
（１）蒸留水に五分間浸漬した後、常温乾燥して出来たＣＮＴ構造物。
（２）エタノール（通常の洗浄に用いる純度９９．５％のもの）に五分間浸漬した後、常温乾燥して出来たＣＮＴ構造体。
（３）蒸留水と上記エタノールを等量混合した溶剤に五分間浸漬し、常温乾燥して出来たＣＮＴ構造体。
また、この浸漬／乾燥工程を行わない基板（即ち生のＣＮＴ構造体）も比較例として準備した。この四種類のＣＮＴ構造物の電子顕微鏡写真を図１に示す。写真内のスケールは６μｍである。
【００２６】
これら四つの異なるＣＮＴ構造体の電子顕微鏡写真を図１に示す。図中の写真について、（ａ）は浸漬／乾燥工程を行わない状態のＣＮＴ構造体、（ｂ）は上記（１）の浸漬と乾燥の処理によって出来たＣＮＴ構造体、（ｃ）は上記（２）の処理によって出来たＣＮＴ構造体、（ｄ）は上記（３）の処理によって出来たＣＮＴ構造体である。図１の写真から判るように、溶剤への浸漬と乾燥の工程を経たもののほうが、乾燥の際に分子間力によってＣＮＴの先端がくっついて束ねられてゆくため、尖った先端の密度が低くなっている。これは電子源として好適に用いることの出来る構造である。なお、溶剤としてはエタノールよりも蒸発速度の速いイソプロピルアルコールなどは、より多くのＣＮＴを束ねる効果があると予想され、溶剤としてより好適に用いることが出来ると考えられる。電子放出源として作用する尖った先端の密度は（ａ）が４．４×１０８本／ｃｍ２程度、（ｃ）が２．５×１０７本／ｃｍ２程度になっており、ほぼ望ましい程度にまで密度を低下させることが出来た。一方、（ｂ）についてはＣＮＴが横方向に繋がってウォール状に変形しており、（ｄ）は先端の曲率半径が大きいことがわかる。また（ｃ）についてアスペクト比は４．６であった。
【００２７】
６．電子放出源作製工程
本発明に係るＣＮＴ構造体の電子放出源としての特性を測定するために作製された電子放出源の断面図を図４に示す。前記５．の浸漬／乾燥工程を経たＣＮＴ構造体を電子源に加工するためには、通常知られている半導体デバイスの工程やプロセスを用いれば良い。
【００２８】
図４に示すように、前記４．の工程までの処理によってＣＮＴ構造体を成長させた基板３０上に、中央に直径１０ｍｍの孔を持つ、厚さ２００μｍの雲母板４０をスペーサー（絶縁物）として載せた。基板３０は陰極（カソード）として機能する。これとは別に、陽極（アノード）として機能する透明導電膜４１（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を堆積させたガラス４２（石英ガラス）を準備し、図４に示すように、透明導電膜４１と基板３０で雲母板４０を挟みつけた。これによって同じ構造を持つ電子放出源を、上記４．の浸漬／乾燥工程を経た四つの異なるＣＮＴ構造体、即ち（ａ）前記の浸漬／乾燥工程を行わないＣＮＴ構造体，（ｂ）蒸留水に五分間浸漬した後、常温乾燥して出来たＣＮＴ構造物、（ｃ）エタノール（通常の洗浄に用いる純度９９．５％のもの）に五分間浸漬した後、常温乾燥して出来たＣＮＴ構造体、（ｄ）蒸留水と上記エタノールを等量混合した溶剤に五分間浸漬し、常温乾燥して出来たＣＮＴ構造体のそれぞれについて作製した。
【００２９】
７．電子放出源の特性測定
これらの四つの電子放出源を、ステンレス製の真空容器内に設置し、この真空容器内をターボ分子ポンプによって１×１０−５Ｐａ程度の真空度まで排気した。この電子放出源に印加した電圧は最大で１５００Ｖであった。これら四種類の電子放出源の電子放出特性を図２に示す。図２中の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ図１中の写真のＣＮＴ構造体に対応する。
【００３０】
図２から判るように電子放出源としての電界放出の起こりやすさについて（ａ）が最も起こりにくく、（ｃ）が最も起こりやすくなっている。（ｂ）と（ｄ）は（ｃ）ほどではないが、（ａ）よりは電界放出を起こしやすくなっており、４．浸漬／乾燥工程によって先端を束ねて電子源となる尖った先端の密度を低下させた効果は明らかである。電子顕微鏡写真に見られるＣＮＴ構造体の形状と図２に見られる電子放出特性は良い対応をしめしていると言える。
【００３１】
《第二実施例》
次に第二実施例について述べる。第二実施例では、第一実施例の５．浸漬／乾燥工程で作製した四つのＣＮＴ構造体のうち、（ｃ）のエタノールに五分間浸漬した後、常温乾燥して出来たＣＮＴ構造体にさらに、第一実施例中の２．前処理工程、３．成長工程および４．終了工程を施した。ただし、２．前処理工程の水素プラズマに曝す時間は１０分間とした。第二実施例中のここまでの工程を二段階成長法と呼ぶことにする。
【００３２】
第一実施例で述べた工程によって作製したＣＮＴ構造体は先端に金属触媒を保持したまま成長しているので、２．前処理工程によって先端の金属触媒が活性化し、二段階成長法によってＣＮＴ構造体の先端にさらに、一本乃至は数本のＣＮＴを成長させることが出来た。これの電子顕微鏡写真を図５に示している。二段階成長法を経たＣＮＴ構造体は尖った先端の密度が図１の（ｃ）よりも低下していることが判る。さらに、第二実施例においては、二段階成長法の後にさらにエタノールによる浸漬／乾燥工程を実施した。この浸漬／乾燥工程は第一実施例の工程と同じである。その結果作製されたＣＮＴ構造体の電子顕微鏡写真を図６に示す。これによると尖った先端の密度はさらに低下していることが判る。なお、図６中のスケールは６μｍである。
【００３３】
第一実施例の３．成長工程を終了した段階におけるＣＮＴの成長密度は、上にも述べた通り、１０９本／ｃｍ２程度であり、平均のＣＮＴの間隔は０．３μｍ、ＣＮＴの高さと距離の比は１０から２０であったが、第一実施例の４．浸漬／乾燥工程を経た段階では、４．６であった。第二実施例におけるＣＮＴ構造体においては、二段階成長法を施した段階で、高さと距離の比は２．２、その後の浸漬／乾燥工程を経たものは２であった。これは第一実施例よりもＣＮＴ構造体の先端の密度が低下していることを意味する。これは電子放出源として好適に用いることの出来る形状のＣＮＴ構造体であり、これを用いた電子放出源はより低い電圧で電子を放出することが出来る。また、基板（鉄）のパターニング等の工程を行わなくとも、充分に先端の密度を下げることが出来る。
【００３４】
第二実施例に従う工程によって作製した、ＣＮＴ構造体の成長の様子を示す模式的に示したのが図７である。第二実施例の工程によって、基板３０（鉄）の上に成長したＣＮＴ構造体の先端に保持された金属触媒（鉄）から、ＣＮＴが再成長している。ここで第二実施例において、何本のＣＮＴを束ねることが出来るかについて考えてみる。成長密度が１０９本／ｃｍ２のＣＮＴは、それらの間隔が０．３μｍである。これらが１００本束ねられた場合、ＣＮＴの平均距離が十分の一となるので、ＣＮＴ構造体の高さと距離の比は２以下になるはずである。この値を第二実施例で作製したＣＮＴ構造体と比較すると、１００本程度あるいはそれ以上の本数のＣＮＴを束ねることが出来たということが判る。
【００３５】
なお、本発明の主旨から逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、本発明に係る電子源にさらに加工を行う場合にこれを容易にしたり、その強度を増すために、本発明の工程で作製した電子源の間を絶縁性の材料で満たし、その後、電子源の先端を切り落とすなどの加工を行ったものも本願発明の範囲に入ることになる。本発明はＣＮＴから電子源として用いることのできる構造体を製造する方法として優れており、当該分野の発展に資するところ大である。
【符号の説明】
【００３６】
３０．基板
３１．真空ポンプ
３２．流量調節器
３３．ＲＦ電源
３４．ＤＣ電源
４０．雲母板
４１．透明導電膜
４２．ガラス
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーボンナノチューブ構造体の製造方法であって、
先端に金属触媒を保持した複数のカーボンナノチューブを、ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって基板の上に配向成長させる工程と、
前記複数のカーボンナノチューブを溶剤に浸す工程と、
前記溶剤に浸した前記複数のカーボンナノチューブを乾燥させる工程とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ構造体の製造方法。
【請求項２】
カーボンナノチューブ構造体の製造方法であって、
先端に金属触媒を保持した複数のカーボンナノチューブを、ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって基板の上に配向成長させる工程と、
配向成長させた複数のカーボンナノチューブを溶剤に浸す工程と、
前記溶剤に浸した前記複数のカーボンナノチューブを乾燥させる工程と、
前記乾燥した複数のカーボンナノチューブの先端に再度複数のカーボンナノチューブを成長させる工程と、
前記再度成長させた複数のカーボンナノチューブを含む前記複数のカーボンナノチューブを再度溶剤に浸す工程と、
前記再度溶剤に浸した前記複数のカーボンナノチューブを再度乾燥させる工程とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ構造体の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２の製造方法によって作製されたカーボンナノチューブ構造体を用いた電子放出源。
【請求項１】
カーボンナノチューブ構造体の製造方法であって、
先端に金属触媒を保持した複数のカーボンナノチューブを、ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって基板の上に配向成長させる工程と、
前記複数のカーボンナノチューブを溶剤に浸す工程と、
前記溶剤に浸した前記複数のカーボンナノチューブを乾燥させる工程とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ構造体の製造方法。
【請求項２】
カーボンナノチューブ構造体の製造方法であって、
先端に金属触媒を保持した複数のカーボンナノチューブを、ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって基板の上に配向成長させる工程と、
配向成長させた複数のカーボンナノチューブを溶剤に浸す工程と、
前記溶剤に浸した前記複数のカーボンナノチューブを乾燥させる工程と、
前記乾燥した複数のカーボンナノチューブの先端に再度複数のカーボンナノチューブを成長させる工程と、
前記再度成長させた複数のカーボンナノチューブを含む前記複数のカーボンナノチューブを再度溶剤に浸す工程と、
前記再度溶剤に浸した前記複数のカーボンナノチューブを再度乾燥させる工程とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ構造体の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２の製造方法によって作製されたカーボンナノチューブ構造体を用いた電子放出源。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−１７８６０５（Ｐ２０１１−１７８６０５Ａ）
【公開日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−４４８２４（Ｐ２０１０−４４８２４）
【出願日】平成２２年３月２日（２０１０．３．２）
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第１項適用申請有り （１）社団法人 応用物理学会 第７０回応用物理学会学術講演会講演予稿集 Ｎｏ．０，Ｎｏ．１ 平成２１年９月８日 （２）京都工芸繊維大学創造連携センター 地域共同研究センター平成２０年度年報インキュベーションだより Ｎｏ．４ 平成２１年１１月１６日
【出願人】（０００００３９４２）日新電機株式会社 (328)
【出願人】（５０４２５５６８５）国立大学法人京都工芸繊維大学 (203)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月２日（２０１０．３．２）
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第１項適用申請有り （１）社団法人 応用物理学会 第７０回応用物理学会学術講演会講演予稿集 Ｎｏ．０，Ｎｏ．１ 平成２１年９月８日 （２）京都工芸繊維大学創造連携センター 地域共同研究センター平成２０年度年報インキュベーションだより Ｎｏ．４ 平成２１年１１月１６日
【出願人】（０００００３９４２）日新電機株式会社 (328)
【出願人】（５０４２５５６８５）国立大学法人京都工芸繊維大学 (203)
【Ｆターム（参考）】
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