【課題】基板表面に対して略垂直に近い状態で高密度に配向したカーボンナノチューブに対し、極力ダメージを与えることなくエッチングして、長さが均一に揃ったカーボンナノチューブに加工する方法及び装置の提供。
【解決手段】カーボンナノチューブが形成されたウエハＷをエッチング装置１００の処理容器１内のステージ３上に載置する。シャワーリング５７から処理容器１内にプラズマ生成ガスを導入するとともに、マイクロ波発生部３５で発生したマイクロ波を、平面アンテナ３３に導き、透過板３９を介して処理容器１内に導入する。プラズマが着火したタイミングで酸化性ガス（例えばＯ_２ガス）又は還元性ガス（例えばＨ_２ガスやＮＨ_３ガス）を処理容器１内に導入し、プラズマ化する。このように形成される低電子温度のプラズマを、ウエハＷ上のカーボンナノチューブに作用させることにより、その先端側から基端部側へ向けて長尺方向にエッチングが進行する。 （もっと読む）

【課題】電子放出材料の電極基板からの剥離を防止し、かつ電子放出源マトリックスの硬化度を最適化して活性化処理時に起毛しやすく、電子放出特性の良好な電子放出源用ペーストおよびそれを用いた電子放出素子を提供すること。
【解決手段】電子放出材料、シリコーン、および一般式（１）で表されるシラン化合物を含む電子放出源用ペースト。 （もっと読む）

【課題】電子放出源の位置を正確に規定し、画素間の漏洩の無い電界放出ディスプレイを提供する。
【解決手段】基板１００の上に形成されたカソード電極１１０と触媒層１３０の上に感光性レジスト層１４０をコートし、パターン形成後に焼結させて所定位置にホールを形成し、ホール内にプラズマＣＶＤでカーボンナノチューブ１５０を成長させる。更に感光性レジスト１６０を用いて直接電極上に画素単位に区画するスペーサ１６２を形成し、画素間の漏洩を防止する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ電子放出特性を均一化できる電子放出素子を得ること。
【解決手段】真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子において、前記電子放出源の表面を活性化処理する工程と、前記活性化処理の後に前記電子放出源を４００〜５００℃の温度範囲で焼成する工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ電子放出特性を均一化できる電子放出素子を得ること。
【解決手段】真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子において、ＵＶオゾン法による電子放出源の表面処理工程を備える電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】活性化前後における駆動電圧変化がほぼ無く、かつ電子放出特性を均一化できる電子放出素子を得ること。
【解決手段】真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、および前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子において、前記電子放出源に対して実駆動時の電流値よりも高い電流を流す工程と、実駆動時の電流値と同等の電流を流す工程とを備える電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造で低コストであり、高効率かつ輝度ムラを低減できる発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明の発光装置１０は、アノード電極１２が基板面に配置されたアノード基板１１と、カソード電極１５が基板面に配置されたカソード基板１６と、複数の開口部１８が形成されたグリッド電極１７とを有し、前記両基板は、前記基板面が互いに対面して配置され、前記両基板の間に、前記両基板に対向して略平行に、グリッド電極１７が配置され、アノード基板１１とアノード電極１２との間、および、アノード電極１２上の少なくとも一方に、蛍光体層１３が配置され、カソード電極１５上にエミッタ１４が配置され、エミッタ１４から電界放出された電子が、グリッド電極１７の開口部１８を通過することにより、前記電子の軌道が広げられることで、蛍光体層１３の発光時の輝点が拡大され、輝度ムラが低減されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】触媒層の膜厚をナノサイズのオーダーで基板全面に均質に形成することが可能であり、均質且つ形状の揃った高配向カーボンナノチューブを低コストで大量に合成することが可能な高配向カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】触媒金属を溶媒に溶解させて触媒溶液を調整する工程と、触媒溶液をインクジェット法によって基板に塗布する工程と、基板を熱処理して溶媒を除去する工程と、を備えることを特徴とする高配向カーボンナノチューブの製造方法を選択する。 （もっと読む）

【課題】発光が均一化された電界放出型発光装置を提供する。
【解決手段】カソード基板３の、アノード基板４と対向する面側に、カソード電極１Ａおよび電子放出材料層１Ｂが配置され、カソード電極１Ａ周縁の少なくとも一部が、電子放出材料層１Ｂにより被覆され、アノード基板４の、カソード基板３と対向する面側に、アノード電極２Ａおよび蛍光体層２Ｂが配置され、蛍光体層２Ｂは、アノード電極２Ａのカソード電極１Ａ側表面におけるアノード基板面に垂直な方向から見てアノード電極２Ａ周縁の内側、および、アノード電極２Ａとアノード基板４との間の少なくとも一方に配置され、前記アノード基板面に垂直な方向から見て、電子放出材料層１Ｂおよびそれにより被覆されたカソード電極１Ａ周縁が、蛍光体層２Ｂの内側に配置され、カソード基板３およびアノード基板４上に、ゲート電極を有しない電界放出型発光装置。 （もっと読む）

【課題】カソードから効率的に電子放出することができ、かつ、耐久性の高い電界放出素子を得る。
【解決手段】基板６に繊維状の電子放出材料７を固定してカソードを得た後（（ａ））、電子放出材料７を覆う接着層９を基板６上に形成し（（ｂ））、基板６から接着層９を剥離して電子放出材料７を起毛する（（ｃ））。（ｂ）の工程において、０．１ＭＰａ以上に加圧しながら電子放出材料７に接着材料を接着させて、基板６に対して１８０度の剥離角度で剥離した時の剥離強さが０．６ｇ／ｍｍ以上の接着層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出陰極素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、第一カーボンナノチューブ構造体と、第二カーボンナノチューブ構造体と、を含む。前記第一カーボンナノチューブ構造体は、複数の第一カーボンナノチューブが面上に配列される。前記第二カーボンナノチューブ構造体は、複数の各行に配列された複数の第二カーボンナノチューブからなるとともに、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に形成される。前記複数の第二カーボンナノチューブは、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に垂直に設けられる。前記第二カーボンナノチューブ構造体の、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面から離れる端部は、電子放出の先端として利用される。前記複数の第二カーボンナノチューブの高さは、中間行が最も高く、前記中間行から離れる方向に沿って次第に減少している。 （もっと読む）

【課題】大型の極薄型ディスプレイ装置や照明装置に使用して好適な、簡易かつ実用的な電子放出素子の製造方法、およびそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】隔壁１４によって隔てられた窪み部１２を有し、前記窪み部１２にはカソード電極１６と電子放出源１８が設けられ、前記隔壁１４上にはゲート電極２０が設けられた構造体を備える電子放出素子の製造方法であって、前記隔壁１４上へゲート電極２０を陽極接合する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子エミッタに関し、特に、カーボンナノチューブを利用した電子エミッタ、その製造方法及び該電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管に関するものである。
【解決手段】本発明の電子エミッタは、チューブ状構造体を有する。チューブ状構造体を有する電子エミッタにおいて、前記電子エミッタは、中空の線状の軸心を有し、前記電子エミッタは、前記線状の軸心を囲む複数のカーボンナノチューブからなり、前記電子エミッタの一つの端部に、複数の電子放出の先端が形成されている。また、本発明は、前記電子エミッタの製造方法及び前記電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管も提供する。 （もっと読む）

【課題】低電圧で電子放出可能で、さらに長寿命の電子放出が得られる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ等の電子放出材料、無機粉末および有機成分を含む電子放出源用ペーストであって、無機粉末として鉛を含有しないハンダ粉末を含む電子放出源用ペースト。無機粉末として、さらに導電性金属酸化物やガラス粉末を含む。 （もっと読む）

【課題】耐久性および耐燃焼性に優れ、低コストで製造でき、かつ、カーボンナノチューブ分子の分散性に優れたカーボンナノチューブ複合体を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ分子集合体と、球状グラファイト分子集合体とを含み、
前記カーボンナノチューブ分子は、チューブ状のグラファイト層から形成され、
前記球状グラファイト分子は、球殻状のグラファイト層から形成され、
前記球状グラファイト分子集合体は、前記球殻状のグラファイト層内に炭化ホウ素を内包している炭化ホウ素内包球状グラファイト分子の集合体と、炭化ホウ素を内包していない炭化ホウ素非内包球状グラファイト分子の集合体とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ複合体。 （もっと読む）

【課題】容易に微細パターンを形成することができるパターン状電子源の製造方法、パターン状電子源を提供する。
【解決手段】表面が導電性を有する第１の基板２上に第１のパターン５を形成し、当該第１のパターン５に沿って１または２以上の第１のエミッタ１０を設けて第１のフィールドエミッション部１を形成するステップと、前記第１のエミッタ１０から電子線を照射して表面が導電性を有する第２の基板１６上に第２のパターン１８を形成し、当該第２のパターン１８に沿って１または２以上の第２のエミッタを設けて第２のフィールドエミッション部１５を形成するステップとを備え、前記第２のフィールドエミッション部１５を複数形成してパターン状電子源２５を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出装置は、絶縁基板と、電子引き出し電極と、二次電子放出層と、陰極板と、電界放出ユニットと、を含む。前記電子引き出し電極及び二次電子放出層は、前記絶縁基板の一つの表面に順次的に配置される。前記陰極板は、一つの第一絶縁隔離層によって前記電子引き出し電極と間隔をおいて絶縁的に配置される。前記陰極板の少なくとも一部が前記二次電子放出層と対向する。前記陰極板は、少なくとも一つの電子放出部を含む。前記電界放出ユニットは、前記陰極板の前記二次電子放出層と対向する一部表面に配置される。 （もっと読む）

【課題】 電子放出に要する駆動電圧を低くできる電子放出源用ペーストとそれを用いた電子放出源の製造方法と電子放出源を提供する。
【解決手段】 上記課題は、束の直径が５０ｎｍ以上かつ束の長さが３μｍ以上のカーボンナノチューブ束状集合体を含有することを特徴とする電子放出源用ペーストと、それを用いた電子放出源の製造方法と電子放出源によって解決される。 （もっと読む）

【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子、その製造方法、電子放出素子を用いた面発光素子を提供する。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基板上に形成された複数の突起部よりなる３次元構造パターンを具備し、突起部の高さと隣接する突起部同士との間隙との比を１：２以上１：６以下とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面においてナノ炭素材料をパターニングして成長させることの出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数の微粒子を基板表面に配列し、該微粒子間の空隙からナノ炭素材料を成長させる。複数の微粒子を基板表面に配置したとき、微粒子は粒径に従って自己整合的に配列されることから、該微粒子間の空隙から成長したナノ炭素材料は、基板表面においてパターニングされて成長することになる。 （もっと読む）