【課題】エミッション開始電界が低く、しかも十分なエミッション電流を得ることができる冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用い、当該活性化処理が金属酸化物の中に新たにエミッションに寄与する部位を形成し、且つエミッションに寄与しない部位又は悪影響を及ぼす部位を取り除く処理であることを特徴とする冷陰極電子源である。 （もっと読む）

【課題】面発光型蛍光発光装置では、十分な電子放出効率が得られない状況にあった。
【解決手段】金属材料によって形成された電極より仕事関数の小さな材料によって電子放出層を有する陰極電極が得られる。電子放出層と電極との間に、電子放出層よりも抵抗率の小さい薄膜を介在させることにより、電子放出効率を更に改善できる。 （もっと読む）

【課題】低電圧で電子放出可能で、さらに長寿命の電子放出が得られる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ等の電子放出材料、無機粉末および有機成分を含む電子放出源用ペーストであって、無機粉末として鉛を含有しないハンダ粉末を含む電子放出源用ペースト。無機粉末として、さらに導電性金属酸化物やガラス粉末を含む。 （もっと読む）

【課題】 電子放出性能を向上可能な突起構造体を提供する。
【解決手段】 突起構造体１は、基体部２と突起部３とからなる。突起部３は、基体部２上に設けられている。基体部２及び突起部３はダイヤモンド結晶を含む。突起部３の先端３２から基体部２と突起部３との境界面Ｓまでの距離ｈ３は、１０μｍ以上１０００μｍ以下である。突起部３は、境界面Ｓから先端３２に向けて先細る形状を有している。突起部３の側面３１は、突起部３の内側に湾曲している。突起部３の先端径は、１０ｎｍ以上３０μｍである。 （もっと読む）

【課題】
本発明は当技術分野で認識された上記技術的課題に鑑みてなされたものであり、（１）引出し電圧を大きくしなくても１．０ｍＡ／ｓｒ以上の高角電流密度動作ができることに加えて、（２）真空劣化を引き起こす余剰な電流を少なくする、という技術的要求をバランスよく実現することができる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明によれば、タングステンの単結晶からなる陰極と、陰極の中腹部に設けられた拡散源とを有する電子源であって、前記陰極先端に形成された（１００）面と（１１０）面との境界近傍から放出される電子が、前記陰極の軸と略平行に放出されるよう、前記陰極の軸方向と前期陰極の＜１００＞方位とのなす角度が調整されてなる電子源によって達成できた。 （もっと読む）

【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子、その製造方法、電子放出素子を用いた面発光素子を提供する。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基板上に形成された複数の突起部よりなる３次元構造パターンを具備し、突起部の高さと隣接する突起部同士との間隙との比を１：２以上１：６以下とする。 （もっと読む）

【課題】 電子放出に要する駆動電圧を低くできる電子放出源用ペーストとそれを用いた電子放出源の製造方法と電子放出源を提供する。
【解決手段】 上記課題は、束の直径が５０ｎｍ以上かつ束の長さが３μｍ以上のカーボンナノチューブ束状集合体を含有することを特徴とする電子放出源用ペーストと、それを用いた電子放出源の製造方法と電子放出源によって解決される。 （もっと読む）

【課題】電子放出効率が高く、電子放出に要する駆動電圧を低く、電子放出の面分布が均一となる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】酸処理されたカーボンナノチューブと、ガラスフリットと、バインダー樹脂と、ペースト用溶媒とを含むことを特徴とする電子放出源用ペースト。その配合比は、カーボンナノチューブが１〜５重量％、バインダー樹脂が１０〜３０重量％、ガラスフリット（ベヒクル）が１〜１０重量％、そしてペースト用溶媒は４０〜８０重量％程度とする。 （もっと読む）

【課題】 高エミッション効率で低電圧駆動可能な電界放出型冷陰極を提供する。
【解決手段】 ガラス製の基板5上に形成された導電層4上に、絶縁層2およびゲート層1を堆積する。その後、前記ゲート層1の開口径を前記絶縁層2開口径よりも大きくなるようにエッチングする。開口部以外をマスク材7にて被覆し、噴霧等の手法によってカーボンナノチューブを堆積して、エミッタ層３を、絶縁層２の開口側面をも被覆するように、かつ、エミッタ層の任意の点から最も近接したゲート層開口端が絶縁層２によって遮蔽されるように、形成する。このとき、絶縁層２の開口側面の上部がエミッタ層（カーボンナノチューブ層）によって被覆されないようにする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いた電子源を製造する場合、ＣＮＴを成長させたままの状態では、電子源として作動するＣＮＴの先端の密度が高すぎて良好な電子源特性が得られない。先端の密度を下げるためにＣＮＴを成長させた基板を溶液に浸して乾燥させる技術は既知であるが、さらにこの密度を低下させる方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって、先端に金属触媒を保持したＣＮＴを基盤上に成長させ、その後、溶剤に浸して乾燥させ、ＣＮＴ構造体を作製する。さらに、その後、このＣＮＴ構造体の先端に、同様なプラズマＣＶＤ法を施して再度ＣＮＴを成長させ、再度、溶剤に浸して乾燥させてＣＮＴ構造体を製造する。 （もっと読む）

【課題】低閾値電圧で電子放出し、基板上に高密度、且つ均一に分布し、長寿命なＣＮＴ集合体を備えた電子デバイスを提供する
【解決手段】本発明によると、基板と、基板に設けられた金属部材を介して延出し、無配向に、かつ弧状形状を有する複数のＣＮＴを備え、閾値値電圧が２．０Ｖ／μｍ以下であるＣＮＴ集合体と、を備える電子デバイスが提供される。ＣＮＴ集合体は、基板上にＣＮＴ密集層を備え、ＣＮＴ密集層の上部に弧状形状を有する複数のＣＮＴを備える。本発明の電子デバイスによると、弧状形状を有するＣＮＴから電子が放出される。 （もっと読む）

【課題】適度な電圧の印加により十分な電子放出量が得られる電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、絶縁体微粒子で構成された絶縁体微粒子層と、前記絶縁体微粒子層上に形成された第２電極と、を備え、前記絶縁体微粒子層は、第２電極側の表面に前記絶縁体微粒子層の層厚よりも深さが小さい凹部が形成され、第１電極と第２電極との間に電圧が印加されると、第１電極から供給される電子を前記絶縁体微粒子層で加速させて第２電極から放出させる電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】電子放出可能電圧を低電圧化し、消費電力の低減と長時間動作の安定化と可能にする電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出素子１では、電極基板２と薄膜電極３との間に設けられた電子加速層４が、導電微粒子８と、導電微粒子８の平均径よりも大きい平均径の絶縁体微粒子７と、結晶性電子輸送剤９とを含み、結晶性電子輸送剤９は、結晶化している。よって、電子放出素子１における電流路の形成が容易になり、従来の電子放出素子に比べて低電圧での電子放出が可能となる。 （もっと読む）

【課題】二層カーボンナノチューブを主体に構成された炭素質材料、特には膜状に形成された二層カーボンナノチューブに富む炭素質材料の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によって提供される二層カーボンナノチューブを主体に構成された炭素質材料の製造方法は、減圧可能な容器内に配置された一対の電極間にアーク放電を発生させて該電極の少なくとも一方からカーボンを蒸発させて行う製造方法であって、該アーク放電の発生領域に近接する外側領域であって９００Ｋを下回らない温度領域内において前記一対の電極の少なくとも一方からの蒸発物を回収することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成でアノードへの電子の到達効率の高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に積層された絶縁部材３とゲート５を備え、絶縁部材３の側面にカソード６を配置し、カソード６は絶縁部材３の角部３２に沿って設けられた複数の突出部１６を有し、ゲート５がカソード側に向かって伸びる複数の突出部１５を有する。 （もっと読む）

【課題】長時間に渡り安定して動作する電子源を提供する。
【解決手段】電子源のエミッタ１１は、先端に｛１００｝結晶面１６ａを電子放出面１６ａとして備える先端部１６を備える＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａを備える。電子放出面１６ａは、仕事関数を低減させるためのＺｒＯ膜で被覆されている。＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａには、補助棒１１ｂ、１１ｃが取り付けられている。＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａと補助棒１１ｂ、１１ｃには、ＺｒとＯを拡散・供給するための拡散源１２が配置されている。補助棒１１ｂ、１１ｃは、＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａの外表面以外に、ＺｒとＯを電子放出面１６ａに拡散供給するための通路を形成する。 （もっと読む）

【課題】キャリアの引き出し効率を向上させることが可能なキャリア放出素子を提供する。
【解決手段】針状の放出部１０の先端部に、電子供給層としてのｐ型半導体層１３Ｐと、電子放出層としての金属層１５とを含む多層膜からなる積層構造を設ける。また、この多層膜内における全ての層間の界面（ｐ型半導体層１３Ｐと絶縁層１４との界面および絶縁層１４と金属層１５との界面）が、放出部１０の伸長方向（Ｚ軸方向）と略垂直となっているようにする。放出部１０における積層構造内の各等電位面Ｓｖも、この放出部１０の伸長方向と略垂直になる。放出部１０から外部へ電子が放出される際に、電子の移動方向が先端部側に向けて揃うことになり、先端部へ向けてキャリア（電子）が集中し易くなる。なお、積層構造としては、ＭＯＳ構造、ショットキー接合構造もしくはヘテロ構造またはこれらの組み合わせを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】電界を集中させやすく電界放出が起こりやすい電界放出素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】カソード基板上に電子放出源を構成する層を形成する電界放出素子の製造方法において、カソード基板上に第１の層を形成し、第１の層体上にストライプ状の第２の層を、間隔をあけて複数並列させて形成し、第１の層上及び第２の層上に、ストライプ状の第３の層を第２の層と略直交方向に、間隔をあけて複数並列させて形成する。これにより、電子放出源の表面に凹凸を形成する。 （もっと読む）

【課題】より低電圧で電子放出が可能であり、駆動コストの低減と長寿命化を図ることができる電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の電子放出素子は、ゲート電極のカソード電極と対向する面側に絶縁体を形成し、絶縁体の厚さが、カソード電極とゲート電極間の距離よりも小さいことを特徴とする。これにより、カソード電極とゲート電極との間において、誘電率に偏りが生じることになり、カソード電極上の電子放出源の表面に電界を好適に集中させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】閾値電界が従来よりも低減され、より優れた電界電子放出特性を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カソード電極上にＢＣＮ薄膜１０，１５が形成される電子デバイスであって、ＢＣＮ薄膜の組成を膜内で変化させることにより、ＢＣＮ薄膜とカソード電極の界面でのポテンシャル障壁高さが低くされると共に、膜表面での電子親和力が小さくされる。ＢＣＮ薄膜中のＣの組成比が、表面側に比べてカソード電極側で大きいか、ＢＣＮ薄膜中のＮの組成比が、カソード電極側表面側に比べて表面側で大きい。この電子デバイスの製造方法であって、基板上に、化学気相合成法により、炭化水素および窒素を含むガスを用いてＢＣＮを薄膜状に堆積させる際、堆積の初期から終期に至る間で、原料ガス中の炭化水素の組成比や流量を減少させてＣの組成比を調整するか、原料ガス中の窒素の組成比や流量を増加させてＮの組成比を調整する。 （もっと読む）