【課題】本発明は、電界放出陰極素子及びそれを利用した電界放出表示装置に関する。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、絶縁基板と、第一電極と、第二電極と、少なくとも一つの陰極エミッタと、二次電子放出エミッタと、を含む。前記第一電極及び前記第二電極は、相互に間隔をあけて設置され、前記絶縁基板の一つの表面に設置される。前記陰極エミッタは、前記第一電極に電気的に接続される。前記二次電子放出エミッタは、電子放出面を有する。前記二次電子放出エミッタは、前記陰極エミッタに対向して、該陰極エミッタと間隔をあけて設置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出陰極素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、第一カーボンナノチューブ構造体と、第二カーボンナノチューブ構造体と、を含む。前記第一カーボンナノチューブ構造体は、複数の第一カーボンナノチューブが面上に配列される。前記第二カーボンナノチューブ構造体は、複数の各行に配列された複数の第二カーボンナノチューブからなるとともに、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に形成される。前記複数の第二カーボンナノチューブは、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に垂直に設けられる。前記第二カーボンナノチューブ構造体の、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面から離れる端部は、電子放出の先端として利用される。前記複数の第二カーボンナノチューブの高さは、中間行が最も高く、前記中間行から離れる方向に沿って次第に減少している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出表示装置に関し、特に、カーボンナノチューブを利用した電子エミッタ及び、それを利用した電界放出表示装置に関するものである。
【解決手段】本発明の電界放出表示装置は、絶縁基板と、複数の行電極と、複数の陰極エミッタと、隔離層と、複数の列電極と、陽極素子と、を含む。前記複数の陰極エミッタは、少なくとも一つの電子エミッタを含み、該電子エミッタは、チューブ状構造体であり、その一端が前記行電極に電気的に接続され、その他端が前記陽極電極の方向へ延伸する。前記電子エミッタは、中空であって線状の軸心を有し、前記電子エミッタは、前記線状の軸心を囲む複数のカーボンナノチューブからなり、前記電子エミッタの一つの端部に、複数の電子放出の先端が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子エミッタに関し、特に、カーボンナノチューブを利用した電子エミッタ、その製造方法及び該電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管に関するものである。
【解決手段】本発明の電子エミッタは、チューブ状構造体を有する。チューブ状構造体を有する電子エミッタにおいて、前記電子エミッタは、中空の線状の軸心を有し、前記電子エミッタは、前記線状の軸心を囲む複数のカーボンナノチューブからなり、前記電子エミッタの一つの端部に、複数の電子放出の先端が形成されている。また、本発明は、前記電子エミッタの製造方法及び前記電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管も提供する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出に要する駆動電圧を低くできる電子放出源用ペーストとそれを用いた電子放出源の製造方法と電子放出源を提供する。
【解決手段】 上記課題は、束の直径が５０ｎｍ以上かつ束の長さが３μｍ以上のカーボンナノチューブ束状集合体を含有することを特徴とする電子放出源用ペーストと、それを用いた電子放出源の製造方法と電子放出源によって解決される。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いた電子源を製造する場合、ＣＮＴを成長させたままの状態では、電子源として作動するＣＮＴの先端の密度が高すぎて良好な電子源特性が得られない。先端の密度を下げるためにＣＮＴを成長させた基板を溶液に浸して乾燥させる技術は既知であるが、さらにこの密度を低下させる方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって、先端に金属触媒を保持したＣＮＴを基盤上に成長させ、その後、溶剤に浸して乾燥させ、ＣＮＴ構造体を作製する。さらに、その後、このＣＮＴ構造体の先端に、同様なプラズマＣＶＤ法を施して再度ＣＮＴを成長させ、再度、溶剤に浸して乾燥させてＣＮＴ構造体を製造する。 （もっと読む）

【課題】低閾値電圧で電子放出し、基板上に高密度、且つ均一に分布し、長寿命なＣＮＴ集合体を備えた電子デバイスを提供する
【解決手段】本発明によると、基板と、基板に設けられた金属部材を介して延出し、無配向に、かつ弧状形状を有する複数のＣＮＴを備え、閾値値電圧が２．０Ｖ／μｍ以下であるＣＮＴ集合体と、を備える電子デバイスが提供される。ＣＮＴ集合体は、基板上にＣＮＴ密集層を備え、ＣＮＴ密集層の上部に弧状形状を有する複数のＣＮＴを備える。本発明の電子デバイスによると、弧状形状を有するＣＮＴから電子が放出される。 （もっと読む）

【課題】 高精細に配列されるとともに、静電容量を低減しえる電子放出素子、それを用いた電子線装置及び画像表示装置の提供。
【解決手段】 基板の表面に設けられ、基板の表面に対して起立する側面と上面とを有する絶縁部材と、絶縁部材の上面に設けられたゲートと、ゲートと対向して絶縁部材の側面に設けられたカソードとを有し、絶縁部材のカソードが設けられた側面には、側面のカソードのゲートに対向する部分が位置する箇所と基板の表面から起立する箇所とを結ぶ直線より突出する部分を有する電子放出素子及びこれを用いた電子線装置、画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】二層カーボンナノチューブを主体に構成された炭素質材料、特には膜状に形成された二層カーボンナノチューブに富む炭素質材料の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によって提供される二層カーボンナノチューブを主体に構成された炭素質材料の製造方法は、減圧可能な容器内に配置された一対の電極間にアーク放電を発生させて該電極の少なくとも一方からカーボンを蒸発させて行う製造方法であって、該アーク放電の発生領域に近接する外側領域であって９００Ｋを下回らない温度領域内において前記一対の電極の少なくとも一方からの蒸発物を回収することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高価な大型（ｍｍ以上クラス）の単結晶ダイヤモンドを利用することなく、ダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】基台部と、その先端に位置する電子放出部とを有し、該電子放出部が、最大径が１０μｍ以上で、（１１１）面と（１００）面とを有するダイヤモンド砥粒であって、該砥粒の電子放出面に高さが５μｍ以上のダイヤモンドの突起が形成されているダイヤモンド砥粒でからなることを特徴とするダイヤモンド電子源。また、前記ダイヤモンド砥粒において、少なくとも砥粒の一部にＣＶＤ法でダイヤモンドが合成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】積層型の電子放出素子を備えた電子線装置において、ゲートの変形を防止して、電子放出特性の変動を低減し、素子の破壊を防止する。
【解決手段】ゲート５の膜厚ｈと、絶縁部材３の外表面から凹部７の内側面までの距離Ｌとの関係を適切に保つことにより、電子放出素子を動作させたときに生じるクーロン力によるゲート５の変形を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 短尺かつ高密度のカーボンナノチューブを形成したカソード電極パターンの配置設計により、カソード電極パターンへの電界集中効果を効率的に発現させ、電流集中による劣化を生じず、耐振動性等の機械的強度に優れた、高効率で信頼性が高い電子放出素子を提供すること。
【解決手段】 絶縁性基板上にカソード電極と、該カソード電極上に形成されたカーボンナノチューブからなる電子放出層を有する電子放出素子であって、カソード電極、電子放出層を貫通するように基板に垂直方向に延設した複数の貫通孔を有し、貫通孔が、カソード電極上への電界集中効果を促進させる配置で設けられていることを特徴とする電子放出素子とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造できるナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に３次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。触媒を担持後に基板に３次元構造パターンを形成することから、凸部の上面にのみ選択的に触媒を残存させることが出来、凸部の上面にのみ選択的にナノ炭素材料を形成することが出来る。よって、好適に、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造出来る。 （もっと読む）

【課題】電子を放出するエミッションサイトの数を増やすことで発光効率を向上させたエミッタの製造方法、エミッタ、電界放出発光素子の製造方法、電界放出発光素子及び照明装置を提供する。
【解決手段】本発明のエミッタ製造方法は、金属物質をカーボンナノチューブに内包させる内包ステップと、基板に塗布されたカーボンナノチューブを大気雰囲気、窒素雰囲気及び一酸化炭素雰囲気の何れかで焼成し、カーボンナノチューブとカーボンナノチューブに内包される金属物質との接面を酸化反応させ、カーボンナノチューブを切断する切断ステップと、を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、レーザ又はプラズマで処理されたカーボンナノチューブマットを備えるフィールドエミッションデバイスを提供することである。
【解決手段】本発明は、フィールドエミッションデバイスであって、前記デバイスはカソードとアノードを備える。カソードは、懸濁液から複数のナノチューブをろ過することによって形成されるフィルタケーキから得られるカーボンナノチューブマットを備える。マットは、上面及び反対側の下面を備えることができる。下面は、マットが形成される間にフィルタに隣接して配設されるフィルタケーキ表面に対応する。上面は、カソードのエミッション面として働くことができる。 （もっと読む）

反応炉の上流部に位置させたハロゲン化コバルトを含む第１先駆物質、反応炉の下流部に位置させたゲルマニウムを含む第２先駆物質、反応炉の下流部に位置させた基板を不活性ガス雰囲気で熱処理して、基板上にｘが０．０１以上０．９９未満の値を有する単結晶体のＣｏ_ｘＧｅ_１−ｘナノワイヤが形成される。また、基板としてグラフェンまたは高配向熱分解性黒鉛基板を用い、基板上に対して垂直配向性を有し、均一なサイズの高密度ゲルマニウムコバルトナノワイヤ構造体を提供することにより、ゲルマニウムコバルトナノワイヤを電界放出エミッタとして、ゲルマニウムコバルトナノワイヤが形成された基板を電界放出ディスプレイの陰極パネルの透明電極として使用できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁部材９に形成された凹部７を挟んでゲート５とカソード６ａが設けられ、電子がゲート５に衝突、散乱した後に取り出される電子放出素子を用いた電子線装置において、安定した電子放出特性が得やすく、しかも過剰な発熱を生じた場合にも、過熱による素子劣化や素子破壊を防止できるようにする。
【解決手段】絶縁部材９の外表面と、絶縁部材９に形成された凹部７の内表面とに跨って位置する突起３０を有するカソード６ａとすると共に、ゲート５を、少なくとも２つの導電層５ａ，５ｂの積層体で構成し、突起３０と対向する部分に位置する導電層５ｂの熱膨張率を他の導電層５ａの熱膨張率よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】より低電圧で電子放出が可能であり、駆動コストの低減と長寿命化を図ることができるフィールドエミッションランプを提供する。
【解決手段】カソード電極と、ゲート電極と、アノード電極とが真空容器中に配置されたフィールドエミッションランプにおいて、前記カソード電極は、突起部または溝部が形成された基板と、前記基板の突起部または溝部の表面に形成されたナノ炭素材料とを含むナノ炭素材料複合基板で形成されていることを特徴とするフィールドエミッションランプ。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性の不安定性を改善するとともに、より高効率な電子放出特性を有する新規な電子線装置の提供。
【解決手段】 表面に凹部を有する絶縁部材と、前記絶縁部材の、外表面と前記凹部の内表面とに跨って位置する突起部分を有するカソードと、前記絶縁部材の外表面に、前記突起部分と対向して位置するゲートと、前記ゲートを介して前記突起部分と対向して位置するアノードとを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電子放出効率が高く、安定して動作する電子放出素子を備えた電子線装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、絶縁部材３、ゲート５を形成し、絶縁部材３に凹部７を形成し、絶縁部材３の側面に配置されるカソード６のゲート５に対向する端部において、凹部７の縁よりゲート５に向かって突起する突起部分を設け、該突起部分の幅方向端部に電界を集中させて電子を放出させる。 （もっと読む）