【課題】エミッション開始電界が低く、しかも十分なエミッション電流を得ることができる冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用い、当該活性化処理が金属酸化物の中に新たにエミッションに寄与する部位を形成し、且つエミッションに寄与しない部位又は悪影響を及ぼす部位を取り除く処理であることを特徴とする冷陰極電子源である。 （もっと読む）

【課題】触媒層の膜厚をナノサイズのオーダーで基板全面に均質に形成することが可能であり、均質且つ形状の揃った高配向カーボンナノチューブを低コストで大量に合成することが可能な高配向カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】触媒金属を溶媒に溶解させて触媒溶液を調整する工程と、触媒溶液をインクジェット法によって基板に塗布する工程と、基板を熱処理して溶媒を除去する工程と、を備えることを特徴とする高配向カーボンナノチューブの製造方法を選択する。 （もっと読む）

【課題】基板１上に順次積層された第一の絶縁材料層３ａと第二の絶縁材料層３ｂで構成された段差形成部材４の上面にゲート７を有し、第一の絶縁材料層３ａの側面部２０に先端がゲート７に対向するカソード８が設けられた電子放出素子の製造に際し、カソード８の断線を防止しつつ均一な電子放出特性の電子放出素子を製造できるようにし、もって安定した性能の電子線装置及び画像表示装置を歩留まりよく製造できるようにする。
【解決手段】第一の絶縁材料層３ａの側面部２０の上端から高さ方向中間部までの上段側面部２１の傾斜角θ１を８０度乃至９０度とすると共に、高さ方向中間部から下端までの下段側面部２２の傾斜角θ２が８０度より小さく、しかも上段側面部２１の高さＴ１を５乃至１５ｎｍとした側面部２０に対して、カソード８の構成材料を基板１の表面に対する垂直方向から供給してカソード８を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置され、該基板の表面から立ち上がる少なくとも一の側面部を有する絶縁部材と、該絶縁部材の上面に設けられたゲートと、前記側面部の前記ゲートの直下に形成された凹部と、該凹部の下縁から上方へ突起し、該下縁の長さ方向に複数の頂部が形成された突起部を有するカソードとを備えた電子放出素子について、電子放出特性の向上を計る。
【解決手段】１．０Ｐａよりも低い全圧下のスパッタリング法で形成した第一の導電材料層６ａでカソード６を形成し、１．０Ｐａ以上２．８Ｐａ以下の全圧下のパッタリング法で第二の導電性材料層を形成し、該第二の導電性材料層をエッチングして、突起部の頂部８の内側斜面に残留させた第二の導電材料層で副頂部９を形成して電子放出点を増やす。 （もっと読む）

【課題】所望の電子放出特性が安定して得られる電子放出素子を製造する。
【解決手段】シリコンからなる第１層１０ｂ、絶縁体からなる第２層２０ｂ、及び、非絶縁体からなる第３層３０ｂがこの順で積層され、第１乃至３層の各々の側面（１０３ｂ、２０３ｂ、３０３ｂ）を含む連続面４０３ｂを有する積層構造４０ｂと、連続面４０３ｂを覆うように設けられて第１乃至３層と界面を成す、シリサイド化し得る金属材料からなる金属膜５０と、を備える構造体６０を加熱することによって、第１層１０ｂと金属膜５０との界面をシリサイド化する第１工程（ｄ）と、金属材料のシリサイドに対するエッチングレートよりも金属材料に対するエッチングレートが高いエッチャントを用いて、第２層２０ｂの側面２０３ｂが露出するように、金属膜５０の一部を除去する第２工程（ｅ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電子を均一かつ制御性よく放出することができる電子放出素子を提供すること。
【解決手段】第１電極と、第１電極上に形成された、膜厚方向に貫通した複数の小孔を有する電子放出制御絶縁膜と、前記電子放出制御絶縁膜上に形成された、少なくとも絶縁性微粒子を含有する電子加速層と、前記電子加速層上に形成された第２電極とを備え、第１電極と第２電極との間に電圧を印加することにより、第１電極から放出される電子を前記電子放出制御絶縁膜の前記小孔の位置における前記電子加速層で加速させて第２電極から外部へ放出させるように構成されたことを特徴とする電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】段差形成部材２の上面に設けられたゲート５と、段差形成部材２の側面２０におけるゲート５の直下に形成された凹部７と、段差形成部材２の側面２０に設けられ、上端に凹部７の下縁から上縁に向かって突起した突起部６ａを有するカソード６とを備えた電子放出素子について、電子放出効率を向上させると同時に、素子に流れる電流のバラツキを抑制する電流制限用の抵抗層を素子の構成部材の一部として組み込む。
【解決手段】段差形成部材２の側面２０は、凹部７の下縁から高さ方向中間部３０までの上段２１の傾斜角θ１より、高さ方向中間部３０から下端までの下段２２の傾斜角θ２が大きくなっており、しかもカソード６の上段２１の部分である上段カソード部分６ｂよりもカソード６の下段２２の部分である下段カソード部分６ｃの電気的抵抗値が大きい電子放出素子とする。 （もっと読む）

【課題】容易に微細パターンを形成することができるパターン状電子源の製造方法、パターン状電子源を提供する。
【解決手段】表面が導電性を有する第１の基板２上に第１のパターン５を形成し、当該第１のパターン５に沿って１または２以上の第１のエミッタ１０を設けて第１のフィールドエミッション部１を形成するステップと、前記第１のエミッタ１０から電子線を照射して表面が導電性を有する第２の基板１６上に第２のパターン１８を形成し、当該第２のパターン１８に沿って１または２以上の第２のエミッタを設けて第２のフィールドエミッション部１５を形成するステップとを備え、前記第２のフィールドエミッション部１５を複数形成してパターン状電子源２５を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出装置は、絶縁基板と、電子引き出し電極と、二次電子放出層と、陰極板と、電界放出ユニットと、を含む。前記電子引き出し電極及び二次電子放出層は、前記絶縁基板の一つの表面に順次的に配置される。前記陰極板は、一つの第一絶縁隔離層によって前記電子引き出し電極と間隔をおいて絶縁的に配置される。前記陰極板の少なくとも一部が前記二次電子放出層と対向する。前記陰極板は、少なくとも一つの電子放出部を含む。前記電界放出ユニットは、前記陰極板の前記二次電子放出層と対向する一部表面に配置される。 （もっと読む）

【課題】電子源を駆動するための電圧を印加するゲート−カソード間のリーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】表面に凹部を有する絶縁部材と、絶縁部材の表面に、凹部に対向させて配置されたゲート電極と、凹部の縁に配置され、ゲート電極に向けて突起する突起部分を有するカソードと、を含む電子放出素子の製造方法であって、凹部を設ける工程と、凹部の縁にゲート電極に向けて突起する凸部を設けた後にカソードを設ける工程と、をこの順で実施することを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】長期にわたって連続して駆動できる電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、開口部を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記開口部を挟んで第１電極と対向するとともに、その一部が前記絶縁層と重なるように配置された第２電極と、第１及び第２電極と前記絶縁層との間に配置され、絶縁性微粒子及び導電性微粒子で構成された微粒子層と、を備え、第１電極と第２電極との間に電圧を印加し、第１電極から放出される電子を前記微粒子層で加速させて第２電極を透過するように構成したことを特徴とする電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてデバイス特性の向上が可能な電子デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスである電子源１０は、基板１１と、この基板１１の一表面側に形成された第１の電極である下部電極２と、この下部電極２の基板１１側とは反対側で下部電極２に対向する第２の電極である表面電極７と、下部電極２と表面電極７との間に設けられ、第１の多結晶半導体層を電解液により陽極酸化処理することによって形成された多数の微結晶半導体３３を具備した機能層５ａとを備える。下部電極２と機能層５ａとの間において機能層５ａの直下に、第１の多結晶半導体層よりも電解液による陽極酸化速度が遅く第１の多結晶半導体層を選択的に陽極酸化処理するストップ層となる第２の多結晶半導体層３ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いた電子源を製造する場合、ＣＮＴを成長させたままの状態では、電子源として作動するＣＮＴの先端の密度が高すぎて良好な電子源特性が得られない。先端の密度を下げるためにＣＮＴを成長させた基板を溶液に浸して乾燥させる技術は既知であるが、さらにこの密度を低下させる方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって、先端に金属触媒を保持したＣＮＴを基盤上に成長させ、その後、溶剤に浸して乾燥させ、ＣＮＴ構造体を作製する。さらに、その後、このＣＮＴ構造体の先端に、同様なプラズマＣＶＤ法を施して再度ＣＮＴを成長させ、再度、溶剤に浸して乾燥させてＣＮＴ構造体を製造する。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜するナノ炭素材料への電界集中を好適に行なうことができるナノ炭素材料複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板の製造方法は、ナノ炭素材料１６を形成する前に触媒層１２の一部を剥離してスポット１３を形成し、さらに基板１１に対して凹部１４および凸部１５の形成を行う。ナノ炭素材料１６は凸部１５の表面に残存させられた触媒層１２の表面に成膜されることから、ナノ炭素材料１６は凸部１５の表面、すなわち基板１１上の突出した部位に位置選択的に成膜されることとなる。また、成膜されたナノ炭素材料１６の極近傍にナノ炭素材料１６の存在しないスポット１３が存在する。このため、電界の集中しやすいナノ炭素材料１６で構成されたナノ炭素材料複合基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板にナノ炭素材料を好適にパターニングして成長させること出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の手法を用いることにより、基板上に形成した開口部の断面部分に触媒層が露出させられ、この触媒層が露出されられた部分にのみナノ炭素材料が成長したナノ炭素材料複合基板が作製できる。このため、本発明のナノ炭素材料複合基板は、開口部により露出された触媒層にのみナノ炭素材料が生成されており、パターニングされてナノ炭素材料が配置されることから、電界が集中しやすく、優れた電子放出特性が発揮されることが期待できる。また、個々のナノ炭素材料は、基板の表面層によって保護されているために、衝撃やスパークなどからナノ炭素材料を保護することができ、ナノ炭素材料複合基板が優れた耐久性を発揮することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】高価な大型（ｍｍ以上クラス）の単結晶ダイヤモンドを利用することなく、ダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】基台部と、その先端に位置する電子放出部とを有し、該電子放出部が、最大径が１０μｍ以上で、（１１１）面と（１００）面とを有するダイヤモンド砥粒であって、該砥粒の電子放出面に高さが５μｍ以上のダイヤモンドの突起が形成されているダイヤモンド砥粒でからなることを特徴とするダイヤモンド電子源。また、前記ダイヤモンド砥粒において、少なくとも砥粒の一部にＣＶＤ法でダイヤモンドが合成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子放出起点が均一なエミッタを備え且つ信頼性に優れた電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２１上にグラファイト化を促進する触媒物質を含む触媒含有膜１０２を形成し、触媒含有膜１０２上に適切な分散状態になるように炭素構造体１０４を基板２１に対して垂直方向に形成する。基板２１を加熱して、触媒粒子１０５を、炭素構造体１０４内で移動させることにより、炭素構造体１０４をグラファイト化し、カーボンナノチューブ１０１を形成する。これにより、基板２１に対し略垂直に配向し且つ均一な密度で配置されたカーボンナノチューブ１０１から構成されるエミッタ２３を備え、信頼性に優れた電子放出素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】効率良く電子を放出する電子放出電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出電極の製造方法は、（１）カーボンナノホーン粒子を構成するカーボンナノホーンに、触媒粒子を担持させる触媒粒子担持工程と、（２）触媒粒子を担持させたカーボンナノホーンから構成されたカーボンナノホーン粒子を、バインダ等を含む溶媒と混合してペーストを調製するペースト調製工程と、（３）そのペーストを、カソード電極に面状に拡げて塗布するペースト塗布工程と、（４）カソード電極上に塗布されたペースト中のカーボンナノホーン粒子を構成するカーボンナノホーンに担持させた触媒粒子から、カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブ成長工程と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】効率良く電子を放出できる電子放出電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出電極の製造方法は、（１）カーボンナノホーン粒子を構成するカーボンナノホーンに、触媒粒子を担持させる触媒粒子担持工程と、（２）触媒粒子を担持させたカーボンナノホーンから構成されたカーボンナノホーン粒子を、バインダ等を含む溶媒と混合してペーストを調製するペースト調製工程と、（３）そのペーストを、カソード電極にマトリックス状に塗布するペースト塗布工程と、（４）カソード電極上に塗布されたペースト中のカーボンナノホーン粒子を構成するカーボンナノホーンに担持させた触媒粒子から、カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブ成長工程と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】 低仕事関数材料が被覆された、良好な電子放出特性を備える電子放出素子を、素子間の電子放出特性のバラツキを抑制し、再現性よく、簡易に製造する製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 構造体に低仕事関数材料を被覆する前に、構造体表面に金属酸化物層を形成する。 （もっと読む）