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Fターム[4G146BB21]の内容

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【課題】凝集安定性に優れ、粗大粒子を含まない、磁性を有するダイヤモンド粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】爆射法で得られたダイヤモンド微粒子と、前記ダイヤモンド微粒子の表面の少なくとも一部を被覆する磁性体とからなる磁性ダイヤモンド微粒子であって、前記ダイヤモンド微粒子が、酸化処理されたものであることを特徴とする磁性ダイヤモンド微粒子。 (もっと読む)


【課題】リチウム或いはナトリウムを含むマンガンフルオロリン酸化物を電極材料に用いた二次電池用正極材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、粒径が1nm以上、かつ100nm以下であり、3.7V〜4.0Vの間で放電による電位平坦面を示し、また、導電性を向上させるためにカーボンによりコーティングされたものであって、化学式AMnPOFで表される化合物を含むことを特徴とする。
ここで、A=LiまたはNa、あるいはこれらの混合物であり、0<x≦2である。
また、本発明は、リチウム(Li)酸化物またはその前駆体、マンガン(Mn)酸化物またはその前駆体、リン(P)酸化物またはその前駆体、フッ化物(F)またはその前駆体を、ボールミルで均一に混合して前処理する第1段階と、前処理段階で得られた混合物にカーボン材料を投入し、さらにボールミルで均一に混合して熱処理する第2段階と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高容量、且つサイクル特性の良好な非水系二次電池用負極材を提供する。
【解決手段】黒鉛粒子であって、次の(A)、(B)、(C)の三つの要件を満たすことを特徴とする非水系二次電池用負極材。
(A)DBP吸油量が0.42mL/g以上、0.85mL/g以下である。
(B)比表面積が0.5m2/g以上、6.5m2/g以下である。
(C)ラマンR値が0.03以上、0.19以下である。 (もっと読む)


【課題】高い酸素還元活性を有する窒素含有炭素材料を提供すること。該材料を省資源、省エネルギーで製造する方法を提供すること。
【解決手段】アズルミン酸と遷移金属を含むプレカーサーを炭化して得られる窒素含有炭素材料。 (もっと読む)


【課題】電気的特性に優れた電極や電気化学素子を製造するのに適したチタン酸リチウム結晶構造体と、そのチタン酸リチウム結晶構造体とカーボンナノファイバーの複合体を提供する。
【解決手段】数原子層レベルの厚みを有し、二次元面が平面状をしたチタン酸リチウム結晶構造体をカーボンナノファイバー(CNF)に高分散担持させる。チタン酸リチウム結晶構造体の前駆体とこれを担持したCNFは、旋回する反応器内で反応物にずり応力と遠心力を与えるメカノケミカル反応によって作製する。チタン酸リチウム結晶構造体とカーボンナノファイバーの質量比が75:25〜85:15が好ましい。カーボンナノファイバーは、その外径が10〜30nmで、外比表面積は150〜350cm2/gが好ましい。この複合体をバインダーと混合した後、成形して電極を得て、この電極を電気化学素子に用いる。 (もっと読む)


【課題】より高い成長率、成長効率または垂直合成等を達成できるSWCNTの製造方法を提供する。
【解決手段】真空、かつ、600〜900℃の封入空間下にある触媒に、有機脱水アルコールを接触させることを含む、単層カーボンナノチューブの製造方法。 (もっと読む)


【課題】 大きな重量比表面積と同時に、体積比表面積を有する炭素ナノ構造体を得ることができ、さらに、該炭素ナノ構造体の細孔径を自在に制御できることにより、EDLC用電極として有用な炭素ナノ構造体を製造することができる炭素ナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る炭素ナノ構造体の製造方法は、ゼオライト細孔内部を鋳型として用い、該ゼオライト細孔内部に炭素を積層させて炭素構造体を形成する工程と、該ゼオライトを酸で溶解除去する工程と、該溶解除去工程により得られた炭素構造体をホットプレスすることにより、該炭素構造体の細孔径を縮小させ炭素ナノ構造体を得る工程と、からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】磁性金属をチューブ内に完全に充填もしくは、チューブ先端に内包するナノチューブを作製し、磁性特性の評価を行い、本素子を用いた磁気センサーなどへ応用する。
【解決手段】一種類以上の磁性金属を含む金属を内包もしくは充填するために、基板に内包もしくは充填する金属薄膜を積層する。金属を内包もしくは充填する金属を積層した基板を用いてナノチューブを成長することで,成長と同時にこれらの金属内包もしくは充填する。成長条件を制御することで,チューブ内の金属を分離して内包もしくは充填することができる。 (もっと読む)


【課題】触媒層を形成した基板の該触媒層上に熱CVD法によりCNT(カーボンナノチューブ)を形成するCNTの形成方法及び形成装置であって、CNTを所望の形態に、そして、個々の基板面内でのCNTの形態のバラツキを抑制して、また、基板間でのCNTの形態のバラツキを抑制して、再現性良好に形成できるCNTの形成方法及び形成装置を提供する。
【解決手段】反応容器1内に触媒層Cを形成した基板Sを設置し、容器1内雰囲気を置換ガス雰囲気とし、容器1内ガス圧をCNT形成ガス圧より低く設定するとともに、基板触媒層CをCNT形成温度に加熱する。一方、ガス充填部5にCNT形成原料ガスを含むガスを充填封入する。その後ガス充填部5に充填封入されたガスをそのガス圧と容器1内ガス圧との差に基づいて容器1内に一挙に導入し、該ガスのもとで加熱された触媒層C上に熱CVD法によりCNTを生成させる。 (もっと読む)


ナノファイバ基板から放射状に延びた少なくとも1つのカーボンナノチューブを有する階層構造、ならびにその使用方法および製造方法。 (もっと読む)


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