【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いた電子源を製造する場合、ＣＮＴを成長させたままの状態では、電子源として作動するＣＮＴの先端の密度が高すぎて良好な電子源特性が得られない。先端の密度を下げるためにＣＮＴを成長させた基板を溶液に浸して乾燥させる技術は既知であるが、さらにこの密度を低下させる方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって、先端に金属触媒を保持したＣＮＴを基盤上に成長させ、その後、溶剤に浸して乾燥させ、ＣＮＴ構造体を作製する。さらに、その後、このＣＮＴ構造体の先端に、同様なプラズマＣＶＤ法を施して再度ＣＮＴを成長させ、再度、溶剤に浸して乾燥させてＣＮＴ構造体を製造する。 （もっと読む）

【課題】原子レベルで尖ったイリジウムチップを作成する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、イリジウムワイヤを針形状にテーパ状にする工程と、酸素雰囲気中で、イリジウム針を加熱する工程とからなる。また、角錐構造を有するイリジウム針を提供し、角錐構造は少数の原子により形成される尖端を有する。 （もっと読む）

【課題】この発明の目的は、製造コストを低減することができ、しかも、電子デバイスに適用可能な十分な電子放出特性を有する電界放出素子を提供することにある。
【解決手段】電界放出素子１は、基板１１と、基板１１上に配置され銀フィラメント１３Ａからなるエミッタ１３と、エミッタ１３に対向するように配置されたアノード１４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）