電子放出素子、及び、電子放出素子の作製方法
【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体５を備え、エピタキシャル構造体５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル構造体５はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体５を備え、エピタキシャル構造体５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル構造体５はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子と、電子放出素子の作製方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電子顕微鏡、電子線描画装置、透過型電子顕微鏡等には、ＺｒＯ／Ｗ又はＬａＢ６等の電子銃チップが利用されている。このような電子銃チップ等の電子放出素子は、一般に華氏１８００度以上の高温で利用されるので（非特許文献１）、フェルミ分布の広がり及びフォノン散乱等によって電子放出素子から放出される電子のエネルギーが大きく分散する。これに対し、ダイヤモンドを利用した電子放出素子も開発されている。ダイヤモンドの仕事関数は比較的低いので、ダイヤモンドを利用した電子放出素子は、比較的低温であっても電子放出が可能となる。特に、ｎ型の不純物がドープされたダイヤモンド膜の有効性が知られている（特許文献１）。また、ダイヤモンド膜が、Ｓドープされている場合（非特許文献２）、Ｂドープされている場合（非特許文献３）、ノンドープの場合（非特許文献４）、Ｎドープされている場合（非特許文献５）の何れの場合においても、仕事関数は低く比較的低温において電子放出が可能との報告がある。更に、Ｌｉドープされたｎ型のダイヤモンド膜も、比較的低い活性化エネルギーを有するとの報告がある（非特許文献７）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−０９５４７８号公報
【特許文献２】特開２００５−３１０７２４号公報
【特許文献３】特開２００８−２１０７７５号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】J. Vac. Sci. Technol. B 3(1), Jan/Feb (1985) 220
【非特許文献２】Phys. Rev. B, 60, 4(1999) R2139
【非特許文献３】J. Vac. Sci. Technol. B 22(3), May/Jun (2004) 1349
【非特許文献４】Diam. Relat. Mater. 11, 12 (2002) 1897
【非特許文献５】Nature, 393 , 4, June (1998) 432
【非特許文献６】Thin-Film Diamond I, Semiconductors and Semimetals Vol. 76, Chapter3, Elsevier Inc., 2003
【非特許文献７】Appl. Phys. Let., 81 , 5, July (2005) 232102
【非特許文献８】Appl. Phys. Let., 82 , 17, Apr (2003) 2904
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のようなダイヤモンドの電子放出特性に関する様々な研究結果に基づいて、比較的に低温及び低引き出し電圧のもとでも利用可能な電子銃チップの開発が望まれている。そこで、本発明の目的は、比較的低温及び低引き出し電圧のもとであっても電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電子放出素子は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体を備え、該エピタキシャル構造体は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する、ことを特徴とする。このように、本発明の電子放出素子は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体を備えるので、ダイヤモンドの比較的低い仕事関数によって比較的低温及び低引き出し電圧のもとであっても電子放出が可能となる。
【０００７】
本発明の電子放出素子では、エピタキシャル構造体は、一辺が１μｍの正方形の領域内に収容可能な平坦な先端面と、先端面の面積よりも大きな面積の側面とを有するのが好ましい。このように、エピタキシャル構造体は細長い形状を有する。
【０００８】
本発明の電子放出素子では、ベース部を更に備え、エピタキシャル構造体はベース部の一端に形成されているのが好ましい。ベース部上にエピタキシャル構造体が形成されているので、ベース部を介することによってエピタキシャル構造体の移動等が容易となる。
【０００９】
本発明の電子放出素子では、ベース部はダイヤモンド結晶を含み、エピタキシャル構造体の形成されているベース部の表面の面方位は（１１１）、（１１２）又は（１００）であるのが好ましい。このような面方位によって、エピタキシャル構造体の形成が良好に行える。
【００１０】
本発明の電子放出素子では、ベース部の表面の一部又は全部に形成されダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル膜を更に備えるのが好ましく、エピタキシャル膜は、エピタキシャル構造体と同一の材料を含むのが好ましく、また、エピタキシャル膜は、エピタキシャル構造体と一体に形成されているのが好ましい。そして、ベース部の表面に含まれエピタキシャル膜の形成されている領域の面方位は（１１１）、（１１２）又は（１００）であるのが好ましい。このような面方位によって、エピタキシャル膜の成膜が良好に行える。
【００１１】
本発明の電子放出素子では、エピタキシャル膜上に設けられた金属膜を更に備え、金属膜は、エピタキシャル膜に接合されているのが好ましい。この金属膜に電流を流すことによって電子放出素子は電子銃として利用可能となる。
【００１２】
本発明の電子放出素子では、エピタキシャル構造体は、Ｌｉ、Ｐ、Ｓ、Ｎのうちの一又は複数の元素を含むｎ型ドーパントを含有し、エピタキシャル構造体のｎ型ドーパントの濃度は、１×１０１３〜１×１０２２ｃｍ−３であり、エピタキシャル構造体の活性化エネルギーは、０．１０〜４．０ｅＶであるのが好ましい。このように、エピタキシャル構造体は、ドーパントを含有することによって比較的低い活性化エネルギーを有するので、ダイヤモンドの比較的低い仕事関数と、この比較的低い活性化エネルギーとによって、十分な電子放出性能を実現できる。
【００１３】
本発明の電子放出素子では、エピタキシャル構造体は、Ｂの元素を含むｐ型ドーパントを含有し、エピタキシャル構造体のｐ型ドーパントの濃度は、１×１０１３〜１×１０２２ｃｍ−３であり、エピタキシャル構造体の活性化エネルギーは、０．３０〜２．０ｅＶであるのが好ましい。このように、エピタキシャル構造体は、ドーパントを含有することによって比較的低い活性化エネルギーを有するので、ダイヤモンドの比較的低い仕事関数と、この比較的低い活性化エネルギーとによって、十分な電子放出性能を実現できる。
【００１４】
本発明の電子放出素子では、ベース部は、Ｉｂ型、ＩＩａ型及びＩＩｂ型のうち少なくとも一の型のダイヤモンド結晶を含むのが好ましく、ベース部はヘテロエピタキシャル構造を有するのが好ましい。このようなベース部の結晶構造の場合に、ｎ型ドーパントを含むエピタキシャル構造体５をベース部の表面に形成できる。
【００１５】
本発明の電子放出素子では、エピタキシャル構造体の先端部は階段状に先細る形状を有するのが好ましい。このように、エピタキシャル構造体の先端部は様々な形状が可能である。
【００１６】
本発明の電子放出素子の作製方法は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱を包含可能な形状を有しておりＩｂ型、ＩＩａ型又はＩＩｂ型の何れか一の型のダイヤモンド結晶を含むダイヤモンド基材の一端部を研磨しメサ形状にする工程と、メサ形状の端部をエッチングすることによって、円柱内に収容可能な形状を有するダイヤモンド突起部を形成する工程と、ダイヤモンド突起部を形成した後、該ダイヤモンド突起部の設けられたダイヤモンド基材の表面上にｎ型又はｐ型のドーパントを含有するダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体を、プラズマＣＶＤ法によってダイヤモンド突起部に沿って成長させる工程と、を備える、ことを特徴とする。このように、本発明の電子放出素子は、ダイヤモンド基材にダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体が形成された構成を有しているので、ダイヤモンドの比較的低い仕事関数によって比較的低温における電子放出が可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、比較的低温及び低引き出し電圧のもとであっても電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態に係る電子放出素子の断面構成を示す図である。
【図２】実施形態に係るエピタキシャル構造体のバリエーションを示す図である。
【図３】実施形態に係る電子放出素子の作製方法を説明するための図である。
【図４】実施形態に係るエピタキシャル構造体の撮影画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、以下に示す数値は所定の誤差を含む。図１に、実施形態に係る電子放出素子２の断面構成を示す。電子放出素子２は、ベース部４、エピタキシャル構造体５、エピタキシャル膜６及び金属膜７を備える。
【００２０】
ベース部４は、Ｉｂ型、ＩＩａ型及びＩＩｂ型の何れか一の型のダイヤモンド結晶から成る。後述するエピタキシャル膜６をベース部４の表面に数μｍオーダの厚みに形成する場合、ダイヤモンドの硬度が高いこと、エピタキシャル膜６とベース部４との熱膨張係数が異なること、更に、ピタキシャル膜６とベース部４とにおいて格子定数にずれが生じること等によって、エピタキシャル膜６中に歪みが生じ、この歪みによってエピタキシャル膜６に割れ等が生じる場合がある。しかし、ベース部４が、Ｉｂ型、ＩＩａ型又はＩＩｂ型のダイヤモンド結晶の場合、このような割れ等は低減され、良質なエピタキシャル膜６が形成可能となる。なお、ベース部４は、ヘテロエピタキシャル構造を有していてもよい。このヘテロエピタキシャル構造は、ダイヤモンド結晶が、エピタキシャル成長によって、例えば、シリコン（１００）面、白金（１１１）面、Ｉｒ（１００）面、又は、ＳｉＣ（１００）面等において形成された構成である。
【００２１】
エピタキシャル構造体５は、ベース部４の一端に形成されている。エピタキシャル構造体５は、ダイヤモンド結晶を含み、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有するが、電子放出素子２を電子銃チップとして用いる場合には、十分な電界集中を実現するために１０〜４００μｍの高さと、５〜１００μｍの太さ（高さ方向に垂直な断面の径の最大値であり、以下同様）とを有する形状が好ましい。エピタキシャル構造体５は、この円柱内に収容されるものであって、細長い形状を有するものであれば、円錐（又は円錐台）、円柱、角錐（又は角錐台）、角柱等のうち何れの形状であってもよい。例えば、図２（Ａ）に示すエピタキシャル構造体５ａ、図２（Ｂ）に示すエピタキシャル構造体５ｂ、図２（Ｃ）に示すエピタキシャル構造体５ｃ及び図２（Ｄ）に示すエピタキシャル構造体５ｄ等であってもよい。
【００２２】
エピタキシャル構造体５ａは、円錐形状、又は、円錐台形状を有している。この円錐台形状の端面（エピタキシャル構造体５ａの先端面）は、平坦であってもよいし、仮想的な球面の一部と同形状であってもよい。エピタキシャル構造体５ｂは、円柱形状を有している。エピタキシャル構造体５ｂの先端面は、平坦であるが、仮想的な球面の一部と同形状であってもよい。エピタキシャル構造体５ｃは、円柱に円錐又は円錐台が接合された形状を有している（すなわち、エピタキシャル構造体５ｃの端部の形状は円錐又は円錐台となっている）。円錐又は円錐台は円柱の端面に設けられており、円柱の端面と、円錐又は円錐台の底面（円錐台の場合、二つの端面のうち大きい方の端面を意味する）とは同一の形状である。円錐台の端面（エピタキシャル構造体５ｃの先端面）は、平坦であってもよいし、仮想的な球面の一部と同形状であってもよい。エピタキシャル構造体５ｄは、端部が階段状に先細る形状を有している。エピタキシャル構造体５ｄの先端面は、この階段状を成す形状の最も先端にある面である。このエピタキシャル構造体５ｄの先端面は、平坦であってもよいし、仮想的な球面の一部と同形状であってもよい。以上のエピタキシャル構造体５ａ〜エピタキシャル構造体５ｄ等のエピタキシャル構造体５の先端面は、一辺が１μｍの正方形の領域内に収容可能である。そして、エピタキシャル構造体５ａ〜エピタキシャル構造体５ｄ等のエピタキシャル構造体５の側面は、エピタキシャル構造体５の先端面の面積よりも大きいので、エピタキシャル構造体５は細長い形状を有する。
【００２３】
エピタキシャル構造体５とエピタキシャル膜６とは一体に形成されている。エピタキシャル膜６は、ベース部４の表面（全表面又は一部）に形成されており、ベース部４の表面の一部又は全部を覆っている。なお、エピタキシャル膜６は、ベース部４の表面のうち、少なくとも、金属膜７の形成されている部分に形成されている。
【００２４】
エピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６は、より多くのキャリアを活性化させるために、比較的低い活性化エネルギーを有する必要がある。Ｐドープされたダイヤモンド結晶は、活性化エネルギーが比較的低い０．６０ｅＶ程度なのでエピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６に好適である。Ｎドープされたダイヤモンド結晶も活性化エネルギーが比較的低い１．７ｅＶ程度なのでエピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６に好適である。Ｓドープされたダイヤモンド結晶も活性化エネルギーが比較的低い０．３０〜０．４０ｅＶ程度なのでエピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６に好適である。Ｌｉドープされたダイヤモンド結晶も活性化エネルギーが比較的低い０．１０ｅＶなのでエピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６に好適である。
【００２５】
このように、エピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６は、Ｌｉ（リチウム）、Ｐ（リン）、Ｓ（硫黄）、Ｎ（窒素）のうちの一又は複数の元素を含むｎ型ドーパントを含有してもよいし、Ｂ（ホウ素）の元素を含むｐ型ドーパントを含有してもよい。エピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６がｎ型ドーパントを含有する場合、このｎ型ドーパントの濃度は、１×１０１３〜１×１０２２ｃｍ−３であり、この場合のエピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６の活性化エネルギーは、０．１０〜４．０ｅＶである。エピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６がｐ型ドーパントを含有する場合、このｐ型ドーパントの濃度は、１×１０１３〜１×１０２２ｃｍ−３であり、この場合のエピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６の活性化エネルギーは、０．３０〜２．０ｅＶである。
【００２６】
また、ベース部４の表面に含まれエピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６の形成されている領域の面方位は、Ｐドープされたダイヤモンド膜がもっとも成長しやすいとされる（１１１）面が好ましいが、（００１）面又は（１１２）面であってもよい。実際に、発明者は、これらの面方位の面上において成長させたＰドープされた５μｍ以上の厚みのダイヤモンド膜が均質に形成できたことを確認している。
【００２７】
金属膜７は、ダイヤモンド結晶に対し高密着性、高温耐性、オーム性接触が可能なものが適しており、例えばＴｉ／Ｗ（チタン／タングステン）から成る。このＴｉ層はエピタキシャル膜６又はベース部４に接合されている。Ｔｉ層上には、Ｗ以外の他の金属層が設けられていてもよい。Ｔｉはダイヤモンドに対して比較的良好な電気的接触をとることのできる金属であり、金属―半導体間の電子注入効率が最も良いと考えられるが、Ｔｉに限らずダイヤモンドにおけるオーミック電極として知られる周知の金属、周知の成膜方法が利用可能である。そして、金属膜７には、電極Ｐが接続される。
【００２８】
以下、図３を参照し、電子放出素子２の作製方法について説明する。まず、図３（Ａ）に示すように、ダイヤモンド基材４ａを用意する。ダイヤモンド基材４ａは、１０００μｍの高さを有する円柱を包含可能な形状（この円柱よりも大きな形状）を有しており、ベース部４の材料（Ｉｂ型、ＩＩａ型又はＩＩｂ型の何れか一の型のダイヤモンド結晶）を含む。次に、ダイヤモンド基材４ａの端面８ａを研磨し、図３（Ｂ）に示すようなメサ形状に形成する。ダイヤモンド基材４ａは、この結果、端面８ａ側がメサ形状（メサ形状部分１０）に形成されたダイヤモンド基材４ｂとなる。ダイヤモンド基材４ｂはメサ形状部分１０を有している。
【００２９】
次に、メサ形状部分１０の端面８ｂに金属薄膜のマスク９を形成し、ＩＣＰエッチング装置（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を用いてメサ形状部分１０をエッチングし、図３（Ｃ）に示すようなダイヤモンド突起部４ｃを形成する。メサ形状部分１０がエッチングされることによって、ダイヤモンド基材４ｂから、ベース部４、ダイヤモンド突起部４ｃ及び端面８ｃが形成される。ダイヤモンド突起部４ｃは、ベース部４の端面８ｃに形成されており、端面８ｃの上方に延びる形状を有する。端面８ｃを含むベース部４の表面の面方位は、（１１１）、（１１２）又は（１００）である。
【００３０】
この後、図３（Ｄ）に示すように、プラズマＣＶＤ法を用いて、ベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面にダイヤモンド結晶から成るエピタキシャル膜６ａを成膜する。プラズマＣＶＤ法を用いる前に、ベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面が水素プラズマに曝される。これによりベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面を正常かつ平坦に整えることができる。プラズマＣＶＤ法を用いたエピタキシャル膜６ａの成膜工程は、プラズマの集中による異常成長やエッチング等を回避するために、ダイヤモンド突起部４ｃを、プラズマを発生させる二つの電極間に生じる電界の向きに対し垂直となるように、換言すれば、ダイヤモンド突起部４ｃの軸がこの電界の向きに対しほぼ垂直となる状態で、プラズマＣＶＤ法を用いる。この場合、プラズマの周り込み等も生じ、３６０度全てのオフ角でエピタキシャル成長が可能であり、均等なエピタキシャル膜６ａが形成される。エピタキシャル膜６ａがＰドープされる場合、ダイヤモンド突起部４ｃの面のうち、電極に対向する面は（１１１）面（又は（００１）面）が好ましいが、Ｂドープされる場合には、（００１）面が好ましい。
【００３１】
エピタキシャル膜６ａは、ｎ型のドーパント（Ｌｉ、Ｐ、Ｓ、Ｎのうちの一又は複数の元素を含むドーパント）、又は、ｐ型のドーパント（Ｂの元素を含むドーパント）を含有する。なお、エピタキシャル膜６ａがＢの元素を含むｐ型ドーパントを含有する場合、ベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面に含まれるエピタキシャル膜６ａの形成される部分の好ましい面方位は、（１１１）や（００１）である。エピタキシャル膜６ａの厚みは、例えば、０．５〜２μｍが好ましい。
【００３２】
そして、図３（Ｅ）に示すように、エピタキシャル膜６ａが成膜された後、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）法、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法及びＩＣＰ法の何れか一又は二以上の加工方法を用いて、ダイヤモンド突起部４ｃの一部又は全部を除去すると共に、エピタキシャル膜６ａに含まれている部分であってダイヤモンド突起部４ｃの側面に形成された領域（ダイヤモンド突起部４ｃに沿ってベース部４の表面から延びている領域）を所望の立体形状（例えば円錐形状や円柱形状等）に整形し、エピタキシャル構造体５を形成する（すなわち、ダイヤモンド突起部４ｃはエピタキシャル構造体５のテンプレートとなっており、よって、エピタキシャル構造体５は、このテンプレートに沿って成長されたものということができる）。この場合、エピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６がエピタキシャル膜６ａから形成される。エピタキシャル構造体５は、一辺が１μｍの正方形の領域内に収容可能な平坦な先端面と、この先端面の面積よりも大きな面積の側面とを有し、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。そして、この整形工程の後、Ｔｉ／Ｗから成る金属膜７をエピタキシャル膜６上に形成する。以上の工程によって、電子放出素子２が作製される。なお、この整形加工は、金属膜７をエピタキシャル膜６ａの全体に形成した後においても行える。なお、図３（Ｅ）に示す断面図は、図１に示す断面に対し垂直な断面の様子を示している。
【００３３】
以上説明した構成を有する電子放出素子２は、エピタキシャル構造体５の仕事関数が比較的低いので、比較的低温において比較的低い引き出し電圧によって電子放出が可能となる。更に、エピタキシャル構造体５は、ｎ型又はｐ型のドーパントを含有することによって比較的低い活性化エネルギーを有するので、ダイヤモンドの比較的低い仕事関数と、この比較的低い活性化エネルギーとによって、十分な電子放出性能を実現できる。
【００３４】
また、電子放出素子２は、エピタキシャル構造体５からショットキー放出できるので、安定性が良い。すなわち、熱放出・電界放出それぞれのモードで動作させる構造を作ることができることに加え、熱電界によるショットキー放出を行うことができる。この放出モードは、熱による電子放出の安定性と、電界放出による放出電子のばらつきの少ない運動量、すなわち、低エネルギー分散性と、を実現できる。
【００３５】
また、エピタキシャル構造体５のドーピング構造を選択することによってエピタキシャル構造体５の活性化エネルギーを制御できるので、エピタキシャル構造体５の安定動作温度・電圧条件をコントロールできる。このように、電界放出用、熱電子放出用又は熱電界電子放出用等のそれぞれの電子放出モードに適したドーピング構造を提供できる。
【００３６】
また、金属膜７が設けられているので、金属膜７に電圧を加えることによって電子放出素子２を電子銃として利用可能となる。また、エピタキシャル構造体５は、一辺が１μｍの正方形の領域内に収容可能な平坦な先端面と、この先端面の面積よりも大きな面積の側面とを有するので、細長い形状となっている。また、エピタキシャル構造体５の先端面を含むエピタキシャル構造体５の端部は階段状に先細る形状を有してもよく、このように、エピタキシャル構造体５の端部は様々な形状が可能である。
【００３７】
また、電子放出素子２はベース部４を更に備え、エピタキシャル構造体５はベース部４の一端に形成されているので、ベース部４を介することによってエピタキシャル構造体５の移動等が容易となる。また、ベース部４の表面においてエピタキシャル構造体５の形成されている領域の面方位は（１１１）、（１１２）又は（１００）となっているので、エピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６の形成が良好に行える。また、ベース部４は、Ｉｂ型、ＩＩａ型及びＩＩｂ型のうち少なくとも一の型のダイヤモンド結晶を含むので、このようなベース部４の結晶構造の場合に、ｎ型ドーパントを含むエピタキシャル膜６をベース部４の表面に形成できる。
【００３８】
なお、エピタキシャル構造体５の表面に導体被覆膜を設けてもよい。この導体被覆膜は、金属又は金属的な良導体であって、エピタキシャル構造体５の先端部（電子放出部）の除くエピタキシャル構造体５の他の表面を覆う。このような導体被覆膜は、次のようにして形成される。まず、エピタキシャル構造体５の全体（エピタキシャル構造体５の先端部を含む）をこの導体被覆膜で被覆し、この後、ＦＩＢ等の周知のナノスケールの加工方法を用いて、電子放出部を覆う導体被覆膜をエッチングし、この電子放出部のダイヤモンドの表面を露出させる。このようにして、電子放出部を除くエピタキシャル構造体５の表面を被覆する導体被覆膜が形成される。また、導体被覆膜は、次のようにしても形成できる。まず、エピタキシャル構造体５の先端部をマスクする。そして、この後、スパッタ法によって、Ｔｉ（厚さ２００ｎｍ程度のチタンの膜）とＷ（厚さ１μｍ程度のタングステンの膜）とから成る金属層を形成してマスクを除去する。
【実施例１】
【００３９】
次に、実施例１に係る電子放出素子２の具体的な作製方法について説明する。実施例１に係る電子放出素子２は、電子銃に用いることを想定して作製された。ダイヤモンド基材４ａをＩＩｂ型のダイヤモンド結晶を含む基材とし、ＩＣＰエッチング装置を用いて、高さ３０μｍ、太さ６μｍのダイヤモンド突起部４ｃとベース部４とをダイヤモンド基材４ａから形成した。この場合のベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面の面方位は（１１１）であり、この面に対しプラズマＣＶＤ法によってＰドープされたエピタキシャル膜６ａを成膜した。この後、ＦＩＢ法等を用いて、ダイヤモンド突起部４ｃの一部又は全部を除去すると共に、ダイヤモンド突起部４ｃの側面に形成されたエピタキシャル膜６を、高さ３０μｍ、太さ１０μｍのエピタキシャル構造体５に整形した。本実施例１の電子放出素子２のＳＥＭ写真を図４に示す。
【実施例２】
【００４０】
次に、実施例２に係る電子放出素子２の具体的な作製方法について説明する。実施例２に係る電子放出素子２は、電子銃に用いることを想定して作製された。ダイヤモンド基材４ａをＩＩａ型のダイヤモンド結晶を含む基材とし、ＩＣＰエッチング装置を用いて、高さ３０μｍ、太さ６μｍのダイヤモンド突起部４ｃとベース部４とをダイヤモンド基材４ａから形成した。この場合のベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面の面方位は（１１１）であり、この面に対しプラズマＣＶＤ法によって、摂氏８７０度及び３００Ｗ（ワット）のもとで、Ｈ２ガス、ＣＨ４ガス及びＰＨ３ガスを導入し、５時間かけて２μｍの膜厚のＰドープされたエピタキシャル膜６ａを成膜した。この後、ＦＩＢ法等を用いて、ダイヤモンド突起部４ｃの一部又は全部を除去すると共に、ダイヤモンド突起部４ｃの側面に形成されたエピタキシャル膜６を、高さ３０μｍ、太さ１０μｍのエピタキシャル構造体５に整形した。摂氏１０００度、引き出し電圧３．５ｋＶのもとで、本実施例２の電子銃チップから１００μＡのエミッション電流が得られた。
【実施例３】
【００４１】
次に、実施例３に係る電子放出素子２の具体的な作製方法について説明する。実施例３に係る電子放出素子２は、電子銃に用いることを想定して作製された。ダイヤモンド基材４ａをＩＩａ型のダイヤモンド結晶を含む基材とし、ＩＣＰエッチング装置を用いて、高さ３０μｍ、太さ６μｍのダイヤモンド突起部４ｃとベース部４とをダイヤモンド基材４ａから形成した。そして、ダイヤモンド基材４ａをＦＩＢ法等を用いて切削し、ダイヤモンド基材４ａの表面を平坦に加工した。この場合のベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面の面方位は（１１１）であり、この面に対しプラズマＣＶＤ法によって、摂氏８７０度及び３００Ｗ（ワット）のもとで、Ｈ２ガス、ＣＨ４ガス及びＰＨ３ガスを導入し、５時間かけて２μｍの膜厚のＰドープされたエピタキシャル膜６ａを成膜した。この後、ＦＩＢ法等を用いて、ダイヤモンド突起部４ｃの側面に形成されたエピタキシャル膜６を、高さ３０μｍ、太さ１０μｍのエピタキシャル構造体５に整形した。摂氏１０００度、引き出し電圧３．５ｋＶのもとで、本実施例３の電子銃チップから１００μＡのエミッション電流が得られた。
【実施例４】
【００４２】
次に、実施例４に係る電子放出素子２の具体的な作製方法について説明する。実施例４に係る電子放出素子２は、電子銃に用いることを想定して作製された。ダイヤモンド基材４ａをＩＩａ型のダイヤモンド結晶を含む基材とし、ＩＣＰエッチング装置を用いて、高さ３０μｍ、太さ６μｍのダイヤモンド突起部４ｃとベース部４とをダイヤモンド基材４ａから形成した。そして、ダイヤモンド基材４ａをＦＩＢ法等を用いて切削し、ダイヤモンド基材４ａの表面を平坦に加工した。この場合のベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面の面方位は（１１１）であり、この面に対しプラズマＣＶＤ法によって、摂氏８７０度及び３００Ｗ（ワット）のもとで、Ｈ２ガス、ＣＨ４ガス及びＰＨ３ガスを導入し、５時間かけて２μｍの膜厚のＰドープされたエピタキシャル膜６ａを成膜した。この後、ＦＩＢ法等を用いて、ダイヤモンド突起部４ｃの一部又は全部を除去すると共に、ダイヤモンド突起部４ｃの側面に形成されたエピタキシャル膜６を、高さ３０μｍ、太さ１０μｍのエピタキシャル構造体５に整形した。摂氏５００度、引き出し電圧３．５ｋＶのもとで、本実施例４の電子銃チップから１００μＡのエミッション電流が得られた。
【実施例５】
【００４３】
次に、実施例５に係る電子放出素子２の具体的な作製方法について説明する。実施例５に係る電子放出素子２は、電子銃に用いることを想定して作製された。ダイヤモンド基材４ａをＩｂ型のダイヤモンド結晶を含む基材とし、ＩＣＰエッチング装置を用いて、高さ３０μｍ、太さ６μｍのダイヤモンド突起部４ｃとベース部４とをダイヤモンド基材４ａから形成した。そして、ダイヤモンド基材４ａをＦＩＢ法等を用いて切削し、ダイヤモンド基材４ａの表面を平坦に加工した。この場合のベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面の面方位は（１１１）であり、この面に対しプラズマＣＶＤ法によって、摂氏８７０度及び３００Ｗ（ワット）のもとで、Ｈ２ガス、ＣＨ４ガス及びＰＨ３ガスを導入し、５時間かけて２μｍの膜厚のＰドープされたエピタキシャル膜６ａを成膜した。この後、ＦＩＢ法等を用いて、ダイヤモンド突起部４ｃの側面に形成されたエピタキシャル膜６を、高さ３０μｍ、太さ１０μｍのエピタキシャル構造体５に整形した。摂氏１０００度、引き出し電圧３．５ｋＶのもとで、本実施例５の電子銃チップから１００μＡのエミッション電流が得られた。
【実施例６】
【００４４】
次に、実施例６に係る電子放出素子２の具体的な作製方法について説明する。実施例６に係る電子放出素子２は、電子銃に用いることを想定して作製された。ダイヤモンド基材４ａをＩｂ型のダイヤモンド結晶を含む基材とし、ＩＣＰエッチング装置を用いて、高さ３０μｍ、太さ６μｍのダイヤモンド突起部４ｃとベース部４とをダイヤモンド基材４ａから形成した。そして、ダイヤモンド基材４ａをＦＩＢ法等を用いて切削し、ダイヤモンド基材４ａの表面を平坦に加工した。この場合のベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面の面方位は（１１１）であり、この面に対しプラズマＣＶＤ法によって、摂氏８７０度及び３００Ｗ（ワット）のもとで、Ｈ２ガス、ＣＨ４ガス及びＰＨ３ガスを導入し、５時間かけて２μｍの膜厚のＰドープされたエピタキシャル膜６ａを成膜した。この後、ＦＩＢ法等を用いて、ダイヤモンド突起部４ｃの一部又は全部を除去すると共に、ダイヤモンド突起部４ｃの側面に形成されたエピタキシャル膜６を、高さ３０μｍ、太さ１０μｍのエピタキシャル構造体５に整形した。摂氏５００度、引き出し電圧３．５ｋＶのもとで、本実施例６の電子銃チップから１００μＡのエミッション電流が得られた。
【００４５】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【００４６】
１０…メサ形状部分、２…電子放出素子、４…ベース部、４ａ，４ｂ…ダイヤモンド基材、４ｃ…ダイヤモンド突起部、５，５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ…エピタキシャル構造体、６，６ａ…エピタキシャル膜、７…金属膜、８ａ，８ｂ，８ｃ…端面、９…マスク、Ｐ…電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子と、電子放出素子の作製方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電子顕微鏡、電子線描画装置、透過型電子顕微鏡等には、ＺｒＯ／Ｗ又はＬａＢ６等の電子銃チップが利用されている。このような電子銃チップ等の電子放出素子は、一般に華氏１８００度以上の高温で利用されるので（非特許文献１）、フェルミ分布の広がり及びフォノン散乱等によって電子放出素子から放出される電子のエネルギーが大きく分散する。これに対し、ダイヤモンドを利用した電子放出素子も開発されている。ダイヤモンドの仕事関数は比較的低いので、ダイヤモンドを利用した電子放出素子は、比較的低温であっても電子放出が可能となる。特に、ｎ型の不純物がドープされたダイヤモンド膜の有効性が知られている（特許文献１）。また、ダイヤモンド膜が、Ｓドープされている場合（非特許文献２）、Ｂドープされている場合（非特許文献３）、ノンドープの場合（非特許文献４）、Ｎドープされている場合（非特許文献５）の何れの場合においても、仕事関数は低く比較的低温において電子放出が可能との報告がある。更に、Ｌｉドープされたｎ型のダイヤモンド膜も、比較的低い活性化エネルギーを有するとの報告がある（非特許文献７）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−０９５４７８号公報
【特許文献２】特開２００５−３１０７２４号公報
【特許文献３】特開２００８−２１０７７５号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】J. Vac. Sci. Technol. B 3(1), Jan/Feb (1985) 220
【非特許文献２】Phys. Rev. B, 60, 4(1999) R2139
【非特許文献３】J. Vac. Sci. Technol. B 22(3), May/Jun (2004) 1349
【非特許文献４】Diam. Relat. Mater. 11, 12 (2002) 1897
【非特許文献５】Nature, 393 , 4, June (1998) 432
【非特許文献６】Thin-Film Diamond I, Semiconductors and Semimetals Vol. 76, Chapter3, Elsevier Inc., 2003
【非特許文献７】Appl. Phys. Let., 81 , 5, July (2005) 232102
【非特許文献８】Appl. Phys. Let., 82 , 17, Apr (2003) 2904
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のようなダイヤモンドの電子放出特性に関する様々な研究結果に基づいて、比較的に低温及び低引き出し電圧のもとでも利用可能な電子銃チップの開発が望まれている。そこで、本発明の目的は、比較的低温及び低引き出し電圧のもとであっても電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電子放出素子は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体を備え、該エピタキシャル構造体は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する、ことを特徴とする。このように、本発明の電子放出素子は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体を備えるので、ダイヤモンドの比較的低い仕事関数によって比較的低温及び低引き出し電圧のもとであっても電子放出が可能となる。
【０００７】
本発明の電子放出素子では、エピタキシャル構造体は、一辺が１μｍの正方形の領域内に収容可能な平坦な先端面と、先端面の面積よりも大きな面積の側面とを有するのが好ましい。このように、エピタキシャル構造体は細長い形状を有する。
【０００８】
本発明の電子放出素子では、ベース部を更に備え、エピタキシャル構造体はベース部の一端に形成されているのが好ましい。ベース部上にエピタキシャル構造体が形成されているので、ベース部を介することによってエピタキシャル構造体の移動等が容易となる。
【０００９】
本発明の電子放出素子では、ベース部はダイヤモンド結晶を含み、エピタキシャル構造体の形成されているベース部の表面の面方位は（１１１）、（１１２）又は（１００）であるのが好ましい。このような面方位によって、エピタキシャル構造体の形成が良好に行える。
【００１０】
本発明の電子放出素子では、ベース部の表面の一部又は全部に形成されダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル膜を更に備えるのが好ましく、エピタキシャル膜は、エピタキシャル構造体と同一の材料を含むのが好ましく、また、エピタキシャル膜は、エピタキシャル構造体と一体に形成されているのが好ましい。そして、ベース部の表面に含まれエピタキシャル膜の形成されている領域の面方位は（１１１）、（１１２）又は（１００）であるのが好ましい。このような面方位によって、エピタキシャル膜の成膜が良好に行える。
【００１１】
本発明の電子放出素子では、エピタキシャル膜上に設けられた金属膜を更に備え、金属膜は、エピタキシャル膜に接合されているのが好ましい。この金属膜に電流を流すことによって電子放出素子は電子銃として利用可能となる。
【００１２】
本発明の電子放出素子では、エピタキシャル構造体は、Ｌｉ、Ｐ、Ｓ、Ｎのうちの一又は複数の元素を含むｎ型ドーパントを含有し、エピタキシャル構造体のｎ型ドーパントの濃度は、１×１０１３〜１×１０２２ｃｍ−３であり、エピタキシャル構造体の活性化エネルギーは、０．１０〜４．０ｅＶであるのが好ましい。このように、エピタキシャル構造体は、ドーパントを含有することによって比較的低い活性化エネルギーを有するので、ダイヤモンドの比較的低い仕事関数と、この比較的低い活性化エネルギーとによって、十分な電子放出性能を実現できる。
【００１３】
本発明の電子放出素子では、エピタキシャル構造体は、Ｂの元素を含むｐ型ドーパントを含有し、エピタキシャル構造体のｐ型ドーパントの濃度は、１×１０１３〜１×１０２２ｃｍ−３であり、エピタキシャル構造体の活性化エネルギーは、０．３０〜２．０ｅＶであるのが好ましい。このように、エピタキシャル構造体は、ドーパントを含有することによって比較的低い活性化エネルギーを有するので、ダイヤモンドの比較的低い仕事関数と、この比較的低い活性化エネルギーとによって、十分な電子放出性能を実現できる。
【００１４】
本発明の電子放出素子では、ベース部は、Ｉｂ型、ＩＩａ型及びＩＩｂ型のうち少なくとも一の型のダイヤモンド結晶を含むのが好ましく、ベース部はヘテロエピタキシャル構造を有するのが好ましい。このようなベース部の結晶構造の場合に、ｎ型ドーパントを含むエピタキシャル構造体５をベース部の表面に形成できる。
【００１５】
本発明の電子放出素子では、エピタキシャル構造体の先端部は階段状に先細る形状を有するのが好ましい。このように、エピタキシャル構造体の先端部は様々な形状が可能である。
【００１６】
本発明の電子放出素子の作製方法は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱を包含可能な形状を有しておりＩｂ型、ＩＩａ型又はＩＩｂ型の何れか一の型のダイヤモンド結晶を含むダイヤモンド基材の一端部を研磨しメサ形状にする工程と、メサ形状の端部をエッチングすることによって、円柱内に収容可能な形状を有するダイヤモンド突起部を形成する工程と、ダイヤモンド突起部を形成した後、該ダイヤモンド突起部の設けられたダイヤモンド基材の表面上にｎ型又はｐ型のドーパントを含有するダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体を、プラズマＣＶＤ法によってダイヤモンド突起部に沿って成長させる工程と、を備える、ことを特徴とする。このように、本発明の電子放出素子は、ダイヤモンド基材にダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体が形成された構成を有しているので、ダイヤモンドの比較的低い仕事関数によって比較的低温における電子放出が可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、比較的低温及び低引き出し電圧のもとであっても電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態に係る電子放出素子の断面構成を示す図である。
【図２】実施形態に係るエピタキシャル構造体のバリエーションを示す図である。
【図３】実施形態に係る電子放出素子の作製方法を説明するための図である。
【図４】実施形態に係るエピタキシャル構造体の撮影画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、以下に示す数値は所定の誤差を含む。図１に、実施形態に係る電子放出素子２の断面構成を示す。電子放出素子２は、ベース部４、エピタキシャル構造体５、エピタキシャル膜６及び金属膜７を備える。
【００２０】
ベース部４は、Ｉｂ型、ＩＩａ型及びＩＩｂ型の何れか一の型のダイヤモンド結晶から成る。後述するエピタキシャル膜６をベース部４の表面に数μｍオーダの厚みに形成する場合、ダイヤモンドの硬度が高いこと、エピタキシャル膜６とベース部４との熱膨張係数が異なること、更に、ピタキシャル膜６とベース部４とにおいて格子定数にずれが生じること等によって、エピタキシャル膜６中に歪みが生じ、この歪みによってエピタキシャル膜６に割れ等が生じる場合がある。しかし、ベース部４が、Ｉｂ型、ＩＩａ型又はＩＩｂ型のダイヤモンド結晶の場合、このような割れ等は低減され、良質なエピタキシャル膜６が形成可能となる。なお、ベース部４は、ヘテロエピタキシャル構造を有していてもよい。このヘテロエピタキシャル構造は、ダイヤモンド結晶が、エピタキシャル成長によって、例えば、シリコン（１００）面、白金（１１１）面、Ｉｒ（１００）面、又は、ＳｉＣ（１００）面等において形成された構成である。
【００２１】
エピタキシャル構造体５は、ベース部４の一端に形成されている。エピタキシャル構造体５は、ダイヤモンド結晶を含み、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有するが、電子放出素子２を電子銃チップとして用いる場合には、十分な電界集中を実現するために１０〜４００μｍの高さと、５〜１００μｍの太さ（高さ方向に垂直な断面の径の最大値であり、以下同様）とを有する形状が好ましい。エピタキシャル構造体５は、この円柱内に収容されるものであって、細長い形状を有するものであれば、円錐（又は円錐台）、円柱、角錐（又は角錐台）、角柱等のうち何れの形状であってもよい。例えば、図２（Ａ）に示すエピタキシャル構造体５ａ、図２（Ｂ）に示すエピタキシャル構造体５ｂ、図２（Ｃ）に示すエピタキシャル構造体５ｃ及び図２（Ｄ）に示すエピタキシャル構造体５ｄ等であってもよい。
【００２２】
エピタキシャル構造体５ａは、円錐形状、又は、円錐台形状を有している。この円錐台形状の端面（エピタキシャル構造体５ａの先端面）は、平坦であってもよいし、仮想的な球面の一部と同形状であってもよい。エピタキシャル構造体５ｂは、円柱形状を有している。エピタキシャル構造体５ｂの先端面は、平坦であるが、仮想的な球面の一部と同形状であってもよい。エピタキシャル構造体５ｃは、円柱に円錐又は円錐台が接合された形状を有している（すなわち、エピタキシャル構造体５ｃの端部の形状は円錐又は円錐台となっている）。円錐又は円錐台は円柱の端面に設けられており、円柱の端面と、円錐又は円錐台の底面（円錐台の場合、二つの端面のうち大きい方の端面を意味する）とは同一の形状である。円錐台の端面（エピタキシャル構造体５ｃの先端面）は、平坦であってもよいし、仮想的な球面の一部と同形状であってもよい。エピタキシャル構造体５ｄは、端部が階段状に先細る形状を有している。エピタキシャル構造体５ｄの先端面は、この階段状を成す形状の最も先端にある面である。このエピタキシャル構造体５ｄの先端面は、平坦であってもよいし、仮想的な球面の一部と同形状であってもよい。以上のエピタキシャル構造体５ａ〜エピタキシャル構造体５ｄ等のエピタキシャル構造体５の先端面は、一辺が１μｍの正方形の領域内に収容可能である。そして、エピタキシャル構造体５ａ〜エピタキシャル構造体５ｄ等のエピタキシャル構造体５の側面は、エピタキシャル構造体５の先端面の面積よりも大きいので、エピタキシャル構造体５は細長い形状を有する。
【００２３】
エピタキシャル構造体５とエピタキシャル膜６とは一体に形成されている。エピタキシャル膜６は、ベース部４の表面（全表面又は一部）に形成されており、ベース部４の表面の一部又は全部を覆っている。なお、エピタキシャル膜６は、ベース部４の表面のうち、少なくとも、金属膜７の形成されている部分に形成されている。
【００２４】
エピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６は、より多くのキャリアを活性化させるために、比較的低い活性化エネルギーを有する必要がある。Ｐドープされたダイヤモンド結晶は、活性化エネルギーが比較的低い０．６０ｅＶ程度なのでエピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６に好適である。Ｎドープされたダイヤモンド結晶も活性化エネルギーが比較的低い１．７ｅＶ程度なのでエピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６に好適である。Ｓドープされたダイヤモンド結晶も活性化エネルギーが比較的低い０．３０〜０．４０ｅＶ程度なのでエピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６に好適である。Ｌｉドープされたダイヤモンド結晶も活性化エネルギーが比較的低い０．１０ｅＶなのでエピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６に好適である。
【００２５】
このように、エピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６は、Ｌｉ（リチウム）、Ｐ（リン）、Ｓ（硫黄）、Ｎ（窒素）のうちの一又は複数の元素を含むｎ型ドーパントを含有してもよいし、Ｂ（ホウ素）の元素を含むｐ型ドーパントを含有してもよい。エピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６がｎ型ドーパントを含有する場合、このｎ型ドーパントの濃度は、１×１０１３〜１×１０２２ｃｍ−３であり、この場合のエピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６の活性化エネルギーは、０．１０〜４．０ｅＶである。エピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６がｐ型ドーパントを含有する場合、このｐ型ドーパントの濃度は、１×１０１３〜１×１０２２ｃｍ−３であり、この場合のエピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６の活性化エネルギーは、０．３０〜２．０ｅＶである。
【００２６】
また、ベース部４の表面に含まれエピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６の形成されている領域の面方位は、Ｐドープされたダイヤモンド膜がもっとも成長しやすいとされる（１１１）面が好ましいが、（００１）面又は（１１２）面であってもよい。実際に、発明者は、これらの面方位の面上において成長させたＰドープされた５μｍ以上の厚みのダイヤモンド膜が均質に形成できたことを確認している。
【００２７】
金属膜７は、ダイヤモンド結晶に対し高密着性、高温耐性、オーム性接触が可能なものが適しており、例えばＴｉ／Ｗ（チタン／タングステン）から成る。このＴｉ層はエピタキシャル膜６又はベース部４に接合されている。Ｔｉ層上には、Ｗ以外の他の金属層が設けられていてもよい。Ｔｉはダイヤモンドに対して比較的良好な電気的接触をとることのできる金属であり、金属―半導体間の電子注入効率が最も良いと考えられるが、Ｔｉに限らずダイヤモンドにおけるオーミック電極として知られる周知の金属、周知の成膜方法が利用可能である。そして、金属膜７には、電極Ｐが接続される。
【００２８】
以下、図３を参照し、電子放出素子２の作製方法について説明する。まず、図３（Ａ）に示すように、ダイヤモンド基材４ａを用意する。ダイヤモンド基材４ａは、１０００μｍの高さを有する円柱を包含可能な形状（この円柱よりも大きな形状）を有しており、ベース部４の材料（Ｉｂ型、ＩＩａ型又はＩＩｂ型の何れか一の型のダイヤモンド結晶）を含む。次に、ダイヤモンド基材４ａの端面８ａを研磨し、図３（Ｂ）に示すようなメサ形状に形成する。ダイヤモンド基材４ａは、この結果、端面８ａ側がメサ形状（メサ形状部分１０）に形成されたダイヤモンド基材４ｂとなる。ダイヤモンド基材４ｂはメサ形状部分１０を有している。
【００２９】
次に、メサ形状部分１０の端面８ｂに金属薄膜のマスク９を形成し、ＩＣＰエッチング装置（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を用いてメサ形状部分１０をエッチングし、図３（Ｃ）に示すようなダイヤモンド突起部４ｃを形成する。メサ形状部分１０がエッチングされることによって、ダイヤモンド基材４ｂから、ベース部４、ダイヤモンド突起部４ｃ及び端面８ｃが形成される。ダイヤモンド突起部４ｃは、ベース部４の端面８ｃに形成されており、端面８ｃの上方に延びる形状を有する。端面８ｃを含むベース部４の表面の面方位は、（１１１）、（１１２）又は（１００）である。
【００３０】
この後、図３（Ｄ）に示すように、プラズマＣＶＤ法を用いて、ベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面にダイヤモンド結晶から成るエピタキシャル膜６ａを成膜する。プラズマＣＶＤ法を用いる前に、ベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面が水素プラズマに曝される。これによりベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面を正常かつ平坦に整えることができる。プラズマＣＶＤ法を用いたエピタキシャル膜６ａの成膜工程は、プラズマの集中による異常成長やエッチング等を回避するために、ダイヤモンド突起部４ｃを、プラズマを発生させる二つの電極間に生じる電界の向きに対し垂直となるように、換言すれば、ダイヤモンド突起部４ｃの軸がこの電界の向きに対しほぼ垂直となる状態で、プラズマＣＶＤ法を用いる。この場合、プラズマの周り込み等も生じ、３６０度全てのオフ角でエピタキシャル成長が可能であり、均等なエピタキシャル膜６ａが形成される。エピタキシャル膜６ａがＰドープされる場合、ダイヤモンド突起部４ｃの面のうち、電極に対向する面は（１１１）面（又は（００１）面）が好ましいが、Ｂドープされる場合には、（００１）面が好ましい。
【００３１】
エピタキシャル膜６ａは、ｎ型のドーパント（Ｌｉ、Ｐ、Ｓ、Ｎのうちの一又は複数の元素を含むドーパント）、又は、ｐ型のドーパント（Ｂの元素を含むドーパント）を含有する。なお、エピタキシャル膜６ａがＢの元素を含むｐ型ドーパントを含有する場合、ベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面に含まれるエピタキシャル膜６ａの形成される部分の好ましい面方位は、（１１１）や（００１）である。エピタキシャル膜６ａの厚みは、例えば、０．５〜２μｍが好ましい。
【００３２】
そして、図３（Ｅ）に示すように、エピタキシャル膜６ａが成膜された後、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）法、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法及びＩＣＰ法の何れか一又は二以上の加工方法を用いて、ダイヤモンド突起部４ｃの一部又は全部を除去すると共に、エピタキシャル膜６ａに含まれている部分であってダイヤモンド突起部４ｃの側面に形成された領域（ダイヤモンド突起部４ｃに沿ってベース部４の表面から延びている領域）を所望の立体形状（例えば円錐形状や円柱形状等）に整形し、エピタキシャル構造体５を形成する（すなわち、ダイヤモンド突起部４ｃはエピタキシャル構造体５のテンプレートとなっており、よって、エピタキシャル構造体５は、このテンプレートに沿って成長されたものということができる）。この場合、エピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６がエピタキシャル膜６ａから形成される。エピタキシャル構造体５は、一辺が１μｍの正方形の領域内に収容可能な平坦な先端面と、この先端面の面積よりも大きな面積の側面とを有し、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。そして、この整形工程の後、Ｔｉ／Ｗから成る金属膜７をエピタキシャル膜６上に形成する。以上の工程によって、電子放出素子２が作製される。なお、この整形加工は、金属膜７をエピタキシャル膜６ａの全体に形成した後においても行える。なお、図３（Ｅ）に示す断面図は、図１に示す断面に対し垂直な断面の様子を示している。
【００３３】
以上説明した構成を有する電子放出素子２は、エピタキシャル構造体５の仕事関数が比較的低いので、比較的低温において比較的低い引き出し電圧によって電子放出が可能となる。更に、エピタキシャル構造体５は、ｎ型又はｐ型のドーパントを含有することによって比較的低い活性化エネルギーを有するので、ダイヤモンドの比較的低い仕事関数と、この比較的低い活性化エネルギーとによって、十分な電子放出性能を実現できる。
【００３４】
また、電子放出素子２は、エピタキシャル構造体５からショットキー放出できるので、安定性が良い。すなわち、熱放出・電界放出それぞれのモードで動作させる構造を作ることができることに加え、熱電界によるショットキー放出を行うことができる。この放出モードは、熱による電子放出の安定性と、電界放出による放出電子のばらつきの少ない運動量、すなわち、低エネルギー分散性と、を実現できる。
【００３５】
また、エピタキシャル構造体５のドーピング構造を選択することによってエピタキシャル構造体５の活性化エネルギーを制御できるので、エピタキシャル構造体５の安定動作温度・電圧条件をコントロールできる。このように、電界放出用、熱電子放出用又は熱電界電子放出用等のそれぞれの電子放出モードに適したドーピング構造を提供できる。
【００３６】
また、金属膜７が設けられているので、金属膜７に電圧を加えることによって電子放出素子２を電子銃として利用可能となる。また、エピタキシャル構造体５は、一辺が１μｍの正方形の領域内に収容可能な平坦な先端面と、この先端面の面積よりも大きな面積の側面とを有するので、細長い形状となっている。また、エピタキシャル構造体５の先端面を含むエピタキシャル構造体５の端部は階段状に先細る形状を有してもよく、このように、エピタキシャル構造体５の端部は様々な形状が可能である。
【００３７】
また、電子放出素子２はベース部４を更に備え、エピタキシャル構造体５はベース部４の一端に形成されているので、ベース部４を介することによってエピタキシャル構造体５の移動等が容易となる。また、ベース部４の表面においてエピタキシャル構造体５の形成されている領域の面方位は（１１１）、（１１２）又は（１００）となっているので、エピタキシャル構造体５及びエピタキシャル膜６の形成が良好に行える。また、ベース部４は、Ｉｂ型、ＩＩａ型及びＩＩｂ型のうち少なくとも一の型のダイヤモンド結晶を含むので、このようなベース部４の結晶構造の場合に、ｎ型ドーパントを含むエピタキシャル膜６をベース部４の表面に形成できる。
【００３８】
なお、エピタキシャル構造体５の表面に導体被覆膜を設けてもよい。この導体被覆膜は、金属又は金属的な良導体であって、エピタキシャル構造体５の先端部（電子放出部）の除くエピタキシャル構造体５の他の表面を覆う。このような導体被覆膜は、次のようにして形成される。まず、エピタキシャル構造体５の全体（エピタキシャル構造体５の先端部を含む）をこの導体被覆膜で被覆し、この後、ＦＩＢ等の周知のナノスケールの加工方法を用いて、電子放出部を覆う導体被覆膜をエッチングし、この電子放出部のダイヤモンドの表面を露出させる。このようにして、電子放出部を除くエピタキシャル構造体５の表面を被覆する導体被覆膜が形成される。また、導体被覆膜は、次のようにしても形成できる。まず、エピタキシャル構造体５の先端部をマスクする。そして、この後、スパッタ法によって、Ｔｉ（厚さ２００ｎｍ程度のチタンの膜）とＷ（厚さ１μｍ程度のタングステンの膜）とから成る金属層を形成してマスクを除去する。
【実施例１】
【００３９】
次に、実施例１に係る電子放出素子２の具体的な作製方法について説明する。実施例１に係る電子放出素子２は、電子銃に用いることを想定して作製された。ダイヤモンド基材４ａをＩＩｂ型のダイヤモンド結晶を含む基材とし、ＩＣＰエッチング装置を用いて、高さ３０μｍ、太さ６μｍのダイヤモンド突起部４ｃとベース部４とをダイヤモンド基材４ａから形成した。この場合のベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面の面方位は（１１１）であり、この面に対しプラズマＣＶＤ法によってＰドープされたエピタキシャル膜６ａを成膜した。この後、ＦＩＢ法等を用いて、ダイヤモンド突起部４ｃの一部又は全部を除去すると共に、ダイヤモンド突起部４ｃの側面に形成されたエピタキシャル膜６を、高さ３０μｍ、太さ１０μｍのエピタキシャル構造体５に整形した。本実施例１の電子放出素子２のＳＥＭ写真を図４に示す。
【実施例２】
【００４０】
次に、実施例２に係る電子放出素子２の具体的な作製方法について説明する。実施例２に係る電子放出素子２は、電子銃に用いることを想定して作製された。ダイヤモンド基材４ａをＩＩａ型のダイヤモンド結晶を含む基材とし、ＩＣＰエッチング装置を用いて、高さ３０μｍ、太さ６μｍのダイヤモンド突起部４ｃとベース部４とをダイヤモンド基材４ａから形成した。この場合のベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面の面方位は（１１１）であり、この面に対しプラズマＣＶＤ法によって、摂氏８７０度及び３００Ｗ（ワット）のもとで、Ｈ２ガス、ＣＨ４ガス及びＰＨ３ガスを導入し、５時間かけて２μｍの膜厚のＰドープされたエピタキシャル膜６ａを成膜した。この後、ＦＩＢ法等を用いて、ダイヤモンド突起部４ｃの一部又は全部を除去すると共に、ダイヤモンド突起部４ｃの側面に形成されたエピタキシャル膜６を、高さ３０μｍ、太さ１０μｍのエピタキシャル構造体５に整形した。摂氏１０００度、引き出し電圧３．５ｋＶのもとで、本実施例２の電子銃チップから１００μＡのエミッション電流が得られた。
【実施例３】
【００４１】
次に、実施例３に係る電子放出素子２の具体的な作製方法について説明する。実施例３に係る電子放出素子２は、電子銃に用いることを想定して作製された。ダイヤモンド基材４ａをＩＩａ型のダイヤモンド結晶を含む基材とし、ＩＣＰエッチング装置を用いて、高さ３０μｍ、太さ６μｍのダイヤモンド突起部４ｃとベース部４とをダイヤモンド基材４ａから形成した。そして、ダイヤモンド基材４ａをＦＩＢ法等を用いて切削し、ダイヤモンド基材４ａの表面を平坦に加工した。この場合のベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面の面方位は（１１１）であり、この面に対しプラズマＣＶＤ法によって、摂氏８７０度及び３００Ｗ（ワット）のもとで、Ｈ２ガス、ＣＨ４ガス及びＰＨ３ガスを導入し、５時間かけて２μｍの膜厚のＰドープされたエピタキシャル膜６ａを成膜した。この後、ＦＩＢ法等を用いて、ダイヤモンド突起部４ｃの側面に形成されたエピタキシャル膜６を、高さ３０μｍ、太さ１０μｍのエピタキシャル構造体５に整形した。摂氏１０００度、引き出し電圧３．５ｋＶのもとで、本実施例３の電子銃チップから１００μＡのエミッション電流が得られた。
【実施例４】
【００４２】
次に、実施例４に係る電子放出素子２の具体的な作製方法について説明する。実施例４に係る電子放出素子２は、電子銃に用いることを想定して作製された。ダイヤモンド基材４ａをＩＩａ型のダイヤモンド結晶を含む基材とし、ＩＣＰエッチング装置を用いて、高さ３０μｍ、太さ６μｍのダイヤモンド突起部４ｃとベース部４とをダイヤモンド基材４ａから形成した。そして、ダイヤモンド基材４ａをＦＩＢ法等を用いて切削し、ダイヤモンド基材４ａの表面を平坦に加工した。この場合のベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面の面方位は（１１１）であり、この面に対しプラズマＣＶＤ法によって、摂氏８７０度及び３００Ｗ（ワット）のもとで、Ｈ２ガス、ＣＨ４ガス及びＰＨ３ガスを導入し、５時間かけて２μｍの膜厚のＰドープされたエピタキシャル膜６ａを成膜した。この後、ＦＩＢ法等を用いて、ダイヤモンド突起部４ｃの一部又は全部を除去すると共に、ダイヤモンド突起部４ｃの側面に形成されたエピタキシャル膜６を、高さ３０μｍ、太さ１０μｍのエピタキシャル構造体５に整形した。摂氏５００度、引き出し電圧３．５ｋＶのもとで、本実施例４の電子銃チップから１００μＡのエミッション電流が得られた。
【実施例５】
【００４３】
次に、実施例５に係る電子放出素子２の具体的な作製方法について説明する。実施例５に係る電子放出素子２は、電子銃に用いることを想定して作製された。ダイヤモンド基材４ａをＩｂ型のダイヤモンド結晶を含む基材とし、ＩＣＰエッチング装置を用いて、高さ３０μｍ、太さ６μｍのダイヤモンド突起部４ｃとベース部４とをダイヤモンド基材４ａから形成した。そして、ダイヤモンド基材４ａをＦＩＢ法等を用いて切削し、ダイヤモンド基材４ａの表面を平坦に加工した。この場合のベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面の面方位は（１１１）であり、この面に対しプラズマＣＶＤ法によって、摂氏８７０度及び３００Ｗ（ワット）のもとで、Ｈ２ガス、ＣＨ４ガス及びＰＨ３ガスを導入し、５時間かけて２μｍの膜厚のＰドープされたエピタキシャル膜６ａを成膜した。この後、ＦＩＢ法等を用いて、ダイヤモンド突起部４ｃの側面に形成されたエピタキシャル膜６を、高さ３０μｍ、太さ１０μｍのエピタキシャル構造体５に整形した。摂氏１０００度、引き出し電圧３．５ｋＶのもとで、本実施例５の電子銃チップから１００μＡのエミッション電流が得られた。
【実施例６】
【００４４】
次に、実施例６に係る電子放出素子２の具体的な作製方法について説明する。実施例６に係る電子放出素子２は、電子銃に用いることを想定して作製された。ダイヤモンド基材４ａをＩｂ型のダイヤモンド結晶を含む基材とし、ＩＣＰエッチング装置を用いて、高さ３０μｍ、太さ６μｍのダイヤモンド突起部４ｃとベース部４とをダイヤモンド基材４ａから形成した。そして、ダイヤモンド基材４ａをＦＩＢ法等を用いて切削し、ダイヤモンド基材４ａの表面を平坦に加工した。この場合のベース部４及びダイヤモンド突起部４ｃの表面の面方位は（１１１）であり、この面に対しプラズマＣＶＤ法によって、摂氏８７０度及び３００Ｗ（ワット）のもとで、Ｈ２ガス、ＣＨ４ガス及びＰＨ３ガスを導入し、５時間かけて２μｍの膜厚のＰドープされたエピタキシャル膜６ａを成膜した。この後、ＦＩＢ法等を用いて、ダイヤモンド突起部４ｃの一部又は全部を除去すると共に、ダイヤモンド突起部４ｃの側面に形成されたエピタキシャル膜６を、高さ３０μｍ、太さ１０μｍのエピタキシャル構造体５に整形した。摂氏５００度、引き出し電圧３．５ｋＶのもとで、本実施例６の電子銃チップから１００μＡのエミッション電流が得られた。
【００４５】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【００４６】
１０…メサ形状部分、２…電子放出素子、４…ベース部、４ａ，４ｂ…ダイヤモンド基材、４ｃ…ダイヤモンド突起部、５，５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ…エピタキシャル構造体、６，６ａ…エピタキシャル膜、７…金属膜、８ａ，８ｂ，８ｃ…端面、９…マスク、Ｐ…電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体を備え、該エピタキシャル構造体は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する、ことを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
前記エピタキシャル構造体は、一辺が１μｍの正方形の領域内に収容可能な平坦な先端面と、前記先端面の面積よりも大きな面積の側面とを有する、ことを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】
ベース部を更に備え、
前記エピタキシャル構造体は前記ベース部の一端に形成されている、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子放出素子。
【請求項４】
前記ベース部はダイヤモンド結晶を含み、
前記エピタキシャル構造体の形成されている前記ベース部の表面の面方位は（１１１）、（１１２）又は（１００）である、ことを特徴とする請求項３に記載の電子放出素子。
【請求項５】
前記ベース部の表面の一部又は全部に形成されダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル膜を更に備える、ことを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の電子放出素子。
【請求項６】
前記エピタキシャル膜は、前記エピタキシャル構造体と同一の材料を含む、ことを特徴とする請求項５に記載の電子放出素子。
【請求項７】
前記エピタキシャル膜は、前記エピタキシャル構造体と一体に形成されている、ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の電子放出素子。
【請求項８】
前記ベース部の表面に含まれ前記エピタキシャル膜の形成されている領域の面方位は（１１１）、（１１２）又は（１００）である、ことを特徴とする請求項５〜請求項７の何れか一項に記載の電子放出素子。
【請求項９】
前記エピタキシャル膜上に設けられた金属膜を更に備え、
前記金属膜は、前記エピタキシャル膜に接合されている、ことを特徴とする請求項５〜請求項８の何れか一項に記載の電子放出素子。
【請求項１０】
前記エピタキシャル構造体は、Ｌｉ、Ｐ、Ｓ、Ｎのうちの一又は複数の元素を含むｎ型ドーパントを含有し、
前記エピタキシャル構造体の前記ｎ型ドーパントの濃度は、１×１０１３〜１×１０２２ｃｍ−３であり、
前記エピタキシャル構造体の活性化エネルギーは、０．１０〜４．０ｅＶである、ことを特徴とする請求項１〜請求項９の何れか一項に記載の電子放出素子。
【請求項１１】
前記エピタキシャル構造体は、Ｂの元素を含むｐ型ドーパントを含有し、
前記エピタキシャル構造体の前記ｐ型ドーパントの濃度は、１×１０１３〜１×１０２２ｃｍ−３であり、
前記エピタキシャル構造体の活性化エネルギーは、０．３０〜２．０ｅＶである、ことを特徴とする請求項１〜請求項９の何れか一項に記載の電子放出素子。
【請求項１２】
前記ベース部は、Ｉｂ型、ＩＩａ型及びＩＩｂ型のうち少なくとも一の型のダイヤモンド結晶を含む、ことを特徴とする請求項３〜請求項１１の何れか一項に記載の電子放出素子。
【請求項１３】
前記ベース部はヘテロエピタキシャル構造を有する、ことを特徴とする請求項３〜請求項１２の何れか一項に記載の電子放出素子。
【請求項１４】
前記エピタキシャル構造体の先端部は階段状に先細る形状を有する、ことを特徴とする請求項１〜請求項１３の何れか一項に記載の電子放出素子。
【請求項１５】
１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱を包含可能な形状を有しておりＩｂ型、ＩＩａ型又はＩＩｂ型の何れか一の型のダイヤモンド結晶を含むダイヤモンド基材の一端部を研磨しメサ形状にする工程と、
前記メサ形状の前記端部をエッチングすることによって、前記円柱内に収容可能な形状を有するダイヤモンド突起部を形成する工程と、
前記ダイヤモンド突起部を形成した後、該ダイヤモンド突起部の設けられたダイヤモンド基材の表面上にｎ型又はｐ型のドーパントを含有するダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体を、プラズマＣＶＤ法によって前記ダイヤモンド突起部に沿って成長させる工程と、
を備える、ことを特徴とする電子放出素子の作製方法。
【請求項１】
ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体を備え、該エピタキシャル構造体は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する、ことを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
前記エピタキシャル構造体は、一辺が１μｍの正方形の領域内に収容可能な平坦な先端面と、前記先端面の面積よりも大きな面積の側面とを有する、ことを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】
ベース部を更に備え、
前記エピタキシャル構造体は前記ベース部の一端に形成されている、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子放出素子。
【請求項４】
前記ベース部はダイヤモンド結晶を含み、
前記エピタキシャル構造体の形成されている前記ベース部の表面の面方位は（１１１）、（１１２）又は（１００）である、ことを特徴とする請求項３に記載の電子放出素子。
【請求項５】
前記ベース部の表面の一部又は全部に形成されダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル膜を更に備える、ことを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の電子放出素子。
【請求項６】
前記エピタキシャル膜は、前記エピタキシャル構造体と同一の材料を含む、ことを特徴とする請求項５に記載の電子放出素子。
【請求項７】
前記エピタキシャル膜は、前記エピタキシャル構造体と一体に形成されている、ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の電子放出素子。
【請求項８】
前記ベース部の表面に含まれ前記エピタキシャル膜の形成されている領域の面方位は（１１１）、（１１２）又は（１００）である、ことを特徴とする請求項５〜請求項７の何れか一項に記載の電子放出素子。
【請求項９】
前記エピタキシャル膜上に設けられた金属膜を更に備え、
前記金属膜は、前記エピタキシャル膜に接合されている、ことを特徴とする請求項５〜請求項８の何れか一項に記載の電子放出素子。
【請求項１０】
前記エピタキシャル構造体は、Ｌｉ、Ｐ、Ｓ、Ｎのうちの一又は複数の元素を含むｎ型ドーパントを含有し、
前記エピタキシャル構造体の前記ｎ型ドーパントの濃度は、１×１０１３〜１×１０２２ｃｍ−３であり、
前記エピタキシャル構造体の活性化エネルギーは、０．１０〜４．０ｅＶである、ことを特徴とする請求項１〜請求項９の何れか一項に記載の電子放出素子。
【請求項１１】
前記エピタキシャル構造体は、Ｂの元素を含むｐ型ドーパントを含有し、
前記エピタキシャル構造体の前記ｐ型ドーパントの濃度は、１×１０１３〜１×１０２２ｃｍ−３であり、
前記エピタキシャル構造体の活性化エネルギーは、０．３０〜２．０ｅＶである、ことを特徴とする請求項１〜請求項９の何れか一項に記載の電子放出素子。
【請求項１２】
前記ベース部は、Ｉｂ型、ＩＩａ型及びＩＩｂ型のうち少なくとも一の型のダイヤモンド結晶を含む、ことを特徴とする請求項３〜請求項１１の何れか一項に記載の電子放出素子。
【請求項１３】
前記ベース部はヘテロエピタキシャル構造を有する、ことを特徴とする請求項３〜請求項１２の何れか一項に記載の電子放出素子。
【請求項１４】
前記エピタキシャル構造体の先端部は階段状に先細る形状を有する、ことを特徴とする請求項１〜請求項１３の何れか一項に記載の電子放出素子。
【請求項１５】
１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱を包含可能な形状を有しておりＩｂ型、ＩＩａ型又はＩＩｂ型の何れか一の型のダイヤモンド結晶を含むダイヤモンド基材の一端部を研磨しメサ形状にする工程と、
前記メサ形状の前記端部をエッチングすることによって、前記円柱内に収容可能な形状を有するダイヤモンド突起部を形成する工程と、
前記ダイヤモンド突起部を形成した後、該ダイヤモンド突起部の設けられたダイヤモンド基材の表面上にｎ型又はｐ型のドーパントを含有するダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体を、プラズマＣＶＤ法によって前記ダイヤモンド突起部に沿って成長させる工程と、
を備える、ことを特徴とする電子放出素子の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−９０４１（Ｐ２０１１−９０４１Ａ）
【公開日】平成２３年１月１３日（２０１１．１．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１５０７８３（Ｐ２００９−１５０７８３）
【出願日】平成２１年６月２５日（２００９．６．２５）
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月１３日（２０１１．１．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月２５日（２００９．６．２５）
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
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