【課題】ダイヤモンド膜が設けられた雰囲気から酸素を取り除き、水素が離脱したダイヤモンド表面に酸素が吸着しないようにすることができる電子放出素子を提供する。
【解決手段】容器４内に容器４内の酸素を取り除くための酸素吸着剤８を設ける。このように容器４内に酸素吸着剤８を設けることにより、容器４内に存在する酸素を酸素吸着剤８に吸着させることができ、容器４内から酸素を除去することができる。このため、エミッタ電極１およびコレクタ電極２を構成するダイヤモンド膜の各表面１ａ、２ａから水素が離脱したとしても、水素が抜けたダングリングボンドに酸素が吸着することを防止することができる。したがって、電子放出の確率の低下、発光効率、電界放出電子の放出確率、熱電子発電の発電効率の低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 電子放出性能を向上可能な突起構造体を提供する。
【解決手段】 突起構造体１は、基体部２と突起部３とからなる。突起部３は、基体部２上に設けられている。基体部２及び突起部３はダイヤモンド結晶を含む。突起部３の先端３２から基体部２と突起部３との境界面Ｓまでの距離ｈ３は、１０μｍ以上１０００μｍ以下である。突起部３は、境界面Ｓから先端３２に向けて先細る形状を有している。突起部３の側面３１は、突起部３の内側に湾曲している。突起部３の先端径は、１０ｎｍ以上３０μｍである。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてデバイス特性の向上が可能な電子デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスである電子源１０は、基板１１と、この基板１１の一表面側に形成された第１の電極である下部電極２と、この下部電極２の基板１１側とは反対側で下部電極２に対向する第２の電極である表面電極７と、下部電極２と表面電極７との間に設けられ、第１の多結晶半導体層を電解液により陽極酸化処理することによって形成された多数の微結晶半導体３３を具備した機能層５ａとを備える。下部電極２と機能層５ａとの間において機能層５ａの直下に、第１の多結晶半導体層よりも電解液による陽極酸化速度が遅く第１の多結晶半導体層を選択的に陽極酸化処理するストップ層となる第２の多結晶半導体層３ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】有機バインダのみに依存せずに機械的膜強度が確保でき、平坦形状が簡便に得られ膜内に気泡を抱え込むことがなく、また、ナノチューブ以外の不純物を必要以上に除去するような複雑なＣＮＴ精製工程を無くすことを可能とし、バンドル径増大による電子放出特性の劣化を軽減できるＣＮＴ膜を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）及び粒子状不純物を含むＣＮＴ膜１２は、断面及び表面構造におけるＣＮＴ１２ａと粒子状不純物との面積比が０．５：９９．５〜４０：６０の範囲に設定されている。このようなＣＮＴ膜１２において、粒子状不純物を、ＣＮＴ１２ａを製造する際にＣＮＴ１２ａと共に得られる不純物で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】負の電子親和力を持つｎ型ダイヤモンド半導体への電流注入のみを用いて、室温動作する電子源を提供する。
【解決手段】水素終端によって負の電子親和力表面を有した5×10¹⁹cm^-3未満の濃度のリンドープダイヤモンドで構成されバンド伝導を有しているｎ型ダイヤモンド半導体層１と該ｎ型ダイヤモンド半導体層に少なくとも正極がショットキー電極で構成された電極２、３とを含み、電極２、３間にバイアスを印加して電流を流すことにより、外部に電子放出することを特徴とする電子源。 （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体５を備え、エピタキシャル構造体５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル構造体５はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル膜６と、エピタキシャル膜６が形成された領域を含む表面を有するダイヤモンド突起部５とを備える。ダイヤモンド突起部５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル膜６はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】電子線及び電子ビーム機器や真空管、特に、電子顕微鏡や電子ビーム露光機に使用される、ダイヤモンドを用いた高輝度でエネルギー幅が狭いダイヤモンド電子源の提供。
【解決手段】柱形の単結晶ダイヤモンドを用いた電子源であって、電子放出部１１と通電加熱部１２とで構成され、該電子放出部は柱の端面に高さ１０μｍ以上且つ先端曲率半径５μｍ以下の先鋭突起を一ヶ所にのみ有し、該電子放出部の単結晶ダイヤモンド中に最も多く含まれる不純物は窒素であって該窒素の濃度は１×１０^１７ｃｍ^−３以上であり、該通電加熱部の室温（２５℃）端子間抵抗は５００Ω以下であるダイヤモンド電子源。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法によってＳｉＯ₂を主成分とする層を積層した基板上に、良好なカーボン膜を備えた電子放出素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基体１上にＣＶＤ法によって、Ｎの元素比率が２％以下であるＳｉＯ₂を主成分とする層８を形成して基板１とし、その上に素子電極２，３、導電性膜４を形成し、さらに、活性化処理によってカーボン膜６を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 高電子放出量、高電流密度の電子放出素子および電子放出装置を提供する。
【解決手段】 電子放出素子は、導電性基板と、前記導電性基板上に形成された第１導電型の第１のダイヤモンド層と、前記第１のダイヤモンド層上に形成された第１導電型の第２のダイヤモンド層とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 大電流・高収束電子ビームを発生させるために望ましい先端形状である球面を制御性よく形成することができるダイヤモンド電子源の製造方法とダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】 本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層を酸水溶液によって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。該工程Ａ及び該工程Ｂをダイヤモンド電子源の製造工程で実施することによって、先端がダイヤモンド表面である球面形状となる結果、大電流・高収束電子ビームを発生させるために最適なダイヤモンド電子源となり、角電流密度や輝度といった電子源性能で従来電子源を凌駕することができる。 （もっと読む）

【課題】 大電流・高収束電子ビームを発生させるために望ましい先端形状である球面を制御性よく形成することができるダイヤモンド電子源の製造方法とダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】 本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層をプラズマによって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。該工程Ａ及び該工程Ｂをダイヤモンド電子源の製造工程で実施することによって、先端がダイヤモンド表面である球面形状となる結果、大電流・高収束電子ビームを発生させるために最適なダイヤモンド電子源となり、角電流密度や輝度といった電子源性能で従来電子源を凌駕することができる。 （もっと読む）

【課題】低電界でビーム収束した電子放出を実現し、低電圧で高効率な電子放出が可能で、製造プロセスが容易な電界放出型の電子放出素子、電子源、及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子の製造方法は、絶縁性または半導電性の層を備えた基体を予め用意する工程と、水素を含む中性ラジカルを含む雰囲気に前記層を曝す工程とを有し、当該絶縁性または半導電性の層が金属粒子を含有していること、当該絶縁性または半導電性の層が炭素を主成分とすること、当該水素を含む中性ラジカルが、Ｈ・、ＣＨ_３・、Ｃ_２Ｈ_５・、Ｃ_２Ｈ・、または、それらの混合気体であること、当該水素を含む中性ラジカルの濃度が、当該雰囲気中の荷電粒子の濃度と比較して１０００倍以上であること、及び、当該雰囲気に当該絶縁性または半導電性の層を曝す工程は、バイアスグリッドを設けたプラズマ装置を用いて、水素終端を施す工程であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＭ型エミッタを用いたＦＥＤの残像減少を解決する。
【解決手段】
平坦な基板上に形成された下部電極、絶縁層、および上部電極をこの順で重ねて構成された金属−絶縁層−金属型のダイオード素子であって、前記下部電極が、アルミニウム合金の単層膜、あるいはアルミニウム合金を含む積層膜からなり前記絶縁層が、前記下部電極の表面を陽極酸化処理で形成した非晶質な酸化膜からなり、前記絶縁層中における合金添加元素の面積濃度が1.1×10¹⁴cm-2以下に制限する。このような構成によって残像回復時間を２秒以下にする。 （もっと読む）

【課題】表面積が大きく、表面における導電性が高く、電気化学特性が経時変化しにくいダイヤモンド電極、触媒担持電極、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基材の少なくとも表面近傍を含むドーパント領域に、ホウ素、窒素、アルミニウム、ケイ素、リン、硫黄、銅、ヒ素、モリブデン、白金、及び金のうち1種類以上のドーパントが３×１０²⁰〜８×１０²¹個／ｃｍ³の濃度でドープされたダイヤモンド基材に対し、酸素ガスによるドライエッチングによってダイヤモンド基材の表面を処理することによりダイヤモンド基材の表面に針状突起３配列構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電子顕微鏡などの電子線機器に用いられる電子放射点として、微細加工プロセスにおいてレジスト塗布が困難なサイズの柱状ダイヤモンド単結晶の片端に、一ヶ所の先鋭部を形成したダイヤモンド電子源及びその方法を提供する。
【解決手段】 柱状ダイヤモンド単結晶１０片端を研磨して滑らかな平面１１を形成し、滑らかな平面１１上にセラミック層１２を形成する。このセラミック層１２上に、集束イオンビーム装置を用いて所定形状の薄膜層１４を堆積した後、この薄膜層１４をマスクとして、エッチングによりセラミック層１２をパターニングする。得られたセラミックマスクを用いてドライエッチングにより、柱状ダイヤモンド単結晶１０の片端に一ヶ所の先鋭部を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電子源の製造に従来利用されたことのない加工技術を適用することにより、新しい概念のナノサイズの収束を可能とした非金属系の電子源用チップを提供することを目的とする。
【解決手段】 電子源用チップは、導電性を有する非金属材料、例えばダイヤモンドなどからなる。電子源用チップの電子を放出する先端突起部２は、下部突起３と上部突起４とで構成されている。上部突起４を含む先端突起部２の少なくとも一部には、収束イオンビーム（ＦＩＢ）法により、球面や円錐などの曲面形状が形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れ、かつ大電流の電界電子放出が可能な電子エミッタ材料、およびこのような電子エミッタ材料を用いた電子放出応用装置を提供することを目的とする。
【解決手段】炭素発泡体の表面にダイヤモンド粉末を吸着させた後、化学気相蒸着（ＣＶＤ）処理により前記炭素発泡体上にダイヤモンドを成長させた電子エミッタ材料。また、前記ダイヤモンド粉末が、ナノダイヤ粉末である電子エミッタ材料。そして、前記電子エミッタ材料の前面に、電子引き出し用グリッド電極を設置した電子放出応用装置。 （もっと読む）

【課題】
ＣＮＴ等の高輝度荷電電粒子線源からの荷電粒子線を安定に放出し、高分解能で長時間安定な荷電粒子線装置技術を提供する。
【解決手段】
本発明では、表面クリーニング（清浄化）手段を設け、これにより、例えば、ＣＮＴ表面に付着した非晶質のコンタミ膜を除去するよう構成する。そのために、表面クリーニング手段として、反応ガス導入手段５、６とガス活性化手段３０を備え、ＣＮＴ等の電子源１を入れるクリーナーを構成し、使用前に電子源１を処理する構造とする。あるいは、電子銃装置に、反応ガス導入手段とガス活性化手段を組み込み、装置内で表面クリーニングする構成とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜型電子源において、電子放出効率を向上させる。
【解決手段】薄膜型電子源の上部電極の材料として、Ｓｉよりも大きな禁制帯幅を有し、かつ導電性を有する材料を用いる。特に、ＳｎＯ_２やＩＴＯ膜などの導電性酸化物、ＧａＮやＳｉＣなどの広禁制帯幅半導体を用いる。ホットエレクトロンが通過する上部電極（１１）中での電子のエネルギー損失が低減し、電子放出効率が向上する。従来並のダイオード電流の場合、高い放出電流が得られる。一方、従来並の放出電流密度の場合、低駆動電流で済む為、給電線および駆動回路を簡易化できる。 （もっと読む）