【課題】冷陰極装置の真空容器内の真空度を高めるため、容器内の真空排気時に冷陰極から吸着ガスを追い出すためにその冷陰極を昇温させることを実現できる冷陰極装置を提供する。
【解決手段】電圧の印加により電子を放出する冷陰極３と、冷陰極３を加熱するフィラメント４と、冷陰極３を支持する導電性を有した支持軸６と、冷陰極３、ヒータ４及び支持軸６を包囲する真空容器であるガラス管２と、ガラス管２の外部に出ておりフィラメント４につながっているヒータ端子７ａ，７ｂと、ガラス管２の外部に出ており支持軸６につながっている支持体端子７ｃとを有した冷陰極装置１である。ヒータ端子７ａ，７ｂと支持体端子７ｃとは互いに電気的に独立しており、それらに独自に所望の電圧を正確に印加できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子エミッタに関し、特に、カーボンナノチューブを利用した電子エミッタ、その製造方法及び該電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管に関するものである。
【解決手段】本発明の電子エミッタは、チューブ状構造体を有する。チューブ状構造体を有する電子エミッタにおいて、前記電子エミッタは、中空の線状の軸心を有し、前記電子エミッタは、前記線状の軸心を囲む複数のカーボンナノチューブからなり、前記電子エミッタの一つの端部に、複数の電子放出の先端が形成されている。また、本発明は、前記電子エミッタの製造方法及び前記電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管も提供する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出性能を向上可能な突起構造体、及び、この突起構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 突起構造体１は、一辺が１０００μｍの立方体に収容可能である。また、突起構造体１は、基材２と、基材２の先端部２１の端面２２に設けられており端面２２からの高さが１０μｍ以上である突起３と、を備える。さらに、この突起構造体１においては、基材２の端面２２の外周２３から突起３の基端３１までの距離Ｄが５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 電子放出性能を向上可能な突起構造体を提供する。
【解決手段】 突起構造体１は、基体部２と突起部３とからなる。突起部３は、基体部２上に設けられている。基体部２及び突起部３はダイヤモンド結晶を含む。突起部３の先端３２から基体部２と突起部３との境界面Ｓまでの距離ｈ３は、１０μｍ以上１０００μｍ以下である。突起部３は、境界面Ｓから先端３２に向けて先細る形状を有している。突起部３の側面３１は、突起部３の内側に湾曲している。突起部３の先端径は、１０ｎｍ以上３０μｍである。 （もっと読む）

【課題】
本発明は当技術分野で認識された上記技術的課題に鑑みてなされたものであり、（１）引出し電圧を大きくしなくても１．０ｍＡ／ｓｒ以上の高角電流密度動作ができることに加えて、（２）真空劣化を引き起こす余剰な電流を少なくする、という技術的要求をバランスよく実現することができる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明によれば、タングステンの単結晶からなる陰極と、陰極の中腹部に設けられた拡散源とを有する電子源であって、前記陰極先端に形成された（１００）面と（１１０）面との境界近傍から放出される電子が、前記陰極の軸と略平行に放出されるよう、前記陰極の軸方向と前期陰極の＜１００＞方位とのなす角度が調整されてなる電子源によって達成できた。 （もっと読む）

【課題】設計自由度が高く曲げ強度が高く極めてアスペクト比が高いニードルを提供する。
【解決手段】最小幅１μｍ以上の連続領域を保護する膜であるリード保護膜Ｒ１をシリコン基板１００の主面１０１の一カ所以上に形成する工程と、シリコン基板１００の主面１０１のリード保護膜Ｒ１から露出している領域を垂直方向にエッチングすることによって直柱体１０２を形成する工程と、直柱体１０２の内部に酸化されずに残る直柱体領域１０４の横断面最大幅が１μｍ未満になるまでシリコン基板１００を熱酸化する工程と、シリコン基板１００に形成された酸化膜１０３を除去することによって、直柱体領域１０４からなるリードと、底に向かって広がるフレア面を側面とし頂からリード１０４が突出するマウント１０５とを有しシリコンからなるニードル１０を形成する工程と、を含むシリコンナノニードルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】現用のＺｒ／Ｏ／Ｗ電子源よりも電子放出面の仕事関数を減少させ、狭エネルギー幅かつ高電流密度の放出電子が得られ、長寿命な電子源を提供し、高分解能像が短時間に得られる電子顕微鏡や高スループットな電子線描画装置を実現する。
【解決手段】先端を針状にした金属からなる針状電極１０４と、前記針状電極を加熱する発熱体１０３からなる電子源において、前記電子源は前記発熱体により加熱可能な拡散源を有し、酸素を含むバリウム化合物と炭素粒子の混合物を拡散源１０６とする。 （もっと読む）

【課題】 電界放出型電子源の冷陰極を構成する炭素材の表面構造の先鋭化を実現すると共に、その先鋭化を１回の工程で行うことで製造コストを抑える。
【解決手段】 電界が印加されることにより電子を放出する冷陰極を備えた電界放出型電子源の製造方法であって、冷陰極の素材となる炭素材１０を水素酸素混合ガスの燃焼炎１１に暴露することで、該炭素材１０の表面に炭素のナノメートル構造を形成するエッチング処理を行い、得られた炭素材１０で冷陰極を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属下地及びその上に形成されたＣＮＦとからなる線状複合体を、安定して電界電子を放出可能な形状に規定した電界電子放出源用部材及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】頂端に曲率半径を有する円錐体を端部に備えた線状の金属下地と、その上に多数本の炭素ナノファイバーとを具備した線状複合体を改良した電界電子放出源用部材を提供する。その改良は、前記金属下地の頂角を４０〜８０ｄｅｇに限定したことである。この場合、前記線状複合体の電界電子放出面積が１０，０００〜１５，０００ｎｍ^２であったり、あるいは前記円錐体の曲率半径が３〜７μｍであるのが好ましい。また、前記金属下地が、タングステン（Ｗ）上にパラジュウム（Ｐｄ）をスパッタ被覆したものであると良い。さらに、上記電界電子放出源用部材の製造方法をも提供する。 （もっと読む）

【課題】低温動作し、小さいエネルギー幅と低仕事関数を有し、さらに高い角電流密度で長時間安定動作する電子源を提供する。
【解決手段】絶縁碍子５と、絶縁碍子に取り付けられた２つの導電端子４と、導電端子同士を渡るように取り付けられたフィラメント３と、フィラメントに取り付けられた棒状のロッド１と、ロッドの中腹に取り付けられた拡散源２を有し、ロッドがタングステン、モリブデン、タンタル、レニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種以上からなる金属の＜１００＞方位単結晶で形成され、ロッドの先端部には｛１００｝結晶面を露出した電子放出面が形成され、拡散源は酸化バリウム、酸化スカンジウムの複合酸化物からなり、該複合酸化物の酸化バリウムの組成比が５０ｍｏｌ％以上、酸化スカンジウムの組成比が１０〜５０ｍｏｌ％である。 （もっと読む）

【課題】長時間に渡り安定して動作する電子源を提供する。
【解決手段】電子源のエミッタ１１は、先端に｛１００｝結晶面１６ａを電子放出面１６ａとして備える先端部１６を備える＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａを備える。電子放出面１６ａは、仕事関数を低減させるためのＺｒＯ膜で被覆されている。＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａには、補助棒１１ｂ、１１ｃが取り付けられている。＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａと補助棒１１ｂ、１１ｃには、ＺｒとＯを拡散・供給するための拡散源１２が配置されている。補助棒１１ｂ、１１ｃは、＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａの外表面以外に、ＺｒとＯを電子放出面１６ａに拡散供給するための通路を形成する。 （もっと読む）

【課題】キャリアの引き出し効率を向上させることが可能なキャリア放出素子を提供する。
【解決手段】針状の放出部１０の先端部に、電子供給層としてのｐ型半導体層１３Ｐと、電子放出層としての金属層１５とを含む多層膜からなる積層構造を設ける。また、この多層膜内における全ての層間の界面（ｐ型半導体層１３Ｐと絶縁層１４との界面および絶縁層１４と金属層１５との界面）が、放出部１０の伸長方向（Ｚ軸方向）と略垂直となっているようにする。放出部１０における積層構造内の各等電位面Ｓｖも、この放出部１０の伸長方向と略垂直になる。放出部１０から外部へ電子が放出される際に、電子の移動方向が先端部側に向けて揃うことになり、先端部へ向けてキャリア（電子）が集中し易くなる。なお、積層構造としては、ＭＯＳ構造、ショットキー接合構造もしくはヘテロ構造またはこれらの組み合わせを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】電子放出性能を向上可能な電子放出素子、及び、そのような電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】基材３と、基材３の端部３ａに設けられた突起５と、突起５の表面に設けられ導電性を有する導電性皮膜７と、を備え、突起５は、一辺が１０００μｍである立方体内に収容可能な形状を有し、突起５の先端部５ｂの表面は露出しており、導電性皮膜７の厚さは、突起５の基端部５ａから先端部５ｂへ向かう方向に連続的に減少している。 （もっと読む）

【課題】高価な大型（ｍｍ以上クラス）の単結晶ダイヤモンドを利用することなく、ダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】基台部と、その先端に位置する電子放出部とを有し、該電子放出部が、最大径が１０μｍ以上で、（１１１）面と（１００）面とを有するダイヤモンド砥粒であって、該砥粒の電子放出面に高さが５μｍ以上のダイヤモンドの突起が形成されているダイヤモンド砥粒でからなることを特徴とするダイヤモンド電子源。また、前記ダイヤモンド砥粒において、少なくとも砥粒の一部にＣＶＤ法でダイヤモンドが合成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷陰極電界放出型電子源への希土類六ホウ化物の適用を実現し、輝度や電子源の寿命が向上し、エネルギーの広がりも抑制できる電子源を提供する。
【解決手段】高電界により電子放出する冷陰極電界放出型電子源であって、希土類六ホウ化物単結晶ナノファイバが電子源支持針の表面に取り付けることで、上記課題を達成する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体５を備え、エピタキシャル構造体５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル構造体５はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル膜６と、エピタキシャル膜６が形成された領域を含む表面を有するダイヤモンド突起部５とを備える。ダイヤモンド突起部５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル膜６はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子であって素子内に効率よく電子を注入可能なもの、及び、そのような電子放出素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】基３と、該基材３の端部３ａに設けられた突起５と、導電性を有する導電性皮膜７と、を備え、突起５は、突起５の側面に設けられた少なくとも１つの穴部５ｃを有し、導電性皮膜７は、穴部５ｃの内面を含む突起５の表面上に形成されており、突起５の先端部５ｂの表面は露出しており、突起５は一辺が１０００μｍの立方体内に収容可能な形状を有する。 （もっと読む）

【課題】電子線及び電子ビーム機器や真空管、特に、電子顕微鏡や電子ビーム描画装置等の電子光学機器に使用される、量産性に優れ入手の容易な遷移金属炭化物を用いた高輝度電子源を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡、電子ビーム描画装置等の電子光学機器に使用される電子源であって、電子放出部分は表層部と基材部からなり、該表層部は遷移金属炭化物であり、該基材部はダイヤモンド単結晶であることを特徴とする電子源により解決される。 （もっと読む）

【課題】電子線及び電子ビーム機器や真空管、特に、電子顕微鏡に使用される、高輝度高安定性を有する電子ビームが得られる電子銃を提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため本発明に係る電子銃は、電子光学機器に使用される冷陰極電界放出電子銃であって、１０００℃以下で動作し、得られる電子放出特性として、エミッション電流安定性が５％未満で且つ角電流密度が５０μＡ／ｓｒより大きいことを特徴とする。 （もっと読む）