【課題】冷陰極装置の真空容器内の真空度を高めるため、容器内の真空排気時に冷陰極から吸着ガスを追い出すためにその冷陰極を昇温させることを実現できる冷陰極装置を提供する。
【解決手段】電圧の印加により電子を放出する冷陰極３と、冷陰極３を加熱するフィラメント４と、冷陰極３を支持する導電性を有した支持軸６と、冷陰極３、ヒータ４及び支持軸６を包囲する真空容器であるガラス管２と、ガラス管２の外部に出ておりフィラメント４につながっているヒータ端子７ａ，７ｂと、ガラス管２の外部に出ており支持軸６につながっている支持体端子７ｃとを有した冷陰極装置１である。ヒータ端子７ａ，７ｂと支持体端子７ｃとは互いに電気的に独立しており、それらに独自に所望の電圧を正確に印加できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子エミッタに関し、特に、カーボンナノチューブを利用した電子エミッタ、その製造方法及び該電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管に関するものである。
【解決手段】本発明の電子エミッタは、チューブ状構造体を有する。チューブ状構造体を有する電子エミッタにおいて、前記電子エミッタは、中空の線状の軸心を有し、前記電子エミッタは、前記線状の軸心を囲む複数のカーボンナノチューブからなり、前記電子エミッタの一つの端部に、複数の電子放出の先端が形成されている。また、本発明は、前記電子エミッタの製造方法及び前記電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管も提供する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出性能を向上可能な突起構造体、及び、この突起構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 突起構造体１は、一辺が１０００μｍの立方体に収容可能である。また、突起構造体１は、基材２と、基材２の先端部２１の端面２２に設けられており端面２２からの高さが１０μｍ以上である突起３と、を備える。さらに、この突起構造体１においては、基材２の端面２２の外周２３から突起３の基端３１までの距離Ｄが５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】設計自由度が高く曲げ強度が高く極めてアスペクト比が高いニードルを提供する。
【解決手段】最小幅１μｍ以上の連続領域を保護する膜であるリード保護膜Ｒ１をシリコン基板１００の主面１０１の一カ所以上に形成する工程と、シリコン基板１００の主面１０１のリード保護膜Ｒ１から露出している領域を垂直方向にエッチングすることによって直柱体１０２を形成する工程と、直柱体１０２の内部に酸化されずに残る直柱体領域１０４の横断面最大幅が１μｍ未満になるまでシリコン基板１００を熱酸化する工程と、シリコン基板１００に形成された酸化膜１０３を除去することによって、直柱体領域１０４からなるリードと、底に向かって広がるフレア面を側面とし頂からリード１０４が突出するマウント１０５とを有しシリコンからなるニードル１０を形成する工程と、を含むシリコンナノニードルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電界放出型電子源の冷陰極を構成する炭素材の表面構造の先鋭化を実現すると共に、その先鋭化を１回の工程で行うことで製造コストを抑える。
【解決手段】 電界が印加されることにより電子を放出する冷陰極を備えた電界放出型電子源の製造方法であって、冷陰極の素材となる炭素材１０を水素酸素混合ガスの燃焼炎１１に暴露することで、該炭素材１０の表面に炭素のナノメートル構造を形成するエッチング処理を行い、得られた炭素材１０で冷陰極を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属下地及びその上に形成されたＣＮＦとからなる線状複合体を、安定して電界電子を放出可能な形状に規定した電界電子放出源用部材及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】頂端に曲率半径を有する円錐体を端部に備えた線状の金属下地と、その上に多数本の炭素ナノファイバーとを具備した線状複合体を改良した電界電子放出源用部材を提供する。その改良は、前記金属下地の頂角を４０〜８０ｄｅｇに限定したことである。この場合、前記線状複合体の電界電子放出面積が１０，０００〜１５，０００ｎｍ^２であったり、あるいは前記円錐体の曲率半径が３〜７μｍであるのが好ましい。また、前記金属下地が、タングステン（Ｗ）上にパラジュウム（Ｐｄ）をスパッタ被覆したものであると良い。さらに、上記電界電子放出源用部材の製造方法をも提供する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置において高い引出電圧で動作可能で、且つ、エミッタンスを向上させたエミッタ、およびその製造方法、並びに、当該エミッタを備える荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】エミッタ１の周囲に希ガスを導入し、エミッタ１と引出電極２９の間に９ｋＶ以上の所定の引出電圧を印加して該引出電圧を一定に保ち、エミッタ１からのエミッションパターンを観察すると共に、エッチングガスを導入してエミッタ１の先端をエッチングし、
このエッチングの間にエミッションパターンが、前記エミッタの構成原子による三量体又は単量体のスポットを示し、このスポットのサイズ及び強度が他の構成原子のスポットよりも大きくなった時点で前記エッチングガスの導入を停止する。 （もっと読む）

【課題】長時間に渡り安定して動作する電子源を提供する。
【解決手段】電子源のエミッタ１１は、先端に｛１００｝結晶面１６ａを電子放出面１６ａとして備える先端部１６を備える＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａを備える。電子放出面１６ａは、仕事関数を低減させるためのＺｒＯ膜で被覆されている。＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａには、補助棒１１ｂ、１１ｃが取り付けられている。＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａと補助棒１１ｂ、１１ｃには、ＺｒとＯを拡散・供給するための拡散源１２が配置されている。補助棒１１ｂ、１１ｃは、＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａの外表面以外に、ＺｒとＯを電子放出面１６ａに拡散供給するための通路を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子放出性能を向上可能な電子放出素子、及び、そのような電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】基材３と、基材３の端部３ａに設けられた突起５と、突起５の表面に設けられ導電性を有する導電性皮膜７と、を備え、突起５は、一辺が１０００μｍである立方体内に収容可能な形状を有し、突起５の先端部５ｂの表面は露出しており、導電性皮膜７の厚さは、突起５の基端部５ａから先端部５ｂへ向かう方向に連続的に減少している。 （もっと読む）

【課題】高価な大型（ｍｍ以上クラス）の単結晶ダイヤモンドを利用することなく、ダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】基台部と、その先端に位置する電子放出部とを有し、該電子放出部が、最大径が１０μｍ以上で、（１１１）面と（１００）面とを有するダイヤモンド砥粒であって、該砥粒の電子放出面に高さが５μｍ以上のダイヤモンドの突起が形成されているダイヤモンド砥粒でからなることを特徴とするダイヤモンド電子源。また、前記ダイヤモンド砥粒において、少なくとも砥粒の一部にＣＶＤ法でダイヤモンドが合成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体５を備え、エピタキシャル構造体５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル構造体５はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル膜６と、エピタキシャル膜６が形成された領域を含む表面を有するダイヤモンド突起部５とを備える。ダイヤモンド突起部５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル膜６はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子であって素子内に効率よく電子を注入可能なもの、及び、そのような電子放出素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】基３と、該基材３の端部３ａに設けられた突起５と、導電性を有する導電性皮膜７と、を備え、突起５は、突起５の側面に設けられた少なくとも１つの穴部５ｃを有し、導電性皮膜７は、穴部５ｃの内面を含む突起５の表面上に形成されており、突起５の先端部５ｂの表面は露出しており、突起５は一辺が１０００μｍの立方体内に収容可能な形状を有する。 （もっと読む）

【課題】電子線及び電子ビーム機器や真空管、特に、電子顕微鏡や電子ビーム描画装置等の電子光学機器に使用される、量産性に優れ入手の容易な遷移金属炭化物を用いた高輝度電子源を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡、電子ビーム描画装置等の電子光学機器に使用される電子源であって、電子放出部分は表層部と基材部からなり、該表層部は遷移金属炭化物であり、該基材部はダイヤモンド単結晶であることを特徴とする電子源により解決される。 （もっと読む）

【課題】角電流密度が高く、エネルギー幅が小さくて、しかもトータルエミッション電流を抑制した安定な電子ビームが得られる電子放射陰極を提供する。
【解決手段】軸方位が＜１００＞方位の高融点金属の単結晶からなるニードルに前記高融点金属の仕事関数を低減するための元素と酸素とからなる被覆層を設けた電子放射陰極であって、前記ニードルの少なくとも円錐部に（１００）面が形成されておらず、しかも前記高融点金属の単結晶からなるニードルの尖鋭部に内接する球の半径をＲ１、先端円錐部の全角をテーパー角θとするときに、先端半径Ｒ１が１．０μｍ以上１０μｍ以下であり、テーパー角θが２５゜以下であることを特徴とする電子放射陰極。 （もっと読む）

【課題】取付易く、耐用寿命が長い電子ビーム源を提案する。
【解決手段】ビーム電子源は、ベースと、ベースに固定され、ベースから離れて延在するチップし、第１材料からなる表面および第２材料からなる被覆層を塗布されたコアを備え、第２材料がチップの表面を提供するチップと、被覆層に電気的に接続された第１電気端子と、チップに向かい合う間隙を有する抽出電極と、抽出電極に電気的に接続された第２電気端子とを備える。第１材料の電気伝導率が、１０^５Ｓ／ｍ、１０^３Ｓ／ｍ、１０Ｓ／ｍ、１０^−１Ｓ／ｍ、１０^−３Ｓ／ｍ、１０^−５Ｓ／ｍまたは１０^−７Ｓ／ｍよりも低いか、第２材料の電気伝導率が、１０^−７Ｓ／ｍ、１０^−５Ｓ／ｍ、１０^−３Ｓ／ｍ、１０^−１Ｓ／ｍ、１０^２Ｓ／ｍ、１０^４Ｓ／ｍまたは１０^６Ｓ／ｍよりも高いか、第２材料と第１材料の電気伝導率との比率が、１０：１、１００：１、１０^４、１０^６または１０^８よりも大きいかの少なくとも１つの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】本発明はナノチップエミッタ作製方法に関し、単一若しくは複数個の原子をエミッタ先端部に配置する手法を実現することを目的としている。
【解決手段】タングステンエミッタ１の外側の結晶面から内側の結晶面へと順次高い電圧から低い電圧を引出電極５に印加し、その都度各結晶面で電界蒸発を行なうように構成する。この構成によれば、エミッタへの印加電圧を印加制御を行なうことにより、（１１１）面内の［１１１］軸上に単一若しくは３個若しくは６個の原子を配置したイオン源とすることができる。 （もっと読む）

【課題】製造を簡略化し、かつ、長寿命化を実現できる電子源及び電子源の製造方法を提供する。
【解決手段】電子源１は、第１の金属に第２の金属を添加した金属線２を用い、前記金属線２を熱処理して第２の金属を金属線２の先端2aに析出させて針部３を形成することとしたから、再度熱処理して第２の金属を析出させて、新たに針部３を形成することができる。従って、電子源１では、経時使用によって、針部３が磨耗、損傷した場合でも、熱処理をするだけで針部３を容易に再生することができる。これにより、電子源１は、容易に長寿命化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブ針及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ針は第一端及び第二端を含む。前記第二端において、一つのカーボンナノチューブが他のカーボンナノチューブより外部へ延伸している。本発明のカーボンナノチューブ針の製造方法は、複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体と、第一電極と、第二電極と、を提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体の対向する両側を、それぞれ前記第一電極及び第二電極に接続させる第二ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体を有機溶剤で浸漬させて複数のカーボンナノチューブ糸を形成させる第三ステップと、前記カーボンナノチューブ糸の対向する両端に電圧を印加して、前記カーボンナノチューブ糸を焼き切って、複数のカーボンナノチューブ針を形成する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】３次元の微細構造体の製造に適した３次元の微細構造体製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の微細構造体製造方法は、平版に先端材料を塗布し、該先端材料を基体へと転写させることを特徴とする。本発明の構成によれば、平版と基体のアライメントを取ることにより、基体に対して精度良く特定位置に選択的に先端材料を転写することが出来る。また、平版に塗布する先端材料の量の多寡により、微細構造体の高さなどの形状を制御することが出来る。 （もっと読む）