【課題】リーク電流の発生を抑えつつ、電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができる電子源アレイを提供する。
【解決手段】電子源１０は、エミッタ電極１１、第１絶縁膜１２、第１ゲート電極１３、第２絶縁膜１４、第２ゲート電極１５、第３絶縁膜１６、集束電極１７を備え、第２絶縁膜１４及び集束電極１７にそれぞれ形成された開口部１４ａ及び１７ａは、第１ゲート電極１３及び第２ゲート電極１５に形成された各開口部よりも大きい開口面積を有し、第３絶縁膜１６に形成された開口部１６ａは、集束電極１７に形成された開口部１７ａの開口面積以上の開口面積を有し、エミッタ電極１１と第１ゲート電極１３との間の電位差が、エミッタ電極１１と集束電極１７との間の電位差よりも大きく、エミッタ電極１１と第２ゲート電極１５との間の電位差よりも小さい構成を有する。 （もっと読む）

【課題】小型であり、軽量であり、Ｘ線放出量が多い工業用Ｘ線管を提供する。
【解決手段】内部が真空である容器２のその内部に陰極４Ａ及び陽極６を収納して成り、陰極４Ａで発生した電子を陽極６に当ててこの陽極からＸ線を発生する工業用Ｘ線管１において、陰極４Ａの電子放出面４ａの周囲に設けられており電子の進行を調整する電子進行調整部材８と、陰極４Ａと陽極６との間に設けられており電子を集束させるマグネティックレンズ１３とを有しており、陰極４Ａ〜４Ｆは炭素又は炭素化合物によって形成されており、陰極４Ａ〜４Ｆの電子放出面４ａは平らな面であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は当技術分野で認識された上記技術的課題に鑑みてなされたものであり、（１）引出し電圧を大きくしなくても１．０ｍＡ／ｓｒ以上の高角電流密度動作ができることに加えて、（２）真空劣化を引き起こす余剰な電流を少なくする、という技術的要求をバランスよく実現することができる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明によれば、タングステンの単結晶からなる陰極と、陰極の中腹部に設けられた拡散源とを有する電子源であって、前記陰極先端に形成された（１００）面と（１１０）面との境界近傍から放出される電子が、前記陰極の軸と略平行に放出されるよう、前記陰極の軸方向と前期陰極の＜１００＞方位とのなす角度が調整されてなる電子源によって達成できた。 （もっと読む）

【課題】
集束効果と放射電子量確保の両立を図った電子放出源アレイ、撮像装置、及び表示装置を提供する。
【解決手段】
電子放出源アレイは、マトリクス状に配置され、画素領域に区画される電子放出源と、前記電子放出源に接続され、ライン状に配列される複数のエミッタ電極と、前記電子放出源の上方に配設され、平面視で前記複数のエミッタ電極と交わる方向に配列されるゲート電極と、前記ゲート電極の上方に配設され、前記電子放出源から放出される電子を集束させるための静電レンズを形成する集束電極とを含み、前記電子放出源が１又は複数の前記画素領域毎に電子を放出する際に、前記集束電極には、前記画素領域よりも大きな領域に前記静電レンズを形成するための集束電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】電子放出電流の増大と、ビーム径の集束とを同時に実現する電子放出素子を提供する。
【解決手段】第１の絶縁層２の第１の側面２１に第１の低電位側電極４を、第２の側面２２に第１の高電位側電極５を配置し、第１の絶縁層２上に第２の絶縁層３を介して第２の低電位側電極６を配置し、さらに、低電位側電極６の上に第３の絶縁層７を介して第２の高電位側電極８を配置し、第１の低電位側電極４と第２の高電位側電極８との間隙９と、第１の高電位側電極５と第２の低電位側電極６との間隙１０とからそれぞれ電子放出を行う。 （もっと読む）

【課題】電子放出材料とグリッド電極との短絡を防止するとともに、電子ビームの拡散を抑える。
【解決手段】陰極を形成する電極１３、及び層の形状の電子放出材料で形成された支持手段１４、電気絶縁層１１、及びグリッド電極１５を重ね合わせて含む三極管型陰極構造であり、電子放出材料で形成された手段１４は、グリッド電極内及び電気絶縁層内に形成される開口部１２の中心部に位置し、この開口部がスリットの形状であり、かつ電子放出材料で形成された手段は、スリットの縦軸に沿って一列に並べられる。 （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体５を備え、エピタキシャル構造体５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル構造体５はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】 電子線密度が高い電子放出体とこの電子放出体を組み込んだＸ線放射装置を提供する。
【解決手段】 炭素結晶の成長は最初は隆起部２２が徐々に大きくなり、次いで隆起部２２の先端から針状部２３が成長する。この針状部２３はグラフェンシートが斜めに多層に巻回され且つ内部は中空になっている。このようにして形成された炭素突起２１の軸は凹面１１の接線と略直交するため、多数の炭素突起２１の軸は凹面１１の焦点Ｆにて交わることになる。 （もっと読む）

【課題】電子線及び電子ビーム機器や真空管、特に、電子顕微鏡に使用される、高輝度高安定性を有する電子ビームが得られる電子銃を提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため本発明に係る電子銃は、電子光学機器に使用される冷陰極電界放出電子銃であって、１０００℃以下で動作し、得られる電子放出特性として、エミッション電流安定性が５％未満で且つ角電流密度が５０μＡ／ｓｒより大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができる電子源アレイ並びにそれを備えた撮像装置及び表示装置を提供すること。
【解決手段】電子源アレイ１０は、電子ビームを放射するエミッタ電極１１と、エミッタ電極１１の周囲が開口された絶縁体１２とを備え、絶縁体１２上に、第１ゲート電極１３、絶縁膜１４、第２ゲート電極１５、絶縁膜１６、集束電極１７が順次形成され、エミッタ電極１１と第１ゲート電極１３との間に印加される第１ゲート電圧Ｖｇ１が、エミッタ電極１１と集束電極１７との間に印加される集束電圧Ｖｆよりも大きく、エミッタ電極１１と第２ゲート電極１５との間に印加される第２ゲート電圧Ｖｇ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電子放出効率が高く、安定して動作し、放出された電子ビームが良好に集束する電子放出素子を備えた電子線装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、絶縁部材３、ゲート５を形成し、絶縁部材３に凹部７を形成し、絶縁部材３の側面にカソード６を配置し、ゲート５を、該カソード６に対応する領域が突出し、該領域の両側のゲート端部が後退した後退部９を有する凹凸形状に形成し、該後退部９に露出した絶縁部材３表面を、少なくとも絶縁層３ａ表面まで後退させ、該表面に制御電極１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を有する従来のアノード基板では、エミッタから放出される電子が拡散し、電荷注入効率が悪い。また、各カソード基板相互の間での電荷注入効率がばらつき易い。
【解決手段】処理基板１１上に順次積層したカソード電極層１２、絶縁層１４及びゲート電極層１５を備え、この絶縁層に形成したホール１４ａの底部にエミッタＥを設けると共に、前記ゲート電極層にゲート孔開口部１６を形成する。この場合、ゲート孔開口部を、絶縁層のホールの開口面積より小さい面積を有する複数個の開口１６ａから構成し、各開口を、エミッタに対向して絶縁層のホール直上に密集させる。 （もっと読む）

【課題】 放出電子の集束性が向上し、小型化が可能な電子放出装置を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出装置は、カソード基板２と、カソード基板２上に配置されたカソード電極３と、電子を通過させる開口部８が形成されたゲート電極５と、ゲート電極５の上方に配置されたメッシュ電極９と、カソード電極３上に配置された電子放出部６と、電子放出部６の下方に配置された磁場発生手段１３とを備える。そして、磁場発生手段１３による所定の磁力とメッシュ電極９に印加する所定の電圧により電子放出部６から放出される電子の集束が制御される構成をなしている。 （もっと読む）

【課題】放熱性を十分に確保しつつ、電子親和力が低いことにより、高輝度を達成するとともに加熱温度を抑えてエネルギー幅を抑制することが可能な電子放射陰極、当該電子放射陰極を備えた電子顕微鏡および電子ビーム露光機を提供する。
【解決手段】引出電極との間に電圧が印加されることにより、電子を放出する電子放射陰極９１は、本体部９６と、本体部９６から突出する先細形状の先鋭部９７とを備えている。本体部９６および先鋭部９７はダイヤモンド単結晶からなっている。そして、先鋭部９７の表面上には、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）で表され、ドナー不純物を含むｎ型ＡｌＧａＮ層９８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子源及び電子源を利用した機器において、より低温で動作し、よりエネルギー幅が小さい低仕事関数を有し、さらに高い角電流密度で長時間安定動作するようにする。
【解決手段】絶縁碍子と、絶縁碍子に取り付けられた２つの導電端子と、導電端子同士を渡るように取り付けられたフィラメントと、フィラメントに取り付けられた棒状のロッドと、ロッドの中腹に取り付けられた拡散源を有し、ロッドがタングステン、モリブデン、タンタル、レニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種以上からなる金属の＜１００＞方位単結晶で形成され、ロッドの先端部には｛１００｝結晶面を露出した電子放出面が形成され、拡散源は酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化アルミニウムの複合酸化物からなる電子源である。 （もっと読む）

【課題】現実的に作製可能な構造原理をもってエミッタから放出される電子ビームを十分に集束する機能を呈することができる集束電極一体型電界放出素子提案する。
【解決手段】基板10上に、先端11tpが先鋭な電子放出端となっているエミッタ11と、エミッタ先端11tpを露呈する開口を有する絶縁膜12と、この絶縁膜12上に形成され、エミッタ先端11tpを露呈する開口を有する引き出しゲート電極13を形成し、引き出しゲート電極13上には集束電極積層構造20を形成する。集束電極積層構造20は、一層の絶縁膜25，26，27，28と、その上に形成された一層の集束電極21，22，23，24とを単位積層段として、この単位積層段を基板10の鉛直方向に沿って少なくとも四段積層して構成される。最下段に位置する単位積層段の絶縁膜25は引き出しゲート電極13の上に形成されていると共に、全ての単位積層段の絶縁膜25，26，27，28及び集束電極21，22，23，24には、エミッタ先端11tpを露呈する開口を開ける。 （もっと読む）

【課題】炭素膜構造を有する電界放射電子の放射体において、局部的な電界集中を抑制し、熱劣化に伴う電流劣化や放電現象を起こらないようにする。また、電子の放出が分散することを抑制する。さらに、放射体を適用した電界放射装置において所望の機能を発揮し、より実用的な製品を提供する。
【解決手段】電子放出体は、プラズマＣＶＤ法により基板７に形成された炭素膜構造１０の外周側に、ガード電極１３を備える。このガード電極１３は、炭素膜構造１０の成膜方向に凸の曲面部（成膜方向とは反対側に湾曲した曲面部）１３ａを有し、曲面部１３ａにおいてガード電極１３外周側の曲率半径Ｒ１が炭素膜構造側の曲率半径Ｒ２以上のものを適用する。 （もっと読む）

【課題】電子放出の指向性が優れ、ゲート電位による制御性の良好なカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法を提供する。
【解決手段】基板１８上に配置されたカソード電極１０と、カソード電極１０上に配置された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２上に配置されたゲート電極１４と、ゲート電極１４上に配置された第２絶縁膜２０と、第２絶縁膜２０およびゲート電極１４の開口部に、第１絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達して形成されたホール１１と、ホール１１の底面およびゲート電極１４の側面に形成された触媒微結晶核２９と、カソード電極１０上の触媒微結晶核２９上に形成されたエミッタカーボンファイバー４と、ゲート電極の側面上の触媒微結晶核２９上に形成されたゲートカーボンファイバー３とを備えるカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法。 （もっと読む）

【課題】電子線及び電子ビーム機器や真空管、特に、電子顕微鏡や電子ビーム露光機に使用される、ダイヤモンドを用いた高輝度でエネルギー幅が狭いダイヤモンド電子源の提供。
【解決手段】柱形の単結晶ダイヤモンドを用いた電子源であって、電子放出部１１と通電加熱部１２とで構成され、該電子放出部は柱の端面に高さ１０μｍ以上且つ先端曲率半径５μｍ以下の先鋭突起を一ヶ所にのみ有し、該電子放出部の単結晶ダイヤモンド中に最も多く含まれる不純物は窒素であって該窒素の濃度は１×１０^１７ｃｍ^−３以上であり、該通電加熱部の室温（２５℃）端子間抵抗は５００Ω以下であるダイヤモンド電子源。 （もっと読む）

【課題】 電子放出素子から放出された電子の発散を抑制する構成を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の電子放出素子は、複数の電子放出部と、前記電子放出部から放出された電子を同じ方向に偏向する複数の偏向電極と、を備え、前記複数の偏向電極のうち電子が偏向される方向である偏向方向の端に位置する偏向電極が電子を偏向する大きさは、該偏向方向と反対方向の端に位置する偏向電極が電子を偏向する大きさよりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）