【課題】触媒層の膜厚をナノサイズのオーダーで基板全面に均質に形成することが可能であり、均質且つ形状の揃った高配向カーボンナノチューブを低コストで大量に合成することが可能な高配向カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】触媒金属を溶媒に溶解させて触媒溶液を調整する工程と、触媒溶液をインクジェット法によって基板に塗布する工程と、基板を熱処理して溶媒を除去する工程と、を備えることを特徴とする高配向カーボンナノチューブの製造方法を選択する。 （もっと読む）

【課題】カソードから効率的に電子放出することができ、かつ、耐久性の高い電界放出素子を得る。
【解決手段】基板６に繊維状の電子放出材料７を固定してカソードを得た後（（ａ））、電子放出材料７を覆う接着層９を基板６上に形成し（（ｂ））、基板６から接着層９を剥離して電子放出材料７を起毛する（（ｃ））。（ｂ）の工程において、０．１ＭＰａ以上に加圧しながら電子放出材料７に接着材料を接着させて、基板６に対して１８０度の剥離角度で剥離した時の剥離強さが０．６ｇ／ｍｍ以上の接着層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板表面においてナノ炭素材料をパターニングして成長させることの出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数の微粒子を基板表面に配列し、該微粒子間の空隙からナノ炭素材料を成長させる。複数の微粒子を基板表面に配置したとき、微粒子は粒径に従って自己整合的に配列されることから、該微粒子間の空隙から成長したナノ炭素材料は、基板表面においてパターニングされて成長することになる。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜するナノ炭素材料への電界集中を好適に行なうことができるナノ炭素材料複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板の製造方法は、ナノ炭素材料１６を形成する前に触媒層１２の一部を剥離してスポット１３を形成し、さらに基板１１に対して凹部１４および凸部１５の形成を行う。ナノ炭素材料１６は凸部１５の表面に残存させられた触媒層１２の表面に成膜されることから、ナノ炭素材料１６は凸部１５の表面、すなわち基板１１上の突出した部位に位置選択的に成膜されることとなる。また、成膜されたナノ炭素材料１６の極近傍にナノ炭素材料１６の存在しないスポット１３が存在する。このため、電界の集中しやすいナノ炭素材料１６で構成されたナノ炭素材料複合基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の電子放出の効率を向上させるとともに素子の損傷を防止する。
【解決手段】非結晶質の電子供給層（４）と、電子供給層（４）上に形成された絶縁体層（５）と、絶縁体層（５）上に形成された上部電極（６）とを有し、電子供給層（４）と上部電極（６）間に電界が印加されたときに電子を放出する電子放出素子であって、
上部電極（６）と絶縁体層（５）が切り欠かれ電子供給層（４）が露出した凹部（７）と、上部電極（６）と凹部（７）上を覆って電子供給層（４）の露出面（４ａ）の縁部分（４ｃ）に接触し、さらに電子供給層（４）の露出面（４ａ）の内側部分（４ｂ）上で隆起して電子供給層（４）との間に空洞（８ｂ）を有するドーム形状（８ａ）となっている炭素層（８）とを有する。 （もっと読む）

【課題】電子放出可能電圧を低電圧化し、消費電力の低減と長時間動作の安定化と可能にする電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出素子１では、電極基板２と薄膜電極３との間に設けられた電子加速層４が、導電微粒子８と、導電微粒子８の平均径よりも大きい平均径の絶縁体微粒子７と、結晶性電子輸送剤９とを含み、結晶性電子輸送剤９は、結晶化している。よって、電子放出素子１における電流路の形成が容易になり、従来の電子放出素子に比べて低電圧での電子放出が可能となる。 （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル膜６と、エピタキシャル膜６が形成された領域を含む表面を有するダイヤモンド突起部５とを備える。ダイヤモンド突起部５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル膜６はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】
電子デバイスへ適応できる製造方法は、高温処理が必要で、量産には耐え難く、ナノ粒子の持っている凝集力を活用して自己組織化させる低価格のゾル・ゲル法を利用した電子デバイスはまだ実現されていない。
【解決手段】
自己組織化膜の形成方法であって、ナノ微粒子を溶媒で分散させる工程と、前記ナノ微粒子を溶媒で分散させた溶液を基板上に塗布する工程と、溶媒の蒸発が他の空間領域より遅延する空間領域を形成し、その空間領域は、該基板に対し垂直方向の成分を有するように形成し、その空間領域でナノ微粒子を自己組織的に成長させる工程を有している。 （もっと読む）

【課題】優れた電子放出特性を発揮する三極構造型の電界電子放出型ランプを簡便な手法で低コストに製造する。
【解決手段】ゲート電極に対してカソード電極上への電子放出素子形成の際に必要な触媒形成のためのマスクとしての機能を付与させる。カソード電極およびゲート電極を密着させ、ゲート電極をマスクとして利用してカソード電極上に触媒形成を行い、次にカソード電極とゲート電極を一旦引き離してカソード電極上に電子放出素子としてのナノスケール炭素材料を形成させ、さらにナノスケール炭素材料が形成されたカソード電極をゲート電極に形成された開口部の直下に配置させることにより、三極構造型の電界電子放出型ランプを製造する。 （もっと読む）

【課題】効率良く電子を放出する電子放出電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出電極の製造方法は、（１）カーボンナノホーン粒子を構成するカーボンナノホーンに、触媒粒子を担持させる触媒粒子担持工程と、（２）触媒粒子を担持させたカーボンナノホーンから構成されたカーボンナノホーン粒子を、バインダ等を含む溶媒と混合してペーストを調製するペースト調製工程と、（３）そのペーストを、カソード電極に面状に拡げて塗布するペースト塗布工程と、（４）カソード電極上に塗布されたペースト中のカーボンナノホーン粒子を構成するカーボンナノホーンに担持させた触媒粒子から、カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブ成長工程と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】表面に針状構造を備える電界放出電子源の製造方法を提供する。
【解決手段】電界放出電子源１は、層間にインターカレーションされた重金属原子を備えるグラファイト層間化合物からなる電界放出電子源材料４をプラズマ処理することで製造される。或いは、電界放出電子源１は、グラファイト単体からなる電界放出電子源材料４を、層間にインターカレーションされた重金属原子を備えるグラファイト層間化合物からなる材料ホルダ６で支持して、プラズマ処理することで製造される。重金属は、アンチモン、銅、ニッケル、コバルト、鉄、プラチナ、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、イットリウム、ニオブ、モリブデン、パラジウム、銀、金、スズ、タングステン、レニウムから選択される１又は２種以上の重金属であり得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成された凹部および凸部よりなる３次元構造ラインパターンと、前記３次元構造ラインパターンが形成された前記基板の表面に形成されたナノ炭素材料と、を備えることを特徴とするナノ炭素材料複合基板である。本発明によれば、３次元構造ラインパターンを有することから、基板の表面上に形成されたナノ炭素材料は３次元構造ラインパターンの形状に沿って形成される。このため、３次元構造ラインパターンに沿ってナノ炭素材料が基板上にライン状にパターン配列される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造できるナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に３次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。触媒を担持後に基板に３次元構造パターンを形成することから、凸部の上面にのみ選択的に触媒を残存させることが出来、凸部の上面にのみ選択的にナノ炭素材料を形成することが出来る。よって、好適に、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造出来る。 （もっと読む）

【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子及びその製造方法並びに面発光素子を提供することである。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基体と、前記基体上に突起形状を有する直径が１０ｎｍ以上であり、かつ、高さが１００ｎｍ以上１００μｍ以下であるファイバー状のナノ炭素材料と、を具備することを特徴とする電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】 安価で大面積の基板を用い、生産性を向上させることが可能な工程により、電
界放出表示装置の電界放出素子を形成する技術を提供する。
【解決手段】 本発明に係る電界放出素子は、絶縁性表面を有する基板上に形成されたカ
ソード電極と、前記カソード電極表面に形成された凸形状の電子放出部とを有し、前記カ
ソード電極と前記電子放出部とは、同一の結晶性半導体膜で形成されており、前記電子放
出部は、円錐形又はウィスカー状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維の先端とゲート電極との距離の基板内ばらつきが抑制された炭素繊維装置及び炭素繊維装置の製造方法を提供する。
【解決手段】カソード電極２０、絶縁膜３０及びゲート電極４０を積層するステップと、絶縁膜３０及びゲート電極４０を貫通するホール５０を形成してカソード電極２０の電子放出面２０ａを露出させるステップと、電子放出面２０ａ上に炭素繊維１００を成長させながら、炭素繊維１００とゲート電極４０との接触によるカソード電極２０とゲート電極４０間の短絡をリアルタイムで監視するステップと、短絡を検知した場合にゲート電極４０と接触する炭素繊維１００を切断するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】触媒薄膜にダメージを与えることのない製造プロセスで容易に製造可能で、従来よりも径の細い炭素系微細繊維を備えた冷陰極素子を提供すること。
【解決手段】冷陰極素子１０は、ガラス基板１１と、ガラス基板１１上に形成されたカソード電極層１２と、カソード電極層１２上に順次形成されたグラニュラー触媒薄膜１３、第１保護層１４及び第２保護層１５と、カソード電極層１２上に形成された絶縁層１６と、絶縁層１６上に形成されたゲート電極層１７と、電界に応じて電子を放出する炭素系微細繊維１９とを備え、第１保護層１４をアルカリ性のエッチング液で溶解することができる材料で形成し、グラニュラー触媒薄膜１３にダメージを与えることのない製造プロセスで、従来よりも径の細い炭素系微細繊維１９を成長させる構成を有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ電子源、ＣＮＴ電子源を製造する方法、及びＣＮＴパターン付きスカルプチャード基板を利用する太陽電池を開示する。
【解決手段】各実施形態は、ＣＮＴが、基板から直接成長することを可能にする金属基板を利用する。抑制剤が、金属基板からのＣＮＴの成長を抑制するために、金属基板に塗布され得る。この抑制剤は、任意のパターンで金属基板に正確に塗布することができ、それにより、ＣＮＴグルーピングの位置決めをより正確に制御することを可能にする。金属基板の表面粗さを変えて、各ＣＮＴグルーピング内のＣＮＴの密度を制御することができる。さらに、吸収体層及び受容体層をＣＮＴ電子源に施して、太陽電池を形成することができ、この太陽電池では、電位が、太陽光の露光に応じて受容体層と金属基板の間で発生可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブ針及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ針は第一端及び第二端を含む。前記第二端において、一つのカーボンナノチューブが他のカーボンナノチューブより外部へ延伸している。本発明のカーボンナノチューブ針の製造方法は、複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体と、第一電極と、第二電極と、を提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体の対向する両側を、それぞれ前記第一電極及び第二電極に接続させる第二ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体を有機溶剤で浸漬させて複数のカーボンナノチューブ糸を形成させる第三ステップと、前記カーボンナノチューブ糸の対向する両端に電圧を印加して、前記カーボンナノチューブ糸を焼き切って、複数のカーボンナノチューブ針を形成する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】実用材料として好適な、粒子状突起構造を有するナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子を提供する。
【解決手段】基体２と基体２上に成長した粒子状突起構造を有し、粒子状突起構造の直径は５０ｎｍ〜５００ｎｍであるナノ炭素材料３から成ることを特徴とするナノ炭素材料複合体１を提供する。パラジウムまたはその化合物から選ばれる薄膜を基体２上に形成する第１工程と、金属薄膜担持基体をオクタノール中で５５０℃以上６５０℃以下の範囲で加熱する第２工程とにより、ナノ炭素材料複合体を製造することができる。 （もっと読む）