【課題】所望の電子放出特性が安定して得られる電子放出素子を製造する。
【解決手段】シリコンからなる第１層１０ｂ、絶縁体からなる第２層２０ｂ、及び、非絶縁体からなる第３層３０ｂがこの順で積層され、第１乃至３層の各々の側面（１０３ｂ、２０３ｂ、３０３ｂ）を含む連続面４０３ｂを有する積層構造４０ｂと、連続面４０３ｂを覆うように設けられて第１乃至３層と界面を成す、シリサイド化し得る金属材料からなる金属膜５０と、を備える構造体６０を加熱することによって、第１層１０ｂと金属膜５０との界面をシリサイド化する第１工程（ｄ）と、金属材料のシリサイドに対するエッチングレートよりも金属材料に対するエッチングレートが高いエッチャントを用いて、第２層２０ｂの側面２０３ｂが露出するように、金属膜５０の一部を除去する第２工程（ｅ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】長期にわたって連続して駆動できる電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、開口部を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記開口部を挟んで第１電極と対向するとともに、その一部が前記絶縁層と重なるように配置された第２電極と、第１及び第２電極と前記絶縁層との間に配置され、絶縁性微粒子及び導電性微粒子で構成された微粒子層と、を備え、第１電極と第２電極との間に電圧を印加し、第１電極から放出される電子を前記微粒子層で加速させて第２電極を透過するように構成したことを特徴とする電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】良好な透明性を有する電子放出用素子を含んでなる光発生装置、並びに、その製造方法を提供する。
【解決手段】透明な電子放出用素子を含んでなる光発生装置であって、前記透明な電子放出用素子が、透明基材、及び前記透明基材上に配置された突起、を備えること、前記突起が、可視光を散乱させない大きさを有すること、並びに前記透明基材と前記突起とからなる部材上の、少なくとも前記突起が配置されている領域の露出面である突起配置面が導電性を有すること、を特徴とする光発生装置。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを用いてエッチングを行うときに、素子特性に悪影響を及ぼすことのない電界放出陰極の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板１上に絶縁層２と、ゲート電極層３と、加熱によりＨｖ９５〜１４０の範囲のビッカース硬度を発現する熱硬化性樹脂からなる犠牲層４とをこの順に形成し、犠牲層４を１８０〜２１０℃の温度に所定時間保持して硬化させる。（ｂ）集束イオンビームを照射して、犠牲層４とゲート電極層３とに開口部５を形成する。（ｃ）犠牲層４とゲート電極層３とをマスクとして絶縁層２をエッチングして空孔部６を形成する。（ｄ）基板１に対して垂直上方からエミッタ材料７を蒸着させ、空孔部６内の基板１上にエミッタ電極８を形成する。（ｅ）エミッタ材料７を犠牲層４と共にゲート電極層３上から除去する。 （もっと読む）

【課題】電子放出性能を向上可能な電子放出素子、及び、そのような電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】基材３と、基材３の端部３ａに設けられた突起５と、突起５の表面に設けられ導電性を有する導電性皮膜７と、を備え、突起５は、一辺が１０００μｍである立方体内に収容可能な形状を有し、突起５の先端部５ｂの表面は露出しており、導電性皮膜７の厚さは、突起５の基端部５ａから先端部５ｂへ向かう方向に連続的に減少している。 （もっと読む）

【課題】高価な大型（ｍｍ以上クラス）の単結晶ダイヤモンドを利用することなく、ダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】基台部と、その先端に位置する電子放出部とを有し、該電子放出部が、最大径が１０μｍ以上で、（１１１）面と（１００）面とを有するダイヤモンド砥粒であって、該砥粒の電子放出面に高さが５μｍ以上のダイヤモンドの突起が形成されているダイヤモンド砥粒でからなることを特徴とするダイヤモンド電子源。また、前記ダイヤモンド砥粒において、少なくとも砥粒の一部にＣＶＤ法でダイヤモンドが合成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル膜６と、エピタキシャル膜６が形成された領域を含む表面を有するダイヤモンド突起部５とを備える。ダイヤモンド突起部５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル膜６はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】現実的に作製可能な構造原理をもってエミッタから放出される電子ビームを十分に集束する機能を呈することができる集束電極一体型電界放出素子提案する。
【解決手段】基板10上に、先端11tpが先鋭な電子放出端となっているエミッタ11と、エミッタ先端11tpを露呈する開口を有する絶縁膜12と、この絶縁膜12上に形成され、エミッタ先端11tpを露呈する開口を有する引き出しゲート電極13を形成し、引き出しゲート電極13上には集束電極積層構造20を形成する。集束電極積層構造20は、一層の絶縁膜25，26，27，28と、その上に形成された一層の集束電極21，22，23，24とを単位積層段として、この単位積層段を基板10の鉛直方向に沿って少なくとも四段積層して構成される。最下段に位置する単位積層段の絶縁膜25は引き出しゲート電極13の上に形成されていると共に、全ての単位積層段の絶縁膜25，26，27，28及び集束電極21，22，23，24には、エミッタ先端11tpを露呈する開口を開ける。 （もっと読む）

【課題】量子細線については高さを揃えて、量子ドットについては直径を一定に形成することができる多結晶シリコン層を用いたナノ構造体の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の多結晶シリコン層を用いたナノ構造体の形成方法は、多結晶シリコン層の表面を平坦化する工程と、平坦化された多結晶シリコン層の活性化処理する工程と、多結晶シリコン層に、溶液を用いた陽極酸化をする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 大電流・高収束電子ビームを発生させるために望ましい先端形状である球面を制御性よく形成することができるダイヤモンド電子源の製造方法とダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】 本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層を酸水溶液によって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。該工程Ａ及び該工程Ｂをダイヤモンド電子源の製造工程で実施することによって、先端がダイヤモンド表面である球面形状となる結果、大電流・高収束電子ビームを発生させるために最適なダイヤモンド電子源となり、角電流密度や輝度といった電子源性能で従来電子源を凌駕することができる。 （もっと読む）

【課題】 大電流・高収束電子ビームを発生させるために望ましい先端形状である球面を制御性よく形成することができるダイヤモンド電子源の製造方法とダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】 本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層をプラズマによって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。該工程Ａ及び該工程Ｂをダイヤモンド電子源の製造工程で実施することによって、先端がダイヤモンド表面である球面形状となる結果、大電流・高収束電子ビームを発生させるために最適なダイヤモンド電子源となり、角電流密度や輝度といった電子源性能で従来電子源を凌駕することができる。 （もっと読む）

【課題】十分な量の電子放出が得られると共に、電子線の細径化を図ることができる電子放出素子、電子源、電子線装置、及びこのような電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
電子源１０では、導電型がｎ型のダイヤモンド半導体からなる突起部５６を電子放出部４８に設けていることから、電子放出部４８の電子親和力及び仕事関数を十分に低減させることができ、十分な量の電子放出が得られる。また、マイクロマニピュレーションによって搬送した微細な突起部５６を設けることで、突起部５６自体に複雑な加工を施すことなく電子放出部４８の細径化を実現できるため、電子放出部４８から放出される電子線の細径化が図られる。デポジション膜６０は、カーボンによって形成され、電子源１０の使用状態における電子放出部４８の昇温に対して十分に高い融点を有しているため、突起部５６と基部５２との強固な接合が保たれる。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の大型化を招くことなく大きな放出電流が得られ、且つ、容易に製造可能な電子放出素子、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子は、第１のカソード電極、第２のカソード電極、第３のカソード電極、絶縁層、ゲート電極、及び、電子放出材を備える。ゲート電極、絶縁層、及び、第２のカソード電極のそれぞれには、互いに連通する開口が設けられている。電子放出材は、第１のカソード電極上に設けられており、上記開口内に少なくとも一部が露出している。第３のカソード電極は、第２のカソード電極の開口内に、電子放出材の露出領域の輪郭の長さを増やすように設けられており、第１のカソード電極と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電子ビームの集束性に優れ、リーク電流を抑制し、変形の起こりにくい構成を有する電子放出素子、ならびに、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子は、カソード電極２、ゲート電極４、絶縁部材６、及び、電子放出材５を備え、前記絶縁部材６は、前記ゲート電極に接し、かつ、前記ゲート電極の開口と略同じ大きさの開口を有する第１の絶縁層６ａと、前記第１の絶縁層よりも前記カソード電極側に位置し、かつ、前記ゲート電極の開口より大きい開口を有する第２の絶縁層６ｂと、を含む３つ以上の絶縁層が積層されたものである。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性が良好で、電子放出点密度が大きく、かつ、電子放出量のゆらぎの小さい電子放出可能な電子放出素子、電子源、画像表示装置、及び、それらの簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法は、導電層上に電子放出材料を含む膜を形成する工程と、前記電子放出材料を含む膜が形成された導電層を水素および炭化水素のラジカルを含む雰囲気中で加熱する工程と、を有する電子放出素子の製造方法であって、前記雰囲気における前記水素および炭化水素のラジカルの総分圧が２×１０^−１１Ｐａ以上、８×１０^−４Ｐａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】突起形状を簡便な方法で、安定して安価に形成することができ、ドライプロセスにより突起先端を清浄な状態に保つことが可能となる基板の加工方法を提供する。
【解決手段】基板表面に収束イオンビームを照射した後、ドライエッチングにより前記基板を加工する基板の加工方法であって、
前記基板表面１０に、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｂｉから選択されるイオンを照射するに際し、第１のイオン照射濃度と、該第１のイオン照射濃度とは異なる第２のイオン照射濃度により照射し、前記基板表面にイオン照射領域を形成する工程１１と、
前記イオン照射領域をエッチングする工程１２と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも安定していて高輝度を実現可能な電界放射電子源及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】陰極部材の先端に細線部材を備え、該細線部材の先端から電子が放射されるように形成した電界放射電子源において、細線部材を陰極部材の先端部分を切削加工して陰極部材と一体的に成形する。 （もっと読む）

【課題】エミッタ電極の先端面をエッチング加工することによりエミッタ電極の先端に極めて細い針状部を形成することができる電界放出型電子銃の製造方法を提供する。
【解決手段】電子ビームの出射のための複数分割エミッタ電極を備える電界放出型電子銃の製造方法であって、エミッタ電極（２１）の先端部２８に集束イオンビームＩを照射して先端部２８を除去加工することにより、先端部２８に互いに独立しかつ電子ビームの出射方向に伸長する複数の針状部３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電子源の製造に従来利用されたことのない加工技術を適用することにより、新しい概念のナノサイズの収束を可能とした非金属系の電子源用チップを提供することを目的とする。
【解決手段】 電子源用チップは、導電性を有する非金属材料、例えばダイヤモンドなどからなる。電子源用チップの電子を放出する先端突起部２は、下部突起３と上部突起４とで構成されている。上部突起４を含む先端突起部２の少なくとも一部には、収束イオンビーム（ＦＩＢ）法により、球面や円錐などの曲面形状が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面伝導型電子放出素子の製造方法に関し、特にカーボンナノチューブを含む表面伝導型電子放出素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の表面伝導型電子放出素子の製造方法は、基板を提供する段階と、前記基板に複数の平行な下方電極を設置する段階と、それぞれ前記複数の下方電極の表面にカーボンナノチューブ素子を設置する段階と、前記下方電極に対向して、前記ＣＮＴ素子の表面に上方電極を設置する段階と、近接するカーボンナノチューブ素子の間に隙間を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）