【課題】 使用に耐える大型化が可能な電子放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 電子放出素子１は、電極基板２、微粒子層３、薄膜電極４および電気絶縁層５を含んで構成される。電極基板２は、導電性を有する構造体であり、微粒子層３、薄膜電極４および電気絶縁層５を支持する。電気絶縁層５は、電極基板２上に形成され、複数の開口部６を有する。微粒子層３は、開口部６によって形成される開口６Ａに、電極基板２と薄膜電極４との間に充填される。微粒子層３は、絶縁性微粒子および導電性微粒子を含んで構成される第１微粒子層３１と、絶縁性微粒子を含んで構成される第２微粒子層３２とによって構成される。薄膜電極４は、微粒子層３および電気絶縁層５の表面形状に沿って形成される。 （もっと読む）

【課題】エミッション開始電界が低く、しかも十分なエミッション電流を得ることができる冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用い、当該活性化処理が金属酸化物の中に新たにエミッションに寄与する部位を形成し、且つエミッションに寄与しない部位又は悪影響を及ぼす部位を取り除く処理であることを特徴とする冷陰極電子源である。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ電子放出特性を均一化できる電子放出素子を得ること。
【解決手段】真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子において、ＵＶオゾン法による電子放出源の表面処理工程を備える電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】カソードから効率的に電子放出することができ、かつ、耐久性の高い電界放出素子を得る。
【解決手段】基板６に繊維状の電子放出材料７を固定してカソードを得た後（（ａ））、電子放出材料７を覆う接着層９を基板６上に形成し（（ｂ））、基板６から接着層９を剥離して電子放出材料７を起毛する（（ｃ））。（ｂ）の工程において、０．１ＭＰａ以上に加圧しながら電子放出材料７に接着材料を接着させて、基板６に対して１８０度の剥離角度で剥離した時の剥離強さが０．６ｇ／ｍｍ以上の接着層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出陰極素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、第一カーボンナノチューブ構造体と、第二カーボンナノチューブ構造体と、を含む。前記第一カーボンナノチューブ構造体は、複数の第一カーボンナノチューブが面上に配列される。前記第二カーボンナノチューブ構造体は、複数の各行に配列された複数の第二カーボンナノチューブからなるとともに、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に形成される。前記複数の第二カーボンナノチューブは、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に垂直に設けられる。前記第二カーボンナノチューブ構造体の、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面から離れる端部は、電子放出の先端として利用される。前記複数の第二カーボンナノチューブの高さは、中間行が最も高く、前記中間行から離れる方向に沿って次第に減少している。 （もっと読む）

【課題】容易に微細パターンを形成することができるパターン状電子源の製造方法、パターン状電子源を提供する。
【解決手段】表面が導電性を有する第１の基板２上に第１のパターン５を形成し、当該第１のパターン５に沿って１または２以上の第１のエミッタ１０を設けて第１のフィールドエミッション部１を形成するステップと、前記第１のエミッタ１０から電子線を照射して表面が導電性を有する第２の基板１６上に第２のパターン１８を形成し、当該第２のパターン１８に沿って１または２以上の第２のエミッタを設けて第２のフィールドエミッション部１５を形成するステップとを備え、前記第２のフィールドエミッション部１５を複数形成してパターン状電子源２５を製造する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出性能を向上可能な突起構造体、及び、この突起構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 突起構造体１は、一辺が１０００μｍの立方体に収容可能である。また、突起構造体１は、基材２と、基材２の先端部２１の端面２２に設けられており端面２２からの高さが１０μｍ以上である突起３と、を備える。さらに、この突起構造体１においては、基材２の端面２２の外周２３から突起３の基端３１までの距離Ｄが５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出装置は、絶縁基板と、電子引き出し電極と、二次電子放出層と、陰極板と、電界放出ユニットと、を含む。前記電子引き出し電極及び二次電子放出層は、前記絶縁基板の一つの表面に順次的に配置される。前記陰極板は、一つの第一絶縁隔離層によって前記電子引き出し電極と間隔をおいて絶縁的に配置される。前記陰極板の少なくとも一部が前記二次電子放出層と対向する。前記陰極板は、少なくとも一つの電子放出部を含む。前記電界放出ユニットは、前記陰極板の前記二次電子放出層と対向する一部表面に配置される。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜するナノ炭素材料への電界集中を好適に行なうことができるナノ炭素材料複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板の製造方法は、ナノ炭素材料１６を形成する前に触媒層１２の一部を剥離してスポット１３を形成し、さらに基板１１に対して凹部１４および凸部１５の形成を行う。ナノ炭素材料１６は凸部１５の表面に残存させられた触媒層１２の表面に成膜されることから、ナノ炭素材料１６は凸部１５の表面、すなわち基板１１上の突出した部位に位置選択的に成膜されることとなる。また、成膜されたナノ炭素材料１６の極近傍にナノ炭素材料１６の存在しないスポット１３が存在する。このため、電界の集中しやすいナノ炭素材料１６で構成されたナノ炭素材料複合基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ガス吸着材料が電子放出素子内に均一に分布されて、均一な発光が得られる電子放出素子、該電子放出素子を光源とする照明装置、および該電子放出素子のカソード電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子１のカソード電極２は、電子輸送層９の表面に、カーボンナノ構造体１３と電子放出材料１４を固定して構成されている。カーボンナノ構造体１３は、電子放出素子１の動作中に発生するガスや電子放出素子１の製造時に除去出来なかったガスを吸着するガス吸着材料として機能する物質である。カーボンナノ構造体１３は、大きさを制御して製造される。電子放出材料１４は、その先端がカーボンナノ構造体１３の上面から突出している。 （もっと読む）

【課題】 電子放出に班がなく、ＣＮＴの起毛が良好で起毛密度が高いＣＮＴ電子放出源を提供する。
【解決手段】 上記課題は、導電性を有する基板に導電性ペースト膜を形成した後、該導電性ペースト膜上に高濃度のカーボンナノチューブを含む膜を形成するカーボンナノチューブ層形成工程と、前記工程により得られたカーボンナノチューブ層形成基板を４００〜５００℃で焼成する焼成工程と、前記工程で焼成した基板のカーボンナノチューブ層表面に粘着テープを貼り付け、次いで、これを引き剥がすことにより、前記カーボンナノチューブ層表面を起毛状態とする起毛工程とを有することを特徴とするカーボンナノチューブ電子放出源の製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】 優れた電子放出特性を有する電子放出部材、電子放出装置及び電子放出部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子放出部材は、金属のマトリックスにカーボンナノファイバーが分散した押出材ｂである。押出材ｂの押出方向Ａと交差する方向に形成された面が電子放出領域である。本発明の電子放出部材の製造方法は、金属粒子と、カーボンナノファイバーと、を含む混合材料Ｂを押出加工して押出材ｂを得る工程（ａ）と、押出材ｂを少なくとも押出方向Ａの複数個所で分割して、押出方向Ａと交差する方向に形成された分割面を有する電子放出部材を得る工程（ｂ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ膜を用いながら均一で安定な放出電流を発生させ、良好なエミッション特性を得ることができるエミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置を提供する。
【解決手段】エミッタの製造方法では、ガラス基板1０上に、複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含みエミッタ電極を構成するＣＮＴ膜１２を形成し、ＣＮＴ膜１２上に絶縁膜１３を介してゲート電極１６を形成し、ゲート電極１６及び絶縁膜１３に複数のゲート開口１７を形成し、ゲート開口１７内のＣＮＴを直立配向させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板にナノ炭素材料を好適にパターニングして成長させること出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の手法を用いることにより、基板上に形成した開口部の断面部分に触媒層が露出させられ、この触媒層が露出されられた部分にのみナノ炭素材料が成長したナノ炭素材料複合基板が作製できる。このため、本発明のナノ炭素材料複合基板は、開口部により露出された触媒層にのみナノ炭素材料が生成されており、パターニングされてナノ炭素材料が配置されることから、電界が集中しやすく、優れた電子放出特性が発揮されることが期待できる。また、個々のナノ炭素材料は、基板の表面層によって保護されているために、衝撃やスパークなどからナノ炭素材料を保護することができ、ナノ炭素材料複合基板が優れた耐久性を発揮することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体５を備え、エピタキシャル構造体５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル構造体５はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＮＴのロスがなく、エミッション特性に優れた電子源電極を効率よく製造できる方法を提供する。
【解決手段】 上記課題は、カーボンナノチューブを分散媒に分散させた分散液をメンブレンフィルターで濾過し、メンブレンフィルター上に堆積したカーボンナノチューブを基板に転写し、真空環境下で電子ビームを照射してカーボンナノチューブを基板上に固着し、次いで、カーボンナノチューブを起毛させることを特徴とする電子源電極の製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル膜６と、エピタキシャル膜６が形成された領域を含む表面を有するダイヤモンド突起部５とを備える。ダイヤモンド突起部５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル膜６はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造できるナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に３次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。触媒を担持後に基板に３次元構造パターンを形成することから、凸部の上面にのみ選択的に触媒を残存させることが出来、凸部の上面にのみ選択的にナノ炭素材料を形成することが出来る。よって、好適に、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成された凹部および凸部よりなる３次元構造ラインパターンと、前記３次元構造ラインパターンが形成された前記基板の表面に形成されたナノ炭素材料と、を備えることを特徴とするナノ炭素材料複合基板である。本発明によれば、３次元構造ラインパターンを有することから、基板の表面上に形成されたナノ炭素材料は３次元構造ラインパターンの形状に沿って形成される。このため、３次元構造ラインパターンに沿ってナノ炭素材料が基板上にライン状にパターン配列される。 （もっと読む）

【課題】高輝度の電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等を製造するために、一定電圧の下で多くの電界放出電流が流れる冷陰極電子源を製造する方法を提供する。
【解決手段】導電性基板の上に酸化チタン等の金属酸化物からなる電子放出材料を有する冷陰極電子源を製造する方法において、電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する。具体的には、導電性基板の上に形成した金属酸化物からなる電子放出材料を活性化処理する工程と電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する工程とを含む。 （もっと読む）