【課題】ダイヤモンドにドナー元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたＶ族元素３と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記多結晶ダイヤモンド１は、Ｖ族元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加され、結晶粒径が１０μｍ以下である黒鉛に、高温高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】エミッション開始電界が低く、しかも十分なエミッション電流を得ることができる冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用い、当該活性化処理が金属酸化物の中に新たにエミッションに寄与する部位を形成し、且つエミッションに寄与しない部位又は悪影響を及ぼす部位を取り除く処理であることを特徴とする冷陰極電子源である。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ電子放出特性を均一化できる電子放出素子を得ること。
【解決手段】真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子において、前記電子放出源の表面を活性化処理する工程と、前記活性化処理の後に前記電子放出源を４００〜５００℃の温度範囲で焼成する工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】活性化前後における駆動電圧変化がほぼ無く、かつ電子放出特性を均一化できる電子放出素子を得ること。
【解決手段】真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、および前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子において、前記電子放出源に対して実駆動時の電流値よりも高い電流を流す工程と、実駆動時の電流値と同等の電流を流す工程とを備える電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造で低コストであり、高効率かつ輝度ムラを低減できる発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明の発光装置１０は、アノード電極１２が基板面に配置されたアノード基板１１と、カソード電極１５が基板面に配置されたカソード基板１６と、複数の開口部１８が形成されたグリッド電極１７とを有し、前記両基板は、前記基板面が互いに対面して配置され、前記両基板の間に、前記両基板に対向して略平行に、グリッド電極１７が配置され、アノード基板１１とアノード電極１２との間、および、アノード電極１２上の少なくとも一方に、蛍光体層１３が配置され、カソード電極１５上にエミッタ１４が配置され、エミッタ１４から電界放出された電子が、グリッド電極１７の開口部１８を通過することにより、前記電子の軌道が広げられることで、蛍光体層１３の発光時の輝点が拡大され、輝度ムラが低減されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷陰極装置の真空容器内の真空度を高めるため、容器内の真空排気時に冷陰極から吸着ガスを追い出すためにその冷陰極を昇温させることを実現できる冷陰極装置を提供する。
【解決手段】電圧の印加により電子を放出する冷陰極３と、冷陰極３を加熱するフィラメント４と、冷陰極３を支持する導電性を有した支持軸６と、冷陰極３、ヒータ４及び支持軸６を包囲する真空容器であるガラス管２と、ガラス管２の外部に出ておりフィラメント４につながっているヒータ端子７ａ，７ｂと、ガラス管２の外部に出ており支持軸６につながっている支持体端子７ｃとを有した冷陰極装置１である。ヒータ端子７ａ，７ｂと支持体端子７ｃとは互いに電気的に独立しており、それらに独自に所望の電圧を正確に印加できる。 （もっと読む）

【課題】容易に微細パターンを形成することができるパターン状電子源の製造方法、パターン状電子源を提供する。
【解決手段】表面が導電性を有する第１の基板２上に第１のパターン５を形成し、当該第１のパターン５に沿って１または２以上の第１のエミッタ１０を設けて第１のフィールドエミッション部１を形成するステップと、前記第１のエミッタ１０から電子線を照射して表面が導電性を有する第２の基板１６上に第２のパターン１８を形成し、当該第２のパターン１８に沿って１または２以上の第２のエミッタを設けて第２のフィールドエミッション部１５を形成するステップとを備え、前記第２のフィールドエミッション部１５を複数形成してパターン状電子源２５を製造する。 （もっと読む）

【課題】閾値電界が従来よりも低減され、より優れた電界電子放出特性を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カソード電極上にＢＣＮ薄膜１０，１５が形成される電子デバイスであって、ＢＣＮ薄膜の組成を膜内で変化させることにより、ＢＣＮ薄膜とカソード電極の界面でのポテンシャル障壁高さが低くされると共に、膜表面での電子親和力が小さくされる。ＢＣＮ薄膜中のＣの組成比が、表面側に比べてカソード電極側で大きいか、ＢＣＮ薄膜中のＮの組成比が、カソード電極側表面側に比べて表面側で大きい。この電子デバイスの製造方法であって、基板上に、化学気相合成法により、炭化水素および窒素を含むガスを用いてＢＣＮを薄膜状に堆積させる際、堆積の初期から終期に至る間で、原料ガス中の炭化水素の組成比や流量を減少させてＣの組成比を調整するか、原料ガス中の窒素の組成比や流量を増加させてＮの組成比を調整する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程である程度の面積を一度に加工することが可能な冷陰極電子源の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上にカソード電極２と絶縁層４とゲート電極５を重ね、互いに溶け合わないポリマーＡ，Ｂを溶媒で溶解してゲート電極の表面に被着する。溶媒を蒸発させてポリマーＢ中にポリマーＡを微粒子状に析出させて固定化し、現像液でポリマーＡを除去してエッチングホール９を形成し、エッチングを行なってゲート電極にホール６を形成する。さらにホール６からエッチングして絶縁層にもホールを形成し、ホール内にエミッタを形成して冷陰極電子源１０とする。 （もっと読む）

【課題】カーボン繊維の先端をカソード電極上に露出させて、該カーボン繊維の向きをアノード電極に向かう方向に揃えて、発光効率を高くすることができる発光装置を提供する。
【解決手段】カーボン繊維１０を含有するカソード電極２と、蛍光体層１３を備えて、カソード電極２に対向配置されるアノード電極３と、を有する発光装置１に、カソード電極２とアノード電極３の間に逆バイアス電圧を印加する電圧印加装置４を備える。また、電圧印加装置４は、直流電源装置１４、直流電源装置１４の正極１７に、カソード電極２またはアノード電極３のいずれかを選択して接続する第１の切替スイッチ１５、及び、直流電源装置１４の負極２１を、カソード電極２またはアノード電極３のいずれかを選択して接続する第２の切替スイッチ１６を備える。 （もっと読む）

【課題】実用材料として好適な、粒子状突起構造を有するナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子を提供する。
【解決手段】基体２と基体２上に成長した粒子状突起構造を有し、粒子状突起構造の直径は５０ｎｍ〜５００ｎｍであるナノ炭素材料３から成ることを特徴とするナノ炭素材料複合体１を提供する。パラジウムまたはその化合物から選ばれる薄膜を基体２上に形成する第１工程と、金属薄膜担持基体をオクタノール中で５５０℃以上６５０℃以下の範囲で加熱する第２工程とにより、ナノ炭素材料複合体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、絶縁基板と、前記絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極と、複数の電子放出ユニットとを含む。前記複数のグリッド電極及び前記複数陰極電極が交叉して、複数の格子が形成され、各々の前記格子に一つの前記電子放出ユニットが設置され、各々の前記電子放出ユニットが、少なくとも一つの電子放出体を含み、該電子放出体の両端がそれぞれ、前記グリッド電極及び前記陰極電極に電気的に接続され、前記電子放出体に隙間があり、該電子放出体が前記隙間に対向した二つの先端を有し、各々の前記先端が複数の電子放出先端を含む。また、本発明は、電界放出型電子源の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】大型であっても電界放出物質が均一に分散された電極を、容易に安価に製造することができ、省エネルギーで大型の電界放出型ランプの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｐｄから選ばれる１種又は２種以上を含む金属物質と、電界放出物質と、有機バインダーとを含有する混合物を基板上に膜状に形成し、焼成し、塊状金属物質と電界放出物質とを含有する電界放出型冷陰極を形成する。 （もっと読む）

【課題】エミッタ膜表面と粘着テープの粘着面との間に気泡が残らないようにしてエミッタ膜表面に粘着性シートの粘着面を貼り付けられるようにする。
【解決手段】カーボンナノチューブ８と無機バインダ１０とを含むエミッタ膜４の表面に粘着性シート１４の粘着面を貼り付け、次いでこの貼り付けた粘着性シート１４の粘着面をエミッタ膜４表面から剥離してカーボンナノチューブ８をエミッタ膜４表面から露出させると共に起毛させるカーボンナノチューブ起毛方法において、上記貼付に際しては、エミッタ膜４表面を粘着性シート１４の粘着面で覆うと共にエミッタ膜４表面と粘着性シート１４の粘着面とで囲む内部空間１６の圧力を粘着性シート１４表面側の外部空間２８の圧力より減圧状態に制御し、この内部圧力と外部圧力との圧力差で上記エミッタ膜４表面全体に粘着性シート１４の粘着面全体を等方圧で貼り付ける。 （もっと読む）

【課題】十分な量の電子放出が得られると共に、電子線の細径化を図ることができる電子放出素子、電子源、電子線装置、及びこのような電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
電子源１０では、導電型がｎ型のダイヤモンド半導体からなる突起部５６を電子放出部４８に設けていることから、電子放出部４８の電子親和力及び仕事関数を十分に低減させることができ、十分な量の電子放出が得られる。また、マイクロマニピュレーションによって搬送した微細な突起部５６を設けることで、突起部５６自体に複雑な加工を施すことなく電子放出部４８の細径化を実現できるため、電子放出部４８から放出される電子線の細径化が図られる。デポジション膜６０は、カーボンによって形成され、電子源１０の使用状態における電子放出部４８の昇温に対して十分に高い融点を有しているため、突起部５６と基部５２との強固な接合が保たれる。 （もっと読む）

【課題】 それぞれが独立して動作可能な多数の小さいセグメントを有する、ＬＣＤ用のバックライト、又は低い製造コストを可能にするＦＥＤ用の電子放出素子アレイを提供する。
【解決手段】 複数のナノワイヤ２１６を、陰極層２１４を有する基板上に堆積させることにより、電界効果電子放出素子が作製される。堆積は、ナノワイヤ２１６をめっき溶液中に懸濁させ、基板を金属層２０２でめっきして、ナノワイヤを埋め込むことによって行われる。ナノワイヤ２１６は、導電性の磁性材料から成る。堆積プロセスは、ナノワイヤ２１６が磁界によって整列されるように、基板２００に対して垂直な磁界の存在下で実行される。 （もっと読む）

【課題】 限られた数のＣＮＴを基板上に垂直成長させる試みはこれまでにも多数報告されているが、成長方向にバラツキが出る、ＣＮＴの成長数の制御が困難である、あるいは方法が複雑である等の問題点を抱えている。そこで、本発明の目的は、実用的観点において有効なＣＮＴの限定成長方法を提供することにある。
【解決手段】針状基板に触媒用金属を蒸着する触媒薄膜層形成のための第１工程と、該触媒薄膜層上に、非触媒用金属を蒸着し触媒被覆層を形成する第２工程と、前記２層が蒸着された針状基板の先端部をエッチング法により触媒被覆層を除去し触媒薄膜層を露出させる第３工程と露出触媒薄膜を微粒子化する第４工程とで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子放出能およびその均一性、安定性に優れたナノカーボンエミッタと、簡便で制御性が高いプロセスで作製可能なナノカーボンエミッタの作製方法と、このナノカーボンエミッタを適用し、高輝度、高均一、高信頼性を有する面発光素子とを提供する。
【解決手段】ナノカーボンエミッタ１は、基体２と基体２上に設けた導電層３と導電層３上に設けたナノ炭素材料複合体４とで構成され、ナノ炭素材料複合体４が、導電性粒子５に直接または金属若しくは金属化合物を介してナノ炭素材料６が形成されてなる。導電層３は接着性を有する。 （もっと読む）

【課題】小さな電界で大きな放射電流を示す、冷陰極等に用いられる高性能の電極材料、及びその効率的な製造方法、並びに該電極材料を用いた安価で性能の良い電界放射装置を提供する。
【解決手段】炭素繊維のような導電性繊維の円周方向に放射状に酸化亜鉛系ウィスカーを成長させることによって電極材料を構成する。好ましい酸化亜鉛系ウィスカーとしては、アルミニウム添加酸化亜鉛ウィスカーが用いられる。また、大気圧開放型のＣＶＤ装置を使用し、導電性繊維に直接通電加熱することによって繊維表面にウィスカーを成長させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子表面に電子放出材料を突出させるための前処理を行っても電子放出素子の構造を崩すことなく、電子放出素子上に多数の電子放出材料を突出させることができる電子放出素子用ペーストおよび、それを用いた電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出材料、無機粒子、有機微粒子を含む電子放出素子用ペーストであって、有機微粒子の平均粒径が０．０１〜０．５μｍであり、有機微粒子の含有量が電子放出素子用ペーストに対し０．１〜２０重量％である電子放出素子用ペースト。 （もっと読む）