【課題】電子放出材料の電極基板からの剥離を防止し、かつ電子放出源マトリックスの硬化度を最適化して活性化処理時に起毛しやすく、電子放出特性の良好な電子放出源用ペーストおよびそれを用いた電子放出素子を提供すること。
【解決手段】電子放出材料、シリコーン、および一般式（１）で表されるシラン化合物を含む電子放出源用ペースト。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置され、該基板の表面から立ち上がる少なくとも一の側面部を有する絶縁部材と、該絶縁部材の上面に設けられたゲートと、前記側面部の前記ゲートの直下に形成された凹部と、該凹部の下縁から上方へ突起し、該下縁の長さ方向に複数の頂部が形成された突起部を有するカソードとを備えた電子放出素子について、電子放出特性の向上を計る。
【解決手段】１．０Ｐａよりも低い全圧下のスパッタリング法で形成した第一の導電材料層６ａでカソード６を形成し、１．０Ｐａ以上２．８Ｐａ以下の全圧下のパッタリング法で第二の導電性材料層を形成し、該第二の導電性材料層をエッチングして、突起部の頂部８の内側斜面に残留させた第二の導電材料層で副頂部９を形成して電子放出点を増やす。 （もっと読む）

【課題】素子毎で電子放出特性のばらつきが少ない電子放出素子、電子放出素子を用いた電子線装置、及び電子線装置を用いた画像表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲートと、上面にゲートを有し、ゲート直下の側面に凹部を有する絶縁部材と、突起部分を有し、突起部分の先端が凹部を介してゲートに向き合っているカソードと、を備える電子放出素子の製造方法であって、金属を含み不動態を形成可能な部材からなるゲート、を上面に有する絶縁部材を形成した後、ゲートの表面に不動態膜を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大型の極薄型ディスプレイ装置や照明装置に使用して好適な、簡易かつ実用的な電子放出素子の製造方法、およびそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】隔壁１４によって隔てられた窪み部１２を有し、前記窪み部１２にはカソード電極１６と電子放出源１８が設けられ、前記隔壁１４上にはゲート電極２０が設けられた構造体を備える電子放出素子の製造方法であって、前記隔壁１４上へゲート電極２０を陽極接合する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】電子源を駆動するための電圧を印加するゲート−カソード間のリーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】表面に凹部を有する絶縁部材と、絶縁部材の表面に、凹部に対向させて配置されたゲート電極と、凹部の縁に配置され、ゲート電極に向けて突起する突起部分を有するカソードと、を含む電子放出素子の製造方法であって、凹部を設ける工程と、凹部の縁にゲート電極に向けて突起する凸部を設けた後にカソードを設ける工程と、をこの順で実施することを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブが固形分の総重量に対して９重量パーセント未満を占めるペースト使用し、電子電界エミッタを形成し、材料と前記電子電界エミッタとを接触させ、その後、材料を剥離して、電子電界エミッタの新たな表面を形成する電子電界エミッタの製造方法を提供する。
【解決手段】 固形分の総重量に対して９重量％未満、好ましくは０．０１から２重量％のカーボンナノチューブを含むペースト、或いは、０．０１から６．０重量％のカーボンナノチューブ、４０〜７５重量％の銀微粒子及び３〜１５重量％のガラスフリットを含むペーストを用いて、電子電界エミッタを形成し、材料を電子電界エミッタに密着接触し、その後、剥離して電子電界エミッタの一部を除去するか、あるいは前記電子電界エミッタを再配列させ、前記電子電界エミッタの新たな表面を形成し、カーボンナノチューブで構成される電子電界エミッタを製造することを特徴とする方法 （もっと読む）

【課題】 寸法が１００μｍ未満の三極管を製造する際に、全面スクリーン印刷で達成できる精度および解像度の限度があるのを解消するとともに、電気的な短絡の防止、多層形成時の異なるスクリーンの位置合わせ精度の低下などの問題を解決すること。
【解決手段】 ゲート三極管には、フィールドエミッタの陰極と陽極との間に物理的なゲート電極があり、反転ゲート三極管には、ゲートと陽極との間に物理的なフィールドエミッタ陰極がある。微粒子の形で銀または誘電体に加えて、少量の低融点ガラスフリットが光重合開始剤および光モノマーなどの光画像形成型成分を含む有機媒体中に含有されているＦｏｄｅｌ(R)銀および誘電体ペースト組成物（それぞれＤＣ２０６およびＤＧ２０１など）などの光画像形成型の厚いフィルム配合物を均一な層を厚さを調節しながら基板にスクリーン印刷し、所望のパターンを含む接触型フォトマスクをフィルムと相互に接触させて配置し、紫外（ＵＶ）線に暴露する。次に、このフィルムを弱い炭酸ナトリウム水溶液中にて現像し、これらのスクリーン印刷された厚いフィルムに光画像形成処理を施す光画像形成型の厚膜法により１０μｍと小さい造作寸法を達成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程である程度の面積を一度に加工することが可能な冷陰極電子源の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上にカソード電極２と絶縁層４とゲート電極５を重ね、互いに溶け合わないポリマーＡ，Ｂを溶媒で溶解してゲート電極の表面に被着する。溶媒を蒸発させてポリマーＢ中にポリマーＡを微粒子状に析出させて固定化し、現像液でポリマーＡを除去してエッチングホール９を形成し、エッチングを行なってゲート電極にホール６を形成する。さらにホール６からエッチングして絶縁層にもホールを形成し、ホール内にエミッタを形成して冷陰極電子源１０とする。 （もっと読む）

【課題】 動作電圧を低減し、安定した放出電流が得られる電子放出素子を得る。
【解決手段】 基板上に、第１絶縁層と、第１絶縁層とは異なる材料からなる第２絶縁層と、電極とを、この順で積層する工程と、第２絶縁層の側面をエッチングして、第１絶縁層の側面に連続した第１絶縁層の上面を露出させる工程と、硼化ランタンの多結晶膜を、第１絶縁層の上面と側面とに渡って形成する工程と、を有し、多結晶膜を構成する結晶子のサイズを２．５ｎｍ以上とし、かつ、多結晶膜の膜厚を１００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を有する従来のアノード基板では、エミッタから放出される電子が拡散し、電荷注入効率が悪い。また、各カソード基板相互の間での電荷注入効率がばらつき易い。
【解決手段】処理基板１１上に順次積層したカソード電極層１２、絶縁層１４及びゲート電極層１５を備え、この絶縁層に形成したホール１４ａの底部にエミッタＥを設けると共に、前記ゲート電極層にゲート孔開口部１６を形成する。この場合、ゲート孔開口部を、絶縁層のホールの開口面積より小さい面積を有する複数個の開口１６ａから構成し、各開口を、エミッタに対向して絶縁層のホール直上に密集させる。 （もっと読む）

【課題】電子放出の指向性が優れ、ゲート電位による制御性の良好なカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法を提供する。
【解決手段】基板１８上に配置されたカソード電極１０と、カソード電極１０上に配置された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２上に配置されたゲート電極１４と、ゲート電極１４上に配置された第２絶縁膜２０と、第２絶縁膜２０およびゲート電極１４の開口部に、第１絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達して形成されたホール１１と、ホール１１の底面およびゲート電極１４の側面に形成された触媒微結晶核２９と、カソード電極１０上の触媒微結晶核２９上に形成されたエミッタカーボンファイバー４と、ゲート電極の側面上の触媒微結晶核２９上に形成されたゲートカーボンファイバー３とを備えるカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法。 （もっと読む）

【課題】工程が少なく、製造コストを低減できるとともに、焼成工程における有機残渣の少ない電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出材料含有塗膜、絶縁材料含有塗膜または導電材料含有塗膜の少なくとも一種が形成された基材の塗膜面をカソード電極基板上に貼り合わせ、該基材の該貼り合わせ面と反対の面からレーザー照射し、基材からカソード電極基板上に転写することにより、パターニングされた電子放出源、絶縁層またはゲート電極の少なくとも一種を形成する工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】効率的に電界を集中させて電子を放出し、低い駆動電圧で高いエミッション電流密度を実現するフィールドエミッション装置等を提供する。
【解決手段】フィールドエミッション装置１０１は、導電体からなるカソード層１０２と、カソード層上に配置される絶縁層１０３と、絶縁層１０３上に配置され、スリット１０６を設けた導電体からなるゲート層１０４と、エミッタ１０５と、を備え、絶縁層１０３は、当該スリット１０６から、カソード層１０２において当該スリット１０６に対向する対向領域１０８に至る空隙が設けられ、エミッタ１０５は、当該対向領域１０８上に配置された複数の、典型的には単層乃至３層の細いカーボンナノチューブが絡み合った棘状の突端を有する構造体からなる。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価な方法で、電極配線金属からの異常成長を防止し、カーボンナノチューブを高密度かつ均一に形成可能なカーボンファイバー製造法、高出力電流密度のカーボンファイバー電子源、高電流密度で高輝度、大容量を有するＦＥＤ装置を提供する。
【解決手段】基板１８上にカソード電極１０を形成する工程と、カソード電極１０上に第１絶縁膜１２を形成する工程と、第１絶縁膜１２上にゲート電極１４を形成する工程と、第１絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達するホール（１１）を形成する工程と、ホールの底面に触媒微結晶核２９を形成する工程と、ゲート電極１４表面上に第２絶縁膜５０を形成する酸化工程と、触媒微結晶核２９上にカーボンナノチューブ４を形成する工程とを有することを特徴とするカーボンファイバー製造法、カーボンファイバー電子源、およびＦＥＤ装置。 （もっと読む）

【課題】電子放出層から放出された電子の軌道の収束性に優れ、しかも、製造が比較的容易なエッジ型の冷陰極電界電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出層１３と、絶縁層１４と、ゲート電極層１５とが、この順に支持体１０上に積層され、ゲート電極層１５から支持体１０の表面に達する開口部１６が設けられ、開口部１６は、ゲート電極層１５に設けられた第１開口部１５Ａと、絶縁層１４に設けられた第２開口部１４Ａと、電子放出層１３に設けられた第３開口部１３Ａとから成り、第１開口部１５Ａと第２開口部１４Ａと第３開口部１３Ａとは連通しており、電子が放出される第３開口部１３Ａの開口端部の厚さは先端部に向かって減少し、且つ、第３開口部１３Ａの開口端部の下縁は上縁よりも後退している。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノチューブで構成した３次元構造の長寿命電界放出エミッターを提供する。
【解決手段】広い面が互いに対向して対をなすように配置されている少なくとも二つの電極板と、電極板のそれぞれの両面に形成された炭素ナノチューブと、電極板のそれぞれの一側面が接触された状態で垂直に固定される基板と、基板から離間した状態で並列状に配列され、基板に対向する蛍光体を有するアノード電極と、アノード電極と電極板との間に直流電圧を印加する直流電源と、対をなす電極板のうちのいずれか他の一つに周期的に異なる大きさの電圧を有するパルス波を印加することによって、これらが交互にカソード電極とゲートの役割をなすようにするパルス波供給機とを具備する。 （もっと読む）

【課題】電界放出ディスプレイの三極管構造の製法を提供する。
【解決手段】マトリクスに配列された複数の陰極層は、陰極層を被覆して形成される。複数の縦延伸したゲートラインは誘電層上に形成され、各ゲート層は陰極層の２つの隣接した列間に設置される。 （もっと読む）

陰極構造（１２）、陰極構造（１２）から離間された陽極構造（１３）および制御格子（１５）を含み、陰極構造（１２）および陽極構造（１３）は個別に形成されると共にスペーサ（１４）を挿設して一緒に接合され、ならびに、制御格子（１５）が陽極構造（１２）に組み込まれている、高周波、冷陰極、三極管タイプ、フィールドエミッタ真空管が本明細書において開示されている。
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【課題】電界放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０と、基板１１０上に形成されるものであり、基板１１０を露出させるスロット状のカソードホール１１３を持つ複数のカソード電極１１２と、カソードホール１１３それぞれを通じて露出された基板１１０上に設けられるものであり、カソードホール１１３の両側から離隔してカソードホール１１３の長手方向に沿って形成されるエミッタ１３０と、カソード電極１１２を覆うように基板１１０上に形成されるものであり、カソードホール１１３と連通する絶縁層ホール１１５を持つ絶縁層１１４と、絶縁層１１４上に形成されるものであり、絶縁層ホール１１５と連通するゲートホール１１７を持つ複数のゲート電極１１６と、を備える電界放出素子。 （もっと読む）

【課題】十分な量の電子を安定的に電界放射することが可能で容易に製造可能な電界放射素子およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】絶縁基板１０の上面に一方向に延びる複数の壁部１１が所定間隔ごとに平行に形成されている。各壁部１１の一方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のカソード層２１が形成されている。各壁部１１の他方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のゲート層２２が形成されている。隣接する壁部１１に形成されたカソード層２１とゲート層２２との間は互いに分離され、電気的に絶縁されている。絶縁基板１０の上方に、所定間隔を隔てて透明基板５０が支持枠６０を介して配置されている。透明基板５０の下面には、壁部１１、カソード層２１およびゲート層２２に対向するように蛍光体層３０およびアノード層４０が絶縁基板１０側からこの順に設けられている。 （もっと読む）