【課題】 ガスを混合させることによってイオン源の性能を向上させると共にイオン源を長寿命化する技術を提供する。
【解決手段】 ガスを混合させることによってイオン源の性能を向上させると共に前記イオン源を長寿命化する技術を開示する。１つの具体的な実施形態例によると、当該技術は、イオン注入装置のイオン源の性能を向上させると共にイオン源を長寿命化する方法として実現されるとしてよい。当該方法は、イオン源チャンバに所定量のドーパントガスを導入する段階を備えるとしてよい。ドーパントガスは、一のドーパント種を含むとしてよい。当該方法はさらに、イオン源チャンバに所定量の希釈ガスを導入する段階を備えるとしてよい。希釈ガスは、ドーパントガスを希釈して、イオン源の性能を向上させると共にイオン源を長寿命化する。さらに、希釈ガスは、ドーパント種と同一のＣＯ種を含むとしてよい。 （もっと読む）

中央磁極と電気的アノードとの両方として作用するアノードを備える、クローズドドリフトイオン源を提供する。前記アノードは、前記源の電気インピーダンスをさらに増大させるために、クローズドドリフト領域を生成する絶縁材料キャップを備える。前記イオン源は、宇宙スラスタへの応用のための円形の従来のイオン源、または広範囲の基板を均一に処理するための長い線状のイオン源として構成されることができる。特に有用な実施では、本発明を、マグネトロンスパッタプロセスのためのアノードとして使用する。
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【課題】 カソードの着脱が容易であり、しかもカソードからカソードホルダーへの伝熱損失を低減してカソードの加熱効率を高めることができるイオン源を提供する。
【解決手段】 このイオン源は、前部２２、後部２４および両者をつなぐ連結部２６、２７を有しておりかつ後部２４が二つの張出し部２４ａを有しているカソード２０と、先端部が鉛直方向Ｇの下に向くように配置されていてその先端部付近内に、カソードの後部２４が通る貫通穴３４を有する棚部３２を備えている筒状のカソードホルダー３０と、カソードの後部２４に対応した形状をしていて後部２４が通る貫通穴４４を有しているロック板４０とを備えている。そして、カソードの後部２４を、カソードホルダーの貫通穴３４およびカソードホルダー内に入れたロック板の貫通穴４４に通し、カソード２０とロック板４０を相対的に回転させてカソードの後部２４とロック板４０とを係合させて、ロック板４０を介してカソード２０を棚部３２で支持している。 （もっと読む）

イオン注入方法は、Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２からＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンを生成することと、材料中にＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンを注入することと、を含む。幾らかの実施形態においては、前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンの分子量は１００ａｍｕより大きい。他の実施形態においては、約１３２〜１４４ａｍｕ、あるいは、約１３６〜１３８ａｍｕである。チャンバを画定するチャンバ筐体と、チャンバにＣ_２Ｂ_１０Ｈ_１２を導入するソースフィードガス供給源と、を含み、チャンバ内でソースフィードガスをＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンにイオン化する、イオン源もまた開示される。 （もっと読む）

イオン注入方法およびそれに利用されるイオン源が提供される。方法は、多数の元素を含むソースフィードガスからイオンを生成することに関する。例えば、ソースフィードガスは、ホウ素と他の少なくとも二つの元素（例えばＸ_ａＢ_ｂＹ_ｃ）とを含みうる。このようなソースフィードガスの利用により、従来の処理に比して幾らもの利点が生じ、その中のひとつに、非常に浅い接合深さを持つ注入領域を形成する際、より高い注入エネルギーおよびより高いビーム電流の利用を可能とすることがある。さらに、幾らかの実施形態においては、ソースフィードガスの組成が、例えば摂氏３５０度より高い温度などの比較的高い温度下において熱的安定するように選択されて、利用中にこのような温度を生じる多くの従来のイオン源（例えば傍熱陰極、Ｂｅｒｎａｓ）でもそのようなガスの利用を可能ならしめることができる。 （もっと読む）

【課題】従来、高周波プラズマを用いて、窒素プラズマとフラーレンを反応させて窒素内包フラーレンを製造していた。従来の方法では、内包フラーレンの生成に必要な窒素原子イオンの生成効率が低く、また、生成されたイオンのエネルギー制御性が悪いために、内包フラーレンの収率が極めて低いという問題があった。
【解決手段】熱陰極と直流マグネトロン放電を用いたプラズマ源により窒素プラズマを生成し、さらに、窒素イオンのエネルギーを制御して高密度のフラーレンガス中に照射し、窒素内包フラーレンを生成した。窒素原子イオン密度が高く、イオンエネルギーを最適制御して高密度フラーレンに照射しているため、高い収率で窒素内包フラーレンを製造することが可能になった。 （もっと読む）

イオン注入システムの汚染を軽減するためのシステム及び方法を提供する。本システムは、イオン源、イオン源のフィラメント及びミラー電極にパワーを供給するように動作可能な電源、加工物操作システム、及びコントローラーを含み、イオン源は、コントローラーによって、イオンビームの形成を迅速に制御するように選択的に調整可能である。コントローラーは、イオン源に供給されるパワーを選択的に高速制御するように動作可能であり、加工物の位置に関連する信号に少なくとも部分的に基づいて、イオンビームの出力を注入出力と最小出力との間で約２０マイクロ秒以内に変調する。このようにイオン源を制御することによって、イオンビームが注入電流である時間を最小限に留めることにより、イオン注入システム内の微粒子汚染が軽減される。
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【課題】イオン電流密度を向上させるアークチャンバを持つイオン注入装置を提供する。
【解決手段】内部に一定空間を持つアークチャンバ１００と、アークチャンバ１００内の一側に位置して熱電子を放出するフィラメント１０２と、アークチャンバ１００内の他側に位置して熱電子の消耗を防止するリペラ１０８と、アークチャンバ１００内に磁場を提供する電磁石と、を備え、アークチャンバ１００のボディ１４０の内壁１４５の形態が外側に脹らんでいることを特徴とするイオン注入装置。これにより、熱電子がボディで消耗されずに電子損失を減らして、アークチャンバから放出される陽イオンのイオン電流密度を大きく向上させる。 （もっと読む）