本発明の電子検出器３０は半導体ウェハ１１を備えている。この半導体ウェハは、厚いウェハの一領域をエッチングすることによって形成された最大で１５０μｍ、好ましくは最大で１００μｍの厚さの中央部１２を有する。中央部１２の両面に、ｎ型およびｐ型のコンタクト１６、３１がある。動作の際に、各コンタクトの間に逆バイアスが加えられ、各コンタクトの間の真性半導体材料の層１５に入射する電子が電子−正孔対を発生し、この電子および正孔は、各コンタクトに向かって加速し、そこで信号として検出することができる。導電端子２４、３２がコンタクトと接触し、また、本検出器の活性領域外の半導体ウェハに実装されたＩＣチップ２８、３７内の信号処理回路に接続される。コンタクトは、２次元空間分解能を実現するために、真性層１５の２つの面で直角に延びる条片のアレイの形状をしている。 （もっと読む）

ファラデードーズ及び均一性監視器は、標的ウェハを囲む磁気抑制されたファラデーカップを含むことができる。狭い開口がファラデーカップの開口部内での放電を減少できる。環状ファラデーカップは連続した断面を備えることができ、とぎれに起因する放電を除去できる。異なる半径における複数の環状ファラデーカップを用いれば、電流密を別々に測定してプラズマ均一性の変化を監視できる。磁気抑制場は、距離の増加と共に場の強さが急激に減少するよう構成してプラズマ及び注入摂動を最小化でき、更に、半径方向及び方位角成分の両方か、主として方位角成分を備えることができる。この場の方位角成分を発生するには、垂直配向され且つ極性を交互配置した複数の磁石又は磁界コイルを用いればよい。更に、ドーズ電子機器が高電圧におけるパルス電流を集積し、集積した電荷をドーズコントローラに光学接続された一連の光パルスに変換できる。
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本発明は、明視野コントラストと暗視野コントラストとに相当する信号が同時に透過中に検出される走査型電子顕微鏡の試料チャンバ用の検出器システムに関する。検出器システム（１４）は、平面（２５）内に４台の検出器（１５〜１８）を有し、それらの間に電子の自由な通過用の穴（１９）がある。この穴（１９）の後方に第２の平面（２６）内に別の検出器（２７）が配設されている。この検出器は、好ましくはダイオードである。より試料に近い第１の平面（２５）内の検出器（１５、１６、１７、１８）は、暗視野コントラストに相当する信号の発生に使用される。別の試料からより遠い検出器（２７）は、明視野コントラストに相当する信号を検出する。第１の平面（２５）内の４個のダイオード（１５、１６、１７、１８）のずらされた配列により、ダイオード間と穴（１９）周りの、電子に対して不感性のデッドスペースがより大きくなることを回避できる。
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イオン検出器から電子検出器へと切り換え可能な粒子検出器はイオン−電子変換器およびシンチレータ検出器を有する。構成部品への１セットの電圧で、変換器は電子の軌道上で最小限の衝突を有し、それゆえに電子がシンチレータ検出器によって効率的に検出される。構成部品への異なった電圧設定で、大部分のＦＩＢ応用について充分な効率で陽イオンを収集するように検出器が陽イオンのモードで動作することが可能である。このイオン−電子変換器は円筒の形状であるか、または複数の平行プレートを有することが好ましい。 （もっと読む）

加速電子検出器はＣＭＯＳ構造のモノリシックセンサのアレイを備え、各センサは基板（１０）と、エピ層（１１）と、ｐ＋ウェル（１２）と、エピ層（１１）によってｐ＋ウェル（１２）から分離されたｎ＋ウェル（１３）とを含む。ｐ＋ウェルには複数のＮＭＯＳトランジスタが集積される。センサはまた、バイアス電圧の印加によりエピ層内に発生する電荷担体がｎ＋ウェル（１３）にドリフトされるように、エピ層内に欠乏層を確立する深いｎ領域（１５）をｐ＋ウェル（１２）の下に含む。検出器は改善された放射線耐性を有し、したがってそれは電子顕微鏡のような加速電子の検出および撮像に適する。 （もっと読む）

【課題】低真空における電子の散乱を考慮しより高画質、高分解能と良好な像質を兼ね備えた低真空二次電子観察を可能にすることを目的とする。
【解決手段】本発明の基となっている基本原理を考慮し、対物レンズ下面に円盤状の電極を設置する事で高分解能な低真空二次電子観察を可能とする。またこの電極構造を用いて低真空用差動排気オリフィスの長さを延長した固定絞りを装備し、低真空状態における電子ビームの散乱を抑え像質の向上を可能とする。低真空SEMにおける試料周辺の残留ガス分子による二次電子増幅法と吸収電流を利用して画像を形成する方式に於いて、比較的少ない部品数で電極が作用する電界や１次電子ビームの散乱を考慮した設計によって、低真空における高分解能・良好な像質での観察を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 試料の加工速度、加工量、試料の残り厚さを高精度に自動的に検出でき、電子顕微鏡観察のための薄膜試料を高精度及び高効率に作成可能な集束イオンビーム加工装置を実現する。
【解決手段】 試料ホールダ８には試料５が装填され、試料５はこれに電圧Ｖを印加する電圧電源１６と試料５に流れる電流を測定する電流計１７とに直列に接続されている。電圧電源１６は電圧電源制御部１８に接続され加工中の試料に断続的に電圧が印加され、試料に流れる電流が測定され、試料の抵抗変化がコンピュータ１０により算出される。算出された試料５の抵抗変化から試料の厚み変化が算出され、所定の厚みに加工されたか否かが判断される。加工中の試料の加工体積及び加工速度は、データ表示部１９に表示され、試料が所定の厚みに加工されると、試料の加工が自動的に停止される。 （もっと読む）

【目的】 電磁場分布の空間変化が場所により大きく異なる試料を観察した場合でも、視野の各部分に適したコントラストで像を得ることができる顕微鏡を提供する。
【構成】 走査型透過電子顕微鏡に、電子線を分離するバイプリズム、電子線の干渉縞の透過できるスリット、および電子線の強度および偏向を検出できる検出器を付加した。
【効果】 １つの顕微鏡を走査ローレンツ電子顕微鏡と走査干渉電子顕微鏡として使うことができ、両者を使いわけることにより、視野の各部分に適したコントラストで像を得ることができる。 （もっと読む）