【課題】 有機樹脂系絶縁膜を層間絶縁膜等に用いた際の、コンタクトプラグの埋め込み形状不良やコンタクト抵抗の上昇を防止する。
【解決手段】 原料ガスとして、芳香族化合物あるいは複素環式化合物を含む原料ガスを採用し、プラズマＣＶＤ法により有機樹脂系絶縁膜４を形成する。
【効果】 有機樹脂系絶縁膜中の低分子量の揮発性成分が充分除去され、コンタクトプラグ形成時の脱ガスが防止される。このため、埋め込み形状に優れた低抵抗の層間接続を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率のフッ素化アモルファスカーボン系絶縁膜５（ａ−Ｃ：Ｆ）を、安定に再現性良く成膜しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ中にＣＦ系化学種あるいはＣＦ₂ 系化学種を生成する化合物、一例としてヘキサフルオロ−２−ブチンを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法で成膜する。ＮＨ₃ 等の窒化剤を添加してもよい。
【効果】 ＣＦ系化学種あるいはＣＦ₂ 系化学種は、フッ素化アモルファスカーボン系絶縁膜５の前駆体そのものであり、ＣＨ₄ 等のカーボン供給ガスを必要とせずそのままプラズマ重合する。したがって安定な組成のフッ素化アモルファスカーボン系絶縁膜５を再現性良く形成できる。 （もっと読む）

【目的】 配線で発生した熱をすばやく伝達することができ、かつ、配線の有する容量が小さな層間絶縁膜を形成することにより、高速で、かつ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【構成】 本発明の半導体装置は、導電性基体の表面及び／又は裏面上に、第１の絶縁物を介して積層された多層の金属等の低抵抗配線を有する半導体装置において、前記低抵抗配線間にある前記第１の絶縁物に貫通孔が設けられ、かつ、前記貫通孔が、少なくとも導電物で充填された孔（スルーホール：ＴＨ）と、前記第１の絶縁物よりも大きな熱伝導率を有する第２の絶縁物で充填された孔（ダミーホール：ＤＨ）とからなることを特徴とする。さらに、前記低抵抗配線と前記導電性基体との間、又は、前記低抵抗配線のうち最上層に位置する低抵抗配線と放熱装置との間にも、同様のＴＨとＤＨとを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 段差表面の被覆性に優れ、膜厚ばらつきが小さいイリジウム薄膜、酸化イリジウム薄膜を堆積する薄膜形成方法、並びにこれらイリジウム薄膜又は酸化イリジウム薄膜を用いる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【構成】 Ｉｒ（ＤＰＭ）₃を原料に用いた化学気相成長法により、イリジウム薄膜又は酸化イリジウム薄膜を成膜する。表面凹凸がある下地基板上にも、被覆性に優れたイリジウム薄膜及び酸化イリジウム薄膜を形成することができる。また、膜厚のばらつきを小さく抑えることができる。 （もっと読む）

【目的】 強誘電性薄膜の配向性を制御できる薄膜形成方法を提供する。
【構成】 白金薄膜１４上にＢａＴｉＯ₃ ，ＳｒＴｉＯ₃ ，ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣｅＯ₂ 及びＭｇＯの化合物の群の中から選ばれた１種類の化合物又は２つ以上の化合物で配向性制御層１６を形成する。その後、該配向性制御層１６上にＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ 層（ＰＺＴ層）１８又はＰｂ_1-y Ｌａ_y （Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃ 層（ＰＬＺＴ層）を形成する。 （もっと読む）