国際特許分類[H01L21/338]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程 (13,126) | 電界効果トランジスタ (13,024) | ショットキーゲートを有するもの (2,351)
国際特許分類[H01L21/338]に分類される特許
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半導体結晶基板、半導体結晶基板の製造方法、半導体装置の製造方法、電源装置及び増幅器
【課題】基板の外周部においてクラックの発生が抑制される半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】半導体結晶基板110と、基板110の表面に窒化物により形成された保護層120と、を有し、保護層120は、基板110の外周部となる周辺領域120aはアモルファス状態であり、基板110の周辺領域よりも内側の内部領域120bは結晶化している。
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半導体装置及び半導体装置の製造方法
【課題】窒化物半導体層をチャネルとして用いたトランジスタにおいて、オン抵抗を低くしつつ、閾値電圧を高くする。
【解決手段】キャップ層400と障壁層300の界面、及びチャネル層200とバッファ層100の界面には圧縮歪が生じており、障壁層300とチャネル層200の界面には引張り歪が生じている。このため、キャップ層400と障壁層300の界面、並びにチャネル層200とバッファ層100の界面において、負の電荷が正の電荷よりも多くなっており、障壁層300とチャネル層200の界面において、正の電荷が負の電荷よりも多くなっている。チャネル層200は、第1層、第2層、及び第3層の積層構造を有している。第2層は、第1層及び第3層よりも電子親和力が大きい。
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窒化物半導体装置およびその製造方法
【課題】ノーマリオフ型のHEMT構造を有し、かつ優れたデバイス特性を有する窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、窒化物半導体からなる電子走行層3と、電子走行層3に積層され、電子走行層3とはAl組成が異なり、Alを含む窒化物半導体からなる電子供給層4と、電子供給層4と電子走行層3との界面に連続する界面を有し、電子走行層3上に形成された酸化膜11と、酸化膜11を挟んで電子走行層3に対向するゲート電極8とを含む。
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高周波用半導体素子形成用のエピタキシャル基板および高周波用半導体素子形成用エピタキシャル基板の作製方法
【課題】コストメリットがあり、かつ、特性の優れた高周波動作用の半導体素子を実現できるエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】導電性を有するSiCまたはSiからなる基材の上に、絶縁性を有する第1のIII族窒化物からなる下地層をMOCVD法によって、表面に実質的に非周期的な凹凸構造を有するようにかつ、表面の平均粗さが0.5μm以上1μm以下となるように、エピタキシャル形成し、下地層の上に、GaNからなるチャネル層をエピタキシャル形成し、チャネル層の上に、AlxGa1−xN(0<x<1)からなる障壁層をエピタキシャル形成する。
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化合物半導体装置及びその製造方法
【課題】GaとSiとの反応を抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、Si基板1と、Si基板1の表面に形成されたSi酸化層3と、Si酸化層3上に形成され、Si酸化層3の一部を露出する核形成層2と、Si酸化層3及び核形成層2上に形成された化合物半導体積層構造9と、が設けられている。
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窒化物半導体電子デバイス、窒化物半導体電子デバイスを作製する方法
【課題】チャネルリークを低減可能な窒化物半導体電子デバイスが提供される。
【解決手段】
【0097】ヘテロ接合トランジスタ11によれば、電流ブロック層27はp導電性を有する。ドープ半導体層17が開口部16の側面16aに設けられると共にドープ半導体層17が電流ブロック層27とチャネル層19との間に設けられるので、チャネル層19が、エッチングの際に開口部16の側面16aに形成されている可能性があるドナー性欠陥を含む半導体に直接に接触することがない。また、ドープ半導体層17は、電流ブロック層27とチャネル層19との間に設けられると共にチャネル層19はキャリア供給層21とドープ半導体層17との間に設けられるので、ドープ半導体層17の追加により、チャネル層19及びキャリア供給層21の配列は変更されることがない。
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窒化物半導体装置
【課題】スイッチングノイズ発生を抑制できるノーマリオフ形の窒化物半導体装置の提供。
【解決手段】本発明の実施形態の窒化物半導体装置は、AlxGa1−xN(0≦x<1)からなる第1の半導体層4と、AlyGa1−yN(0<y≦1、x<y)からなる第2の半導体層5と、導電性基板2と、第1の電極6と、第2の電極8と、制御電極7と、を備える。第2の半導体層は第1の半導体層に直接接合する。第1の半導体層は、導電性基板に電気的に接続される。第1の電極及び第2の電極は、第2の半導体層の表面に電気的に接続される。制御電極は、第1の電極と第2の電極との間の第2の半導体層の前記表面上に設けられる。第1の電極は、Si−MOSFET102のドレイン電極8aに電気的に接続される。制御電極は、前記MOSFETのソース電極6aに電気的に接続される。導電性基板は、前記MOSFETのゲート電極7aに電気的に接続される。
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窒化物半導体装置
【課題】ドレイン配線電極に起因する電流コラプス現象への影響が抑制され、且つ耐圧が向上された窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体からなるデバイス層と、デバイス層上に互いに離間して配置されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極間でデバイス層上に配置されたゲート電極と、デバイス層上に配置された層間絶縁膜と、ドレイン電極とゲート電極間において層間絶縁膜を介してデバイス層と対向して配置され、ドレイン電極と電気的に接続されたドレイン配線電極と、ゲート電極とドレイン電極間においてデバイス層上に層間絶縁膜を介してデバイス層と対向して配置されたドレイン電極に比べて低電位側のフィールドプレートとを備え、ドレイン配線電極下方の層間絶縁膜の膜厚が、フィールドプレート下方の層間絶縁膜の膜厚よりも厚い。
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化合物半導体装置及びその製造方法
【課題】多様な構造を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1の上方に形成された化合物半導体層2と、が設けられている。化合物半導体層2には、第1の不純物の活性化により発生した第1導電型のキャリアを含む第1の領域2aと、第1の不純物と同一種類の第2の不純物の活性化により発生したキャリアを、第1の領域2aよりも低濃度で含有する第2の領域2bと、が設けられている。
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支持されたゲート電極を備えるトランジスタの作製方法およびそれに関連するデバイス
【課題】貫通する開口を備える保護層を基板上に形成し、さらにこの開口の中にゲート電極を形成することによって、トランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極の第1の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第2の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第1の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。
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