【課題】加工マージンの大きい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、主面を有する半導体基板と、半導体基板上に形成された第１絶縁膜と、第１絶縁膜に形成された複数のコンタクト孔と、複数のコンタクト孔内にそれぞれ形成された複数の第１コンタクトプラグと、第１絶縁膜上に形成され、該第１絶縁膜の複数の第１コンタクトプラグが形成された領域を含む所定領域を露出させる開口部を有する第２絶縁膜と、第１絶縁膜のうち開口部で露出した部分に形成され、半導体基板の主面に対して垂直方向に見て、開口部が形成されていない第１絶縁膜の上面の位置よりも低い上面の位置を有する凹部と、開口部を横切り、かつ複数の第１コンタクトプラグのそれぞれの上面に接続されるように、第１絶縁膜の凹部から第２絶縁膜の開口部を経て第２絶縁膜の上面にかけて形成された第２導電膜から成る複数の配線と、を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は複数のメモリセルを含むメモリセル領域を備える半導体装置に関し、メモリセルブロックに含まれる全てのメモリセルに安定した特性を付与することを目的とする。
【解決手段】半導体装置の複数の層に、半導体装置の機能上必要なパターンである機能パターン１００と、機能上は不必要なダミーパターン１０２とを形成する。シリコン基板８０と機能パターン１００との間、あるいは機能パターン１００相互間には、所望の配線構成を形成するためプラグ１０４が形成されている。一方、各層のダミーパターン１０２間には、ダミーパターン１０２を所定電位の端子に導通させるためのダミープラグ１０６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】アニール時の酸化剤の拡散によるゲート電極の酸化を抑制する。
【解決手段】半導体基板の活性領域にゲートトレンチを形成する工程と、前記半導体基板の活性領域上及びゲートトレンチ内にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の前記ゲートトレンチの開口縁近傍における窒素濃度が、前記ゲートトレンチの底部近傍における窒素濃度よりも高濃度となるように、プラズマ窒化処理によって前記ゲート絶縁膜に窒素を導入する窒化工程と、前記ゲートトレンチを埋めて前記ゲート絶縁膜を覆うようにゲート電極層を積層してから、前記ゲート電極層をエッチングによりパターニングしてゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記ゲート電極層のエッチングによって露出した前記活性領域をアニールするアニール工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）

酸化ストロンチウムルテニウムは、ルテニウム伝導体と酸化ストロンチウムチタン誘電体との間に有効な界面を提供する。酸化ストロンチウムルテニウムの形成は、酸化ストロンチウムを形成するための原子層堆積の使用と、その後の酸化ストロンチウムルテニウムを形成するための酸化ストロンチウムの焼鈍とを含む。酸化ストロンチウムの第１の原子層堆積は水を酸素源として使用して行われ、続いて、その後の酸化ストロンチウムの原子層堆積がオゾンを酸素源として使用して行われる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に覆われるキャパシタの特性を良好にすることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板（半導体基板）１の上方に形成された第１の層間絶縁膜（第１絶縁膜）１１と、第１の層間絶縁膜１１上に形成され且つ下部電極１６ａ、誘電体膜１７ａ及び上部電極１８ａを有するキャパシタ２０と、キャパシタ２０及び第１層間絶縁膜１１の上方に形成された第４の層間絶縁膜（第２絶縁膜）２６と、キャパシタ２０及びその周辺の上方であって第４の層間絶縁膜２６の上に形成され且つ第４の層間絶縁膜２６とは逆の方向の応力を有する金属パターン３１とを有する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ構造物とその製造方法、及び前記キャパシタ構造物を含む半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】キャパシタ構造物は、平らな上面を有し、基板上に第１方向に複数個形成されて下部電極カラムを定義する下部電極であって、前記下部電極カラムは、前記第１方向に垂直する第２方向に複数個形成されて下部電極マトリックスを形成し、少なくとも隣接する２つの下部電極の上部の側壁上に形成される複数個の支持構造物と、前記下部電極及び支持構造物の表面に沿って具備される誘電膜と、及び前記誘電膜上に具備される上部電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造において、金属膜の酸化による高抵抗化を防止し、生産性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板２００を収容し、基板２００の温度が第１処理温度となるように設定された処理室２０１内に、酸素を用いることなく熱分解にて金属含有膜を形成できる有機金属原料ガスを供給して、基板２００上に金属含有膜を形成する工程と、金属含有膜が形成された基板２００を収容し、基板２００の温度が第２処理温度となるように設定された処理室２０１内で、水素含有ガス雰囲気下、もしくは、到達真空雰囲気下で金属含有膜を熱処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンデンサを有する集積回路デバイスに関する。
【解決手段】集積回路デバイスおよびその製造方法は、相互接続構造およびコンデンサを含む。相互接続構造は、金属線および接点を含み、コンデンサは上部および下部金属電極を含む。この方法は、半導体基板に隣接する誘電体層を形成することと、第一誘電体層において相互接続構造の第一開口部およびコンデンサの第二開口部を同時に形成することとを含む。この方法は、相互接続構造を形成するために、第一導電層を選択的にデポジットさせて、第一開口部を充填することと、第二開口部にコンデンサを形成するために、その間にコンデンサ誘電体を有する上部および下部金属電極を形成することとを含む。集積回路デバイスは、金属電極を有し、デュアル・ダマシーン構造にも使用でき、統合される高密度コンデンサを提供する。この様に、コンデンサは、デュアル・ダマシーン相互接続構造と同一レベルに位置される。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に覆われるキャパシタの特性を良好にすることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板（半導体基板）１の上方に形成された第１の層間絶縁膜（第１絶縁膜）１１と、第１の層間絶縁膜１１上に形成され且つ下部電極１６ａ、誘電体膜１７ａ及び上部電極１８ａを有するキャパシタ２０と、キャパシタ２０及び第１層間絶縁膜１１の上方に形成された第４の層間絶縁膜（第２絶縁膜）２６と、キャパシタ２０及びその周辺の上方であって第４の層間絶縁膜２６の上に形成され且つ第４の層間絶縁膜２６とは逆の方向の応力を有する金属パターン３１とを有する。 （もっと読む）

【課題】エッチング時に、除去しにくい反応生成物を生じさせうる膜を含む積層構造の被加工膜にも対応できるエッチング技術を提供する。
【解決手段】ハードマスク膜と前記ハードマスク膜上に積層されたフォトレジスト膜とを含むマスク層を被加工膜上に選択的に形成し、フォトレジスト膜を含むマスク層をマスクとして前記被加工膜に対し第１のエッチングを行い、前記マスク層に前記フォトレジスト膜が実質的に存在しない状態で前記ハードマスク膜をマスクとして前記被加工膜に対し第２のエッチングをさらに行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）