本発明は、電子パッケージ及びその構成方法に係る。マイクロ電子金型は、フレキシブル基板に対して取り付けられる。モールドキャップは、金型の上方に射出成形される。モールドキャップは、湾曲した凸状端部面を有し、その周囲にフレキシブル基板が巻き付く。フレキシブル基板の折畳みは、該端面によって制御され、不具合を低減し、１つのパッケージから次への一貫性のある形状因子を確実とし、比較的弾性のグラウンド平面の含有を可能にする。
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マイクロ構造（２６）を収容する気密封止キャビティ（２２）を有するマイクロデバイス（２０）である。マイクロデバイス（２０）は基板（３０）と、キャップ（４０）と、絶縁層（７０）と、少なくとも一つの導電アイランド（６０）と、そして分離トレンチ（５０）と、を備える。基板（３０）は上面（３２）を有し、この上面の上には複数の導電配線（３６）が形成される。これらの導電配線（３６）がマイクロ構造（２６）への電気的接続手段となる。キャップ（４０）は基台部分（４２）及び側壁（４４）を有する。側壁（４４）は基台部分（４２）から外に向かって延びてキャップ（４０）内のリセス（４６）を画定する。絶縁層（７０）は、キャップ（４０）の側壁（４４）と複数の導電配線（３６）との間に取り付けられる。導電アイランド（６０）は複数の導電配線（３６）の内の少なくとも一つの導電配線に取り付けられる。分離トレンチ（５０）はキャップ（４０）と導電アイランド（６０）配線との間に位置し、かつ分離トレンチには何も充填されない、または分離トレンチの少なくとも一部には電気絶縁材料が充填される。上の構成と同じマイクロデバイスを形成する方法も提供される。
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電位差が与えられる半導体パッケージは、金属フィラーを使用して結合した２または３以上の構成部品を有する。この金属フィラーは、金属部材が原子状態で分散している固溶体構造であり、金，銀および銅の合金を含んでもよい。金属フィラーの好ましい形態は、６０Ａｕ２０Ａｇ２０Ｃｕである。本発明によるところの金属フィラーは、半導体パッケージに最終的なショートをもたらす銀のマイグレーションを発生させずに、銀をベースにした金属フィラーの利点を与える。水が凝集して、パッケージ中への水分浸透および温度変化によって、半導体パッケージ内に水の連続層が形成されるとき、金属フィラー中の銀はイオン化されない。故に、銀堆積物の堆積およびパッケージの最終的なショートは生じない。
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【課題】電磁遮断性能を有し、機密性に優れた高信頼性の半導体装置を実現する。
【解決手段】フェライトを含むアルミナからなる絶縁性基板が積層された多層基板１の表面（第１主面）上に、半導体素子２１と、チップ抵抗体２２、チップコンデンサ２３およびインダクタ２４等からなる複数の受動素子が合金材２５により電気的及び機械的に固着され、多層基板１の表面（第１主面）の両端部とフェライトを含むアルミナからなる絶縁性キャップ３２は、接着剤３１で固着され、これら搭載部品２１、２２、２３、２４、合金材５やボンデイングワイヤ２７は、多層基板１と絶縁性キャップ３２で気密封止されている。 （もっと読む）

【課題】５０Ω系や２５Ω系等伝送においても高密度実装が可能であり、安価で、しかも特性インピーダンスの不連続なしに高周波電力を伝送でき、さらに、効率的な放熱が可能なセラミックパッケージを提供すること。
【解決手段】段差を有する金属部材６と、金属部材６上に搭載された配線板７と、セラミックを貫通して信号線３と接続するマイクロストリップ線路４とを有するセラミックパッケージを構成する。金属部材６の上に厚さの異なる部品を搭載しても、段差を適当にして、部品の上面の高さを揃え、金ワイヤによる接続の際のワイヤの長さを最小にしてインダクタンスの増大を防ぎ、金属部材６を接地導体とすることによって、特性インピーダンスの不連続なしに高周波電力を伝送し、金属部材６の上に搭載された部品が発する熱を金属部材６を通して効率良く放散させることができる。 （もっと読む）

【課題】シールドケースの接合構造に改良を加え、シールドケースの接合工程が非常に簡略化され、且つ小型・軽量化となり、動作的にも安定する電子部品を提供する。
【解決手段】アース電位の容器２３を有する電子部品素子２が搭載された基板１上に、前記電子部品素子２を被覆し、且つ前記電子部品素子２の容器の一部２３と溶融接合されるシールドケース４を被覆した電子部品である。 （もっと読む）