【課題】チップ一体型パッケージ、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１２上に積層した絶縁層１４と、前記絶縁層１４に横倒しに埋め
込んだ態様で形成され、前記半導体基板１２に形成された回路または外部回路と電気的に
接続するソレノイド型のインダクタ２８と、前記絶縁層１４において前記インダクタ２８
の両端の開口部２８ａを塞ぐ位置に埋め込んだ態様で形成した一対の磁性部材（磁性板３
５、磁性膜３６、磁性樹脂３８）と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁樹脂に積層される配線の信頼性を向上させる電子装置を提供する。
【解決手段】実装基板１１には半導体チップ１２が積層されている。半導体チップ１２の厚みに相当する段差にはスロープ１５が形成されている。第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とがスロープ１５に積層された配線１６で電気的に接続されている。こうした構成からなる電子装置１０であって、０℃以上１５０℃以下の温度範囲において、配線１６が（ａ）、スロープ１５が（ｂ）に示す条件を満足す。（ａ）線膨張係数が１３ｐｐｍ／℃以上、且つ２７ｐｐｍ／℃以下、ヤング率が６５ＧＰａ以上、且つ１１５ＧＰａ以下。（ｂ）線膨張係数が４０ｐｐｍ／℃以上、且つ２２０ｐｐｍ／℃以下、ヤング率が０．２ＧＰａ以上、且つ３．５ＧＰａ以下。 （もっと読む）

【課題】電子部品の温度状態をより良好に把握しつつ、実装構造体を小型化させる手段を提供する。
【解決手段】配線基板３は、複数の絶縁層１３及び配線部Ｌ２を含む積層体７と、該積層体７の上面に設けられ、電子部品２が搭載される搭載領域と、該搭載領域外に設けられた第１乃至第４外部接続パッド９を備え、配線部は、測定領域と、測定領域の一方端及び第１外部接続パッドを電気的に接続した第１接続領域と、測定領域の一方端及び第２外部接続パッドを電気的に接続した第２接続領域と、測定領域の他方端及び第３外部接続パッドを電気的に接続した第３接続領域と、測定領域の他方端及び第４外部接続パッドを電気的に接続した第４接続領域と、を有し、測定領域は、少なくとも一部が搭載領域の直下に配置されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁部材中に半導体パッケージが埋設されてなる半導体パッケージ内蔵配線板において、前記半導体パッケージからの発熱を効果的に発散させ、前記半導体パッケージの発熱に起因した諸問題を解消する。
【解決方法】複数の配線パターン間それぞれに保持された複数の絶縁部材の少なくとも一つの中に埋設された半導体パッケージを、この半導体パッケージを構成する半導体チップの非接続面側に位置する主面が、熱伝導性のフィルム又はペーストによって前記複数の配線パターンの一つに対して接続されてなり、前記複数の配線パターンの少なくとも一部同士及び前記複数の配線パターンの少なくとも一部と前記半導体チップとが、それぞれ複数の層間接続体で電気的に接続されてなるようにして、半導体パッケージ内蔵配線板を構成する。 （もっと読む）

【課題】チップの搭載を短時間で確実に実施できるようにする。
【解決手段】基板１０上にＢステージ化したフィルム接着剤２１を設け、フィルム接着剤２１を介してチップ１を基板１０に仮固定する。さらに、チップ１上に封止フィルム４１を供給してから、プレスヘッド４３で押圧する。プレスヘッド４３の温度を調整して、最初に封止フィルム４１のみを軟化させてチップ１間の空間４０に封止フィルム４１の材料を充填させる。次に、プレスヘッド４３の温度を上昇させ、フィルム接着剤２１を軟化させてバンプ２と電極パッド１３Ａを接続させる。この後、プレスヘッド４３の温度をさらに上昇させてフィルム接着剤２１及び封止フィルム４１をＣステージ化する。 （もっと読む）

【課題】 大出力の電子部品を搭載しても、電子部品から発生する熱を効果的に放散できる、小型の電子部品搭載用パッケージを提供する。
【解決手段】 上面に電子部品６の搭載部１ａを、および上面から下面にかけて第１の貫通孔１ｂを有する第１の基体１と、外周部が第１の基体１の下面に接合された、第１の貫通孔１ｂに対応して上面から下面にかけて第２の貫通孔２ｂを有する第２の基体２と、第２の貫通孔２ｂに充填された封止材３を貫通して固定され、一端が第１の貫通孔１ｂを通って第１の基体１の上面から突出している信号端子５とを具備しており、第２の基体２の熱伝導率よりも第１の基体１の熱伝導率の方が大きい電子部品搭載用パッケージである。電子部品６の搭載部１ａの面積を大きくすることができ、発生した熱を熱伝導率の大きい第１の基体を介して外部に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】剛性を確保してしかも薄板化が可能な部品内蔵配線板を提供すること。
【解決手段】第１の配線パターンと、第１の配線パターンの面上に電気的、機械的に接続された電気／電子部品と、電気／電子部品を埋設し、かつ、第１の配線パターンの電気／電子部品の接続された側の面上に積層され、かつ、電気／電子部品の第１の配線パターンに接続された側とは該電気／電子部品を介して反対の側の位置に、該電気／電子部品に対向して補強材を含有する絶縁層と、絶縁層の第１の配線パターンが設けられた側の面上とは反対の側の面上に設けられた第２の配線パターンとを具備する。 （もっと読む）

【課題】強い磁界に配置された場合であっても、導体層の磁化の程度が比較的小さいセラミック構造体、および、半導体装置を提供する。
【解決手段】セラミックスの表面に導体層が設けられたセラミック構造体１０であって、導体層は、セラミックスの表面に被着されたメタライズ層１４と、メタライズ層上に設けられたＮｉメッキ層１６と、Ｎｉメッキ層上に設けられた反磁性金属層１８、１９と、を有して構成されたことを特徴とするセラミック構造体。 （もっと読む）

【課題】バンプの高さが安定していて、その接続強度が強い積層基板を得ることを目的とするものである。
【解決手段】第１の面に電極パターン１３を有する第１の基板１０と、第１の基板の第１の面に設けた表層誘電体層１２と、表層誘電体層１２に設けた貫通孔２０とを備え、貫通孔２０は電極パターン１３の上に設けられ、電極パターン１３に機械的に接続され、貫通孔２０の内部に充填され、かつ表層誘電体層１２表面から突出するバンプ１１を形成したものであり、第１の基板とは反対側の貫通孔２０の開口幅を、表層誘電体層１２の内部の最大開口幅よりも小さくしたものである。 （もっと読む）

【課題】 機械的強度の向上したメンブレン構造を有する高周波デバイスを提供する。
【解決手段】 開口１５を有する基板１１上に、ストッパ層１２（第１誘電体層）および素子形成層としての誘電体層１３（第２誘電体層）がこの順に設けられ、誘電体層１３上の開口１５に対向する位置に高周波素子１４（インダクタ）を有する。開口１５内には、基板１１をパターニングして開口１５を形成する際に同時に補強構造１８が設けられている。この補強構造１８は開口１５内を複数の領域に分割するパターンを有する。ストッパ層１２により、基板１１をエッチングの際の誘電体層１３の損傷を防ぐことができ、補強構造１８によりメンブレン１７の機械的強度が増加する。 （もっと読む）