積層基板およびその製造方法
【課題】バンプの高さが安定していて、その接続強度が強い積層基板を得ることを目的とするものである。
【解決手段】第1の面に電極パターン13を有する第1の基板10と、第1の基板の第1の面に設けた表層誘電体層12と、表層誘電体層12に設けた貫通孔20とを備え、貫通孔20は電極パターン13の上に設けられ、電極パターン13に機械的に接続され、貫通孔20の内部に充填され、かつ表層誘電体層12表面から突出するバンプ11を形成したものであり、第1の基板とは反対側の貫通孔20の開口幅を、表層誘電体層12の内部の最大開口幅よりも小さくしたものである。
【解決手段】第1の面に電極パターン13を有する第1の基板10と、第1の基板の第1の面に設けた表層誘電体層12と、表層誘電体層12に設けた貫通孔20とを備え、貫通孔20は電極パターン13の上に設けられ、電極パターン13に機械的に接続され、貫通孔20の内部に充填され、かつ表層誘電体層12表面から突出するバンプ11を形成したものであり、第1の基板とは反対側の貫通孔20の開口幅を、表層誘電体層12の内部の最大開口幅よりも小さくしたものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、バンプを形成した積層基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年機器の小型化、高機能化に対応して、配線電極を有する積層基板に半導体チップなどの機能素子をバンプ実装するものが用いられている。
【0003】
この場合、積層基板を焼成した後ビアホール上あるいは電極パターン上に半田バンプを形成してその上に機能素子を実装していた。
【0004】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開平10−41626号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
上記のようにビアホール上あるいは電極パターン上に半田バンプを形成した場合、半田バンプの高さがばらつきやすい、あるいはビアホールあるいは電極パターンと半田との接続強度が弱いため機能素子が外れやすいという課題があった。
【0007】
本発明はこれらの課題を解決するもので、バンプの高さが安定していて、その接続強度が強い積層基板を得ることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を達成するために、本発明は第1の面に電極パターンを有する第1の基板と、第1の基板の第1の面に設けた表層誘電体層と、表層誘電体層に設けた貫通孔とを備え、貫通孔は電極パターンの上に設けられ、電極パターンに機械的に接続され、貫通孔の内部に充填され、かつ表層誘電体層表面から突出するバンプを形成したものであり、第1の基板とは反対側の貫通孔の開口幅を、表層誘電体層の内部の最大開口幅よりも小さくしたものである。
【発明の効果】
【0009】
以上のように本発明の積層基板では、表面から突出するバンプを、表層誘電体層に設けた貫通孔の内部に充填したものと一体化することができるためその強度を上げることができ、さらに第1の基板とは反対側の貫通孔の開口幅を、表層誘電体層の内部の最大開口幅よりも小さくしたことにより、表層誘電体層がバンプの抜けを妨げることができ、電極パターンとバンプの強度をも向上させることができる。さらにバンプは平面状の電極パターンの上に形成するため、電極パターンの高さにはばらつきが生じず、貫通孔の体積および開口径によってバンプの高さが決まるため、結果としてバンプ高さのばらつきの小さい積層基板が得られるという作用効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の一実施の形態における積層基板の断面図
【図2】本発明の一実施の形態における積層基板のバンプ構造の拡大図
【図3】本発明の一実施の形態における積層基板の焼成前グリーンシート状態での層構成図
【図4】本発明の一実施の形態における積層基板の焼成前積層体の断面図
【図5】本発明の一実施の形態における積層基板の焼成後積層体の断面図
【図6】本発明の一実施の形態における積層基板の拘束層除去後の断面図
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本発明の一実施の形態における積層基板について、図面を参照しながら説明する。
【0012】
図1は本発明の一実施の形態に係る積層基板の断面図であって、図2はバンプ構造の拡大図である。図1において、表面に電極パターン13を設けた第1の基板10の表面に表層誘電体層12を設けたものであり、最上層から順に、バンプ11が表層誘電体層12を介して電極パターン13に接続され、電極パターン13は誘電体層14中のビア電極15を介して電極層16に接続され、電極層16は誘電体層17中のビア電極18を介して最下層の裏面電極19に接続される。
【0013】
バンプ11は、半田材料で形成され、露出部は直径65〜85μmの擬球形状となっており、表層誘電体層12の貫通孔20を介して電極パターン13と接続されている。表層誘電体層12は、厚み10〜30μmのシート状であって、バンプ11を形成する前の焼結状態で貫通孔20が形成されている。貫通孔20は、表面から見ると直径80〜100μmの円形状をしており、表面側の開口幅よりも内部の開口幅のほうが5〜10μmほど広く、半田が充填されている。
【0014】
このように括弧形スルーホール状に形成することで、充填された半田が表層誘電体層12に抑えられることにより抜けにくくなり、バンプ上に実装された機能性チップとの密着強度を向上させることができる。さらに、この貫通孔20は、表面側の開口幅よりも電極パターン13側の開口幅のほうが大きいとよりよい効果を得ることができる。
【0015】
電極パターン13は、厚み5〜10μmの銀や銅などの導電材料で、接続ラインやGND電極として形成され、ビア電極15と接続されている。誘電体層14中のビア電極15は、電極パターン13と接続されるが、貫通孔20の位置よりもずらして重なり合わない構造にすると、電極パターン13のバンプ形成面突き出し高さを安定することができる。すなわち、複数形成されたバンプの高さバラツキを安定させることができる。電極層16はビア電極15と接続され、インダクタやコンデンサのパターンを形成し、ビア電極18へ接続される。
【0016】
次に、この積層基板の形成方法について説明する。図3は、焼成前グリーンシート状態での層構成である。誘電体層14、17は、ホウケイ酸系ガラスとアルミナを主成分とする誘電体であって、900℃付近で焼結が完了され、単体で焼成すると平面方向に85%収縮されるような材料である。
【0017】
また、拘束層21、22は、アルミナ系の材料であり、900℃では焼結されず、誘電体層等が焼結する時に誘電体層を拘束する機能を持つ。表層誘電体層12は、金型やレーザー加工によって貫通孔20を形成する。貫通孔20は空洞のままにしておく、または、900℃焼成時に残らないようなグリーンシートに混ぜるバインダー等の樹脂材料を充填させても良い。
【0018】
誘電体層14、17は、スルーホールを形成した後に、銀などの導電性ペーストを充填させてビア電極を形成し、誘電体層面上に同じく銀などの導電性ペーストを用いて電極層16を印刷形成する。誘電体層14、17を拘束層21、22で挟むように積層し、本圧着すると図4のようになる。図4の積層体を900℃で焼成すると、平面方向は無収縮状態で焼結され、高さ方向は40〜60%収縮されて図5のような焼結状態となる。ここで、表層誘電体層12の貫通孔20において、拘束層21側の面は拘束層21によって拘束されるため収縮しない。また、電極パターン13側の面は電極層に拘束され収縮しない。しかし、貫通孔20の中ほどにおいては、拘束される材料がないため収縮が発生し、表層誘電体層12の中ほどが最大開口となるような貫通孔20が形成されることになる。
【0019】
図5の拘束層21、22をブラストで除去すると図6のような焼結体となり、半田ペーストを用いて貫通孔20を覆うようにパターン印刷し、約260℃でリフローすることにより、図1のように、電極パターン13に直接半田付けされ、貫通孔20に充填された部分と外部に突出した部分が一体化したバンプ構造を形成することができ、貫通孔20は中ほどが最大開口部となっているため、引き抜く力に対して十分な強度を有するバンプを実現することができる。
【0020】
なお、表層誘電体層の材料は、誘電体層と同じ材料であってもかまわないが、誘電体層にメッキ液に対する耐性が低い材料を用いている場合は、例えば亜鉛系ガラスのように耐メッキ性に優れた材料を用いることが望ましい。このようにすることにより、半田バンプを形成する前に裏面電極のメッキを行う場合でも表層側がダメージを受けることがなく、バンプの強度を十分に保つことができる。
【産業上の利用可能性】
【0021】
本発明に係る積層基板は、バンプの高さが安定していて、その接続強度が強い積層基板を得ることができ、産業上有用である。
【符号の説明】
【0022】
10 第1の基板
11 バンプ
12 表層誘電体層
13 電極パターン
14 誘電体層
15 ビア電極
16 電極層
17 誘電体層
18 ビア電極
19 裏面電極
20 貫通孔
21 拘束層
22 拘束層
【技術分野】
【0001】
本発明は、バンプを形成した積層基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年機器の小型化、高機能化に対応して、配線電極を有する積層基板に半導体チップなどの機能素子をバンプ実装するものが用いられている。
【0003】
この場合、積層基板を焼成した後ビアホール上あるいは電極パターン上に半田バンプを形成してその上に機能素子を実装していた。
【0004】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開平10−41626号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
上記のようにビアホール上あるいは電極パターン上に半田バンプを形成した場合、半田バンプの高さがばらつきやすい、あるいはビアホールあるいは電極パターンと半田との接続強度が弱いため機能素子が外れやすいという課題があった。
【0007】
本発明はこれらの課題を解決するもので、バンプの高さが安定していて、その接続強度が強い積層基板を得ることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を達成するために、本発明は第1の面に電極パターンを有する第1の基板と、第1の基板の第1の面に設けた表層誘電体層と、表層誘電体層に設けた貫通孔とを備え、貫通孔は電極パターンの上に設けられ、電極パターンに機械的に接続され、貫通孔の内部に充填され、かつ表層誘電体層表面から突出するバンプを形成したものであり、第1の基板とは反対側の貫通孔の開口幅を、表層誘電体層の内部の最大開口幅よりも小さくしたものである。
【発明の効果】
【0009】
以上のように本発明の積層基板では、表面から突出するバンプを、表層誘電体層に設けた貫通孔の内部に充填したものと一体化することができるためその強度を上げることができ、さらに第1の基板とは反対側の貫通孔の開口幅を、表層誘電体層の内部の最大開口幅よりも小さくしたことにより、表層誘電体層がバンプの抜けを妨げることができ、電極パターンとバンプの強度をも向上させることができる。さらにバンプは平面状の電極パターンの上に形成するため、電極パターンの高さにはばらつきが生じず、貫通孔の体積および開口径によってバンプの高さが決まるため、結果としてバンプ高さのばらつきの小さい積層基板が得られるという作用効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の一実施の形態における積層基板の断面図
【図2】本発明の一実施の形態における積層基板のバンプ構造の拡大図
【図3】本発明の一実施の形態における積層基板の焼成前グリーンシート状態での層構成図
【図4】本発明の一実施の形態における積層基板の焼成前積層体の断面図
【図5】本発明の一実施の形態における積層基板の焼成後積層体の断面図
【図6】本発明の一実施の形態における積層基板の拘束層除去後の断面図
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本発明の一実施の形態における積層基板について、図面を参照しながら説明する。
【0012】
図1は本発明の一実施の形態に係る積層基板の断面図であって、図2はバンプ構造の拡大図である。図1において、表面に電極パターン13を設けた第1の基板10の表面に表層誘電体層12を設けたものであり、最上層から順に、バンプ11が表層誘電体層12を介して電極パターン13に接続され、電極パターン13は誘電体層14中のビア電極15を介して電極層16に接続され、電極層16は誘電体層17中のビア電極18を介して最下層の裏面電極19に接続される。
【0013】
バンプ11は、半田材料で形成され、露出部は直径65〜85μmの擬球形状となっており、表層誘電体層12の貫通孔20を介して電極パターン13と接続されている。表層誘電体層12は、厚み10〜30μmのシート状であって、バンプ11を形成する前の焼結状態で貫通孔20が形成されている。貫通孔20は、表面から見ると直径80〜100μmの円形状をしており、表面側の開口幅よりも内部の開口幅のほうが5〜10μmほど広く、半田が充填されている。
【0014】
このように括弧形スルーホール状に形成することで、充填された半田が表層誘電体層12に抑えられることにより抜けにくくなり、バンプ上に実装された機能性チップとの密着強度を向上させることができる。さらに、この貫通孔20は、表面側の開口幅よりも電極パターン13側の開口幅のほうが大きいとよりよい効果を得ることができる。
【0015】
電極パターン13は、厚み5〜10μmの銀や銅などの導電材料で、接続ラインやGND電極として形成され、ビア電極15と接続されている。誘電体層14中のビア電極15は、電極パターン13と接続されるが、貫通孔20の位置よりもずらして重なり合わない構造にすると、電極パターン13のバンプ形成面突き出し高さを安定することができる。すなわち、複数形成されたバンプの高さバラツキを安定させることができる。電極層16はビア電極15と接続され、インダクタやコンデンサのパターンを形成し、ビア電極18へ接続される。
【0016】
次に、この積層基板の形成方法について説明する。図3は、焼成前グリーンシート状態での層構成である。誘電体層14、17は、ホウケイ酸系ガラスとアルミナを主成分とする誘電体であって、900℃付近で焼結が完了され、単体で焼成すると平面方向に85%収縮されるような材料である。
【0017】
また、拘束層21、22は、アルミナ系の材料であり、900℃では焼結されず、誘電体層等が焼結する時に誘電体層を拘束する機能を持つ。表層誘電体層12は、金型やレーザー加工によって貫通孔20を形成する。貫通孔20は空洞のままにしておく、または、900℃焼成時に残らないようなグリーンシートに混ぜるバインダー等の樹脂材料を充填させても良い。
【0018】
誘電体層14、17は、スルーホールを形成した後に、銀などの導電性ペーストを充填させてビア電極を形成し、誘電体層面上に同じく銀などの導電性ペーストを用いて電極層16を印刷形成する。誘電体層14、17を拘束層21、22で挟むように積層し、本圧着すると図4のようになる。図4の積層体を900℃で焼成すると、平面方向は無収縮状態で焼結され、高さ方向は40〜60%収縮されて図5のような焼結状態となる。ここで、表層誘電体層12の貫通孔20において、拘束層21側の面は拘束層21によって拘束されるため収縮しない。また、電極パターン13側の面は電極層に拘束され収縮しない。しかし、貫通孔20の中ほどにおいては、拘束される材料がないため収縮が発生し、表層誘電体層12の中ほどが最大開口となるような貫通孔20が形成されることになる。
【0019】
図5の拘束層21、22をブラストで除去すると図6のような焼結体となり、半田ペーストを用いて貫通孔20を覆うようにパターン印刷し、約260℃でリフローすることにより、図1のように、電極パターン13に直接半田付けされ、貫通孔20に充填された部分と外部に突出した部分が一体化したバンプ構造を形成することができ、貫通孔20は中ほどが最大開口部となっているため、引き抜く力に対して十分な強度を有するバンプを実現することができる。
【0020】
なお、表層誘電体層の材料は、誘電体層と同じ材料であってもかまわないが、誘電体層にメッキ液に対する耐性が低い材料を用いている場合は、例えば亜鉛系ガラスのように耐メッキ性に優れた材料を用いることが望ましい。このようにすることにより、半田バンプを形成する前に裏面電極のメッキを行う場合でも表層側がダメージを受けることがなく、バンプの強度を十分に保つことができる。
【産業上の利用可能性】
【0021】
本発明に係る積層基板は、バンプの高さが安定していて、その接続強度が強い積層基板を得ることができ、産業上有用である。
【符号の説明】
【0022】
10 第1の基板
11 バンプ
12 表層誘電体層
13 電極パターン
14 誘電体層
15 ビア電極
16 電極層
17 誘電体層
18 ビア電極
19 裏面電極
20 貫通孔
21 拘束層
22 拘束層
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1の面に電極パターンを有する第1の基板と、前記第1の基板の第1の面に設けた表層誘電体層と、前記表層誘電体層に設けた貫通孔とを備え、前記貫通孔は前記電極パターンの上に設けられ、前記電極パターンに機械的に接続され、前記貫通孔の内部に充填され、かつ前記表層誘電体層表面から突出するバンプを形成したものであり、前記第1の基板とは反対側の前記貫通孔の開口幅を、前記表層誘電体層の内部の最大開口幅よりも小さくした積層基板。
【請求項2】
第1の面に電極パターンを有する低温焼結セラミックシートからなるグリーンシートを得る工程と、前記グリーンシートの第1の面に前記電極パターンに重なる部分に貫通孔を設けた表層誘電体シートを重ね合わせる工程と、この両面に前記グリーンシート、前記電極パターン、および前記表層誘電体シートを焼結させる温度では焼結しない材料からなる拘束層を重ね合わせる工程と、焼成炉にて前記グリーンシート、前記電極パターン、および前記表層誘電体シートを焼結させる工程と、前記拘束層を除去する工程と、前記貫通孔の部分に半田ペーストを印刷する工程と、前記半田ペーストを溶融させることにより半田バンプを形成する工程とを備えた積層基板の製造方法。
【請求項1】
第1の面に電極パターンを有する第1の基板と、前記第1の基板の第1の面に設けた表層誘電体層と、前記表層誘電体層に設けた貫通孔とを備え、前記貫通孔は前記電極パターンの上に設けられ、前記電極パターンに機械的に接続され、前記貫通孔の内部に充填され、かつ前記表層誘電体層表面から突出するバンプを形成したものであり、前記第1の基板とは反対側の前記貫通孔の開口幅を、前記表層誘電体層の内部の最大開口幅よりも小さくした積層基板。
【請求項2】
第1の面に電極パターンを有する低温焼結セラミックシートからなるグリーンシートを得る工程と、前記グリーンシートの第1の面に前記電極パターンに重なる部分に貫通孔を設けた表層誘電体シートを重ね合わせる工程と、この両面に前記グリーンシート、前記電極パターン、および前記表層誘電体シートを焼結させる温度では焼結しない材料からなる拘束層を重ね合わせる工程と、焼成炉にて前記グリーンシート、前記電極パターン、および前記表層誘電体シートを焼結させる工程と、前記拘束層を除去する工程と、前記貫通孔の部分に半田ペーストを印刷する工程と、前記半田ペーストを溶融させることにより半田バンプを形成する工程とを備えた積層基板の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【公開番号】特開2011−49205(P2011−49205A)
【公開日】平成23年3月10日(2011.3.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−194007(P2009−194007)
【出願日】平成21年8月25日(2009.8.25)
【出願人】(000005821)パナソニック株式会社 (73,050)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年3月10日(2011.3.10)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年8月25日(2009.8.25)
【出願人】(000005821)パナソニック株式会社 (73,050)
【Fターム(参考)】
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