【目的】シリコーンゲルの注入量を減らし、熱的信頼性を向上させること。
【構成】本発明の半導体装置は、配線端子２の応力緩和構造の形状を変えることによって、シリコーンゲル６の注入量を減らし、熱膨張による配線端子半田付け部８の応力をおさえるようにした。
【効果】半導体装置内において、配線端子半田付け部８にかかる応力低減をねらい、高い熱的信頼性を得ることが出来る。 （もっと読む）

【目的】 電流検出抵抗とリードフレームとの熱膨張の差を小さくし、熱ストレスによる劣化を防いで高信頼性の樹脂封止型半導体装置を得ることを目的とする。
【構成】 リードフレーム１の一主面上に半導体素子１及びその制御用半導体素子３が搭載されている。リードフレーム１ａ、１ｂ間には、電流検出用抵抗としてリードフレーム１ａ、１ｂとほぼ等しい熱膨張率を有し、かつ可撓性を持つ金属ワイヤ抵抗４を圧着等により設けられている。従って、抵抗値が変動せず、リードフレーム１ａ、１ｂとの熱膨張率の差を吸収できるので、熱ストレスによる劣化を防止できる。金属ワイヤ抵抗４の代わりに、金属チップ抵抗も使用でき、さらにリードフレームの一部を電流検出用抵抗とすることも可能である。
【効果】 熱ストレスによる劣化を防止して、高信頼性、かつ安価な樹脂封止型半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】 本装置の金属裏側（３４）と端子（３８）との間に電圧分離を有するパッケージ化パワー半導体装置（２４）。本装置からヒートシンクへの電気的分離及び良好な伝熱を与えるために直接ボンド付け銅（ＤＢＣ）基板（２８）を使用している。パワー半導体ダイ（２６）が半田又はその他の態様でＤＢＣ基板の第一金属層（３０）ヘ装着されている。第一金属層は該半導体ダイによって発生される熱を散逸させる。該リード及びダイは単一の操作でＤＢＣ基板へ半田付けさせることが可能である。１実施例においては、３，０００Ｖを超える分離が達成される。別の実施例においては、該パッケージ化パワー半導体装置はＴＯ−２４７アウトラインに適合している。 （もっと読む）