【課題】正常に動作しない半導体チップを含んでいても、正常に動作しない半導体チップを含んでいない場合と同等の機能を有するパッケージを容易に実現できるようにする。
【解決手段】積層チップパッケージ１Ｍは、本体２と配線３を備えている。本体２は、積層された複数の階層部分１０を含む主要部分２Ｍと、主要部分２Ｍの上面と下面に配置された複数の端子とを有している。配線３は、複数の端子に電気的に接続された複数のライン（ワイヤＷ）を含んでいる。複数のラインは、複数の共通ラインと、複数の階層依存ラインとを含んでいる。複数の階層部分１０の各々は、複数の共通ラインに電気的に接続された複数の共通電極と、複数の階層依存ラインのうち、その階層部分１０が利用する階層依存ラインにのみ選択的に、電気的に接続された選択的接続電極とを含んでいる。選択的接続電極は、どの階層依存ラインに電気的に接続されるかに応じて形状が異なっている。 （もっと読む）

【課題】 同一構成の複数の半導体チップを所定角度回転させて積層する半導体装置において、使用されないバンプ及びそれに接続される貫通電極の数を削減する。
【解決手段】 半導体装置は、表面及び裏面を有する本体と、本体を表面から裏面まで貫通する第１の貫通電極と、第１の貫通電極の一端に形成された第１のバンプと、第１の貫通電極の他端が露出する本体の表面又は裏面であって、第１の貫通電極の他端に対し、予め設定された対称軸に関して所定角度だけ回転移動した位置に形成された第２のバンプと、第１の貫通電極と第２のバンプとを電気的に接続する導電部とを備えている。 （もっと読む）

デバイスを製作するために複数の実質的に同一のチップを積層する、マルチチップデバイスおよび方法が、提供される。マルチチップデバイス、または回路は、少なくとも2つのチップからの信号パッド間に並列接続をもたらす、少なくとも1つのスルーチップバイアと、少なくとも2つのチップからの信号パッド間に直列接続またはデイジーチェーン接続をもたらす、少なくとも1つのスルーチップバイアとを含む。コモン接続信号パッドは、複製コモン信号パッドに対してチップの中心線周りに対称に配列される。入力信号パッドは、対応する出力信号パッドに対して、チップの中心線周りに対称に配置される。積層体の中のチップは、この配列をもたらすために、実質的に同一のチップが交互に裏返されたバージョンである。2個以上のチップが積層されるとき、少なくとも1つの直列接続が積層され裏返されたチップの信号パッド間にもたらされる。
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【課題】 高周波数帯であっても共振することなく、安定した電源およびグランド配線を実現することができる半導体集積回路パッケージ、プリント配線板、半導体装置および電源供給配線構造を提供する。
【解決手段】 パッケージ１の内部で、電源配線１０とグランド配線１１とが、電磁気的な結合を有するように、所定の間隔で並設されたペア配線１２を構成する。さらに複数組のペア配線１２は集合され、その集合部分は、配線の延伸方向に垂直な断面において、千鳥(市松)配置とする。シリコンチップの内部およびプリント配線板の内部においても、パッケージ１と同じように、ペア配線構造を構成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】良好な信号伝送特性を有する積層デバイスを提供する。
【解決手段】この積層デバイスは、下側基板１の上面に溝３を形成し、上側基板２の下面に溝３に対向する溝７を形成するとともに溝７の底に貫通孔８を形成し、溝３，７および貫通孔８の内壁に導電層４，９を形成し、溝３，７間の空間の長さ方向の中心線に沿って信号線５を設けるとともに貫通孔８の中心線に沿って信号線１０を設け、信号線１０の一方端を信号線５に接続したものである。したがって、積層デバイスの配線を同軸線路で構成できる。 （もっと読む）

【課題】パッドピッチが異なるチップ同士の接続を容易に行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、第１のパッドが第１の間隔で配置された第１の半導体チップ２０と、第２のパッドが第１の間隔より大きい間隔である第２の間隔で配置された第２の半導体チップ３０と、第１の半導体チップ２０と第２の半導体チップ３０との間に配置され、第１の間隔で配置された第１中継パッド４０ａが第１の半導体チップ２０と対向する辺に沿って形成され、第２の間隔で配置された第２中継パッド４０ｂが第２の半導体チップ３０と対向する辺に沿って形成されている中継基板４０とを有し、中継基板４０を介して第１の半導体チップ２０と第２の半導体チップ３０とを接続する。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩプロセスによる制約のない最上位配線層を提供することで長距離配線における信号遅延を低減可能な半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体集積回路基板を提供する過程は、半導体集積回路用ベース基板１１上に、半導体集積回路及び該半導体集積回路用の最上位配線層を含まない配線層１２を形成する過程と、半導体集積回路用ベース基板の配線層上に、該配線層に接続される接続パッド１３を形成する過程とからなる。配線基板を提供する過程は、配線基板用ベース基板１上に、半導体集積回路用の最上位配線層となる厚膜配線層３をメッキ形成する過程と、厚膜配線層上に、該厚膜配線層に接続される接合バンプ６を形成する過程とからなる。そして、半導体集積回路基板の接続パッドが形成される面と配線基板の接合バンプが形成される面とを対向させ接続パッド及び接合バンプを位置合わせして接合する。 （もっと読む）

【課題】シリコンチップ上面電極の配線に板状金属を用いた半導体装置において、シリコンチップの上面電極と配線部材の接合部の接続信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板の表面に配線パターンが形成された回路基板８と、前記回路基板８に搭載されたシリコンチップ４と、前記シリコンチップ４の上面電極と前記配線パターンとを電気的に接続する板状配線と、少なくとも前記シリコンチップ４及び板状配線を封止する封止樹脂１０とを有し、前記板状配線が連続した空孔を有する金属であり、前記空孔に融点が１３０℃以上５００℃以下のはんだと、前記封止樹脂１０が充填されている半導体装置を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に配設される中継部材のボンディングパッドの配列及び当該ボンディングパッドを結ぶ配線を任意に設定できるようにして、異なる構造を有する他の半導体装置に対しても適用することができる当該中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置に配設される中継部材５０は、第１の端子５１と第２の端子５２とを備える。第１の端子５１に接続される第１端子用配線５６の端部及び第２の端子に接続される第２端子用配線５７の端部のうち少なくとも１つにより連結部６０が形成される。少なくとも前記連結部に接続部材６１が形成され、第１の端子５１と第２の端子５２が接続される。 （もっと読む）

【課題】 バスラインが発生するノイズの影響を低減し、半導体ＩＣ間を接続するバスラインを最短距離で配線することにより小型低背化及びノイズのさらなる低減を図る。
【解決手段】 半導体ＩＣ内蔵モジュール１００は、第１及び第２の絶縁層１０１ａ，１０１ｂを有する多層基板１０１と、多層基板１０１内に埋め込まれたコントローラＩＣ１０２及びメモリＩＣ１０３とを備えており、多層基板１０１の内層には配線層１０４が設けられている。配線層１０４の一部はバスライン１０４Ｘを構成しており、コントローラＩＣ１０２とメモリＩＣ１０３との間はバスライン１０４Ｘで接続されている。コントローラＩＣ１０２やメモリＩＣ１０３は第２の絶縁層１０１ｂに埋め込まれている。第１及び第２の絶縁層１０１ａ，１０１ｂの表層にはそれぞれ第１及び第２のグランド層１０５ａ、１０５ｂが設けられている。 （もっと読む）