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国際特許分類[H01L25/07]の内容

国際特許分類[H01L25/07]に分類される特許

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【課題】POP構造の半導体装置においてデータ処理用半導体チップが搭載される配線基板上においてデータ処理用半導体チップとメモリ半導体チップとを接続するための配線経路を短くする。
【解決手段】メモリ半導体チップが搭載されるパッケージ基板のデータ系パッケージ端子群(210,211)及びアドレスコマンド系パッケージ端子群(212)の配列と、これが搭載される配線基板(100)上のデータ処理用半導体チップのデータ系チップ端子群(110,111)及びアドレスコマンド系チップ端子群(112)の配列とについて、前記データ系チップ端子群が前記データ系パッケージ端子群の配置に対応して前記データ処理用半導体チップの縁辺部の異なる領域に分割配置され、前記アドレスコマンド系チップ端子群が前アドレスコマンド系パッケージ端子群の配置に対応して前記データ処理用半導体チップの縁辺部に配置されるPOP構造が採用される。 (もっと読む)


【課題】冷熱サイクルに対する耐久性が高い半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体素子10と、配線部16及び絶縁基板18の少なくとも一部とを接続するはんだ接合部12を設ける。はんだ接合部12は、配線部16の一部が除去されている除去領域の表面に接合が存在し、除去領域に繋がる段差の側面に接合が存在しない構成とする。 (もっと読む)


【課題】電極の周辺に設けていたダイシング用のアライメントマークを用いずに、ダイシングを行えるようにする。
【解決手段】半導体チップ11を電極13上に形成し、半導体チップ11と他の電極13とをワイヤボンディング14により接続する。その後、全体を樹脂15により一括モールドする。モールド後、異形電極13a(13)と通常形電極13b(13)との間でダイシングすることにより、多素子入りリードレスパッケージ12aを形成する。 (もっと読む)


【課題】チップの上面から下面を貫通し、目的回路に電源を供給する複数の貫通配線を有するチップを複数積層して形成した積層チップシステムを有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】複数のチップ20、30、40を積層してそれぞれのチップ内の各貫通配線21、22、31、32、41、42内に少なくとも2つのヒューズ回路を形成することにより、特定の貫通配線内において短絡が発生した場合に、短絡箇所に接続された複数のヒューズ回路を遮断し、短絡箇所のみを電源回路から分離する。これにより、積層チップシステム内の上下に連結する全ての貫通配線21、22、31、32、41、42を電源回路から分離することなく、積層チップシステム全体に安定して電源を供給することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体モジュール、及び電力変換装置の温度サイクル、及びパワーサイクルの信頼性を向上する。
【解決手段】DBC基板5上に固定された半導体素子8の上面電極層と接続される上面側導体11に接触する金属板12が、上面側導体11を半導体素子8方向へ押圧するように金属板固定用DBC基板13の銅回路箔7に接続される。そして、半導体素子8及び上面側導体11の位置決めをするガイド14(枠体)をDBC基板5上に固定する。上面側導体11は、銅等の熱伝導性のよい材料、または半導体素子8を構成する材料の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する材料を用いる。 (もっと読む)


【課題】貫通電極を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体基板1は、素子形成面である第1の面1a及びその反対側の第2の面1bを有する。第1の面1aから第2の面1bまで半導体基板1を貫通するように貫通孔20が形成されている。貫通孔20の内壁上に絶縁膜21及びバリア膜22が順次形成されている。絶縁膜21及びバリア膜22が形成された貫通孔20が埋まるように導電部23が形成されている。貫通孔20の周辺に位置する部分の半導体基板1における少なくとも第1の面1a側にゲッタリングサイト30が形成されている。 (もっと読む)


【課題】統合した回路パッケージングを提供する。
【解決手段】複数の層を有するパッケージ・ベース16であって、前記複数の層が第1の層および第2の層を有することを特徴とするパッケージ・ベース16と、複数の電気的接点であって、前記第1の層に第1の電気的接点を備え、前記第2の層に第2の電気的接点を備えることを特徴とし、複数の集積回路であって、第1の電気的接触に電気的に結合された第1の集積回路と、第2の電気的接触に電気的に結合された第2の集積回路とを有することを特徴とするシステム。 (もっと読む)


【課題】パワーモジュールの信頼性をより向上させる。
【解決手段】セラミック基板8の一方の面の電極8にはんだ付けされた能動素子13,14が樹脂2で封止されたパワーモジュールにおいて、前記セラミック基板8の他方の面に導体膜11を形成し、この導体膜11の周縁部にまで樹脂2をおよばせる。 (もっと読む)


【課題】市販の半導体パッケージを用いて、複数の半導体パッケージが積層された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面側に形成された第1の接続パッド42と、裏面側に形成された第2の接続パッド43と、第1の接続パッド42及び第2の接続パッド43が形成された領域を覆う熱可塑性樹脂膜又は異方性導電膜と、を備えたフレキシブルプリント配線板40と、裏面側に第3の接続パッド12を備えた半導体パッケージ10とを用意する。第3の接続パッド12が第1の接続パッド42に接続されるように、半導体パッケージ10をフレキシブルプリント配線板40の表面側に実装する。その後、第2の接続パッド43が、半導体パッケージ10の表面の上方で、半導体パッケージ10の表面と同一方向を向くように、フレキシブルプリント配線板40を折り曲げる。 (もっと読む)


【課題】複数分割された電子基板の少なくとも一方の電子基板を両面実装基板として、少ない平面積で広い実装面積を確保し、小型化された樹脂封止形電子制御装置を得る。
【解決手段】一対の隔梁部材20A,20Aの両面に接着された第一及び第二の電子基
板30A,40Aは両面実装された外側回路部品31,32,41,42と内側回路部品33,43を備え、内側回路部品の高さは隔梁部材20Aの厚さ寸法以下であり、外側回路部品の中の発熱部品32,42は隔梁部材20Aと隣接対向して設けられている。 (もっと読む)


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