【課題】特性の向上を図ることが可能な基板、エピタキシャル層付基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、{０００１}面の＜１−１００＞方向におけるオフ角度θが０°超え８°以下の六方晶系ＳｉＣ基板としての基板２と、基板２の表面に形成されたＳｉＣエピタキシャル成長層としての耐圧保持層２２およびｐ領域２３と、耐圧保持層２２およびｐ領域２３の表面に形成された絶縁膜としての酸化膜２６と、酸化膜２６の下の領域（ｐ領域２３の上層）と酸化膜２６との界面（ＭＯＳ界面）に流れる電子を供給するため、上記領域と隣接する位置に形成された導電領域としてのｎ^＋領域２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素からなる基板上に欠陥密度の低減された活性層が形成された炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、面方位{０００１}に対しオフ角が５０°以上６５°以下である、炭化ケイ素からなる基板２と、バッファ層２１と、活性層（エピタキシャル層３、ｐ型層４、およびｎ+領域５、６）とを備える。バッファ層２１は、基板２上に形成され、炭化ケイ素からなる。活性層は、バッファ層２１上に形成され、炭化ケイ素からなる。活性層におけるマイクロパイプ密度は基板２におけるマイクロパイプ密度より低い。また、活性層における、バーガーズベクトルの向きが[０００１]である転位の密度は、基板２における当該転位の密度より高い。 （もっと読む）

【課題】積層側の主面がＣ面を有するＭｇＺｎＯ基板上に平坦なＺｎＯ系半導体層を成長させることができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】主面がＣ面を有するＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（０≦ｘ＜１）基板を用い、前記主面の法線を基板結晶軸のｍ軸ｃ軸平面に射影した射影軸がｃ軸となす角Φｍを、０＜Φｍ≦３となるように形成した主面上に、ＺｎＯ系半導体層２〜５がエピタキシャル成長されている。そして、ＺｎＯ系半導体層５上にはｐ電極８が、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ基板１の下側にはｎ電極９が形成されている。このようにして、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ基板１の表面に、ｍ軸方向に並ぶ規則的なステップを形成することで、ステップバンチングと呼ばれる現象を防ぎ、基板１上に積層される半導体層の膜の平坦性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】キャリア移動度を向上させるために最適なチャネル方向を有し、かつ好ましいレイアウトで形成することのできるｎ型とｐ型のＦｉｎＦＥＴを形成可能な半導体基板、それらのＦｉｎＦＥＴを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体基板は、第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域上に前記第１の半導体領域と略等しい結晶から形成され、表面に垂直な方向を軸にして所定の角度だけ前記第１の半導体領域と単位格子の結晶軸の方向がずれている第２の半導体領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法でノーマリーオフを実現させた高電子移動度トランジスタを提供する。
【解決手段】ＧａＮ系単結晶基板１の上にＧａＮ系半導体層２が積層される。ＧａＮ系単結晶基板１は電子走行層を構成し、ＧａＮ系半導体層２は電子供給層を構成する。ＧａＮ系単結晶基板１の成長主面はｍ面となっており、ＧａＮ系単結晶基板１上に形成されたＧａＮ系半導体層２の成長主面もｍ面となる。このような層構造にすれば、ｍ面は非極性面であるため、ピエゾ電界が発生しないので、ゲート電圧が印加されない場合における２次元電子ガス層の発生が抑制され、ノーマリーオフが実現できる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流や耐圧低下の防止された、トレンチ構造またはメサ構造を有するIII 族窒化物半導体装置。
【解決手段】Ｃ面サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、ＧａＮ層２上にＴ字型のＵＳＧ膜３を、ＵＳＧ膜３の側面がＧａＮ層２のＡ面とＭ面に平行となるように作製した。その後、ＵＳＧ膜３をマスクとしてＧａＮ層２をドライエッチングした。図２ａ、ｂのように、Ａ面よりもＭ面の方が荒れが少ないことが分かる。次に、ＴＭＡＨ水溶液でウェットエッチングした。図２ｃ、ｄのように、Ａ面、Ｍ面ともに荒れが解消されていて、特にＭ面は鏡面状になっている。したがって、トレンチ溝側面またはメサエッチング側面をＭ面とすれば、III 族窒化物半導体装置のリーク電流や耐圧低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 ツェナー耐圧のばらつき幅を抑え、高品質のツェナーダイオードを高歩留まりで形成する。
【解決手段】 Ｎ型のシリコンからなる結晶面方位（１００）の半導体基板２を用い、その主面にＮ型の半導体層３を形成する。次いで、Ｐ型の不純物を半導体層３に拡散することによりＰ型半導体層４を形成し、ＰＮ接合面５を形成する。次いで、例えば酸化シリコンを半導体基板２の主面に形成した後、絶縁膜６およびその一部にコンタクト孔７を開口する。次いで、アルミニウムなどの金属膜を半導体基板２の主面およびその裏面に形成することにより、表面電極８および裏面電極９を形成する。最後に半導体基板２を各ツェナーダイオード素子にダイシングし、ツェナーダイオード１を得る。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性を、目的とする半導体素子の寸法相当において向上し、これにより半導体素子の特性の高性能化を図る。
【解決手段】 {0001}面から<1-100>方向へのオフ角度の絶対値が０．１４°以上０．３５°以下、且つ{0001}面から<11-20>方向へのオフ角度の絶対値が０．００°以上０．０６°以下の面方位のＧａＮ基板１１と、このＧａＮ基板１１上に積層された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層１２と、この窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層１２上の素子構造部（１３〜２０）とを備える。 （もっと読む）

エピタキシャル炭化ケイ素層が、結晶学的方向に向かってオフアクシスに方向付けられた炭化ケイ素基板の表面内に第１の形態を形成することによって作製される。第１の形態は、結晶学的方向に対して非平行（すなわち、斜めまたは直角）に方向付けられた少なくとも１つの側壁を備える。次いで、第１のエピタキシャル炭化ケイ素層を、第１の形態を備える炭化ケイ素基板の表面上に成長させる。次いで、第２の形態が．、第１のエピタキシャル層内に形成される。第２の形態は、結晶学的方向に対して非平行に方向付けられた少なくとも１つの側壁を備える。次いで、第２のエピタキシャル炭化ケイ素層が、第２の形態を備える第１のエピタキシャル炭化ケイ素層の表面上に成長される。
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