【課題】歩留まりを向上することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置１００の製造方法は以下の工程を有する。第１の主表面１との第２の主表面２とを有する炭化珪素基板８０が準備される。第１の主表面１に電極が形成される。炭化珪素基板８０は六方晶の結晶構造を有し、第１の主表面１の｛０００１｝面に対するオフ角が±８°以内であり、第１の主表面１は、炭化珪素のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が照射された場合に、第１の主表面１に生ずる７５０ｎｍ以上の波長域における発光領域３の密度が１×１０⁴cm^-2以下であるような特性を有する。 （もっと読む）

【課題】 4h-SiC半導体素子のオン状態の抵抗低減とスイッチング速度向上実現する。
【解決手段】 (0001)面4h-SiC半導体素子のチャネル領域周囲に対してトレンチ溝を設け、シリコン酸化膜を埋め込む。トレンチ溝の酸化膜を、c軸方向へは引っ張り応力が加わり、c軸に垂直な平面上の二つ以上の軸からの圧縮応力が加わるように、平面レイアウトする。例えば、酸化膜で埋め込まれたトレンチ溝を、チャネルを囲む多角形としたり、離散的に配置する場合、チャネルを中心に対称的に配置するレイアウトでもよい。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗および高耐電圧を両立させることができ、デバイスサイズの小型化、製造歩留まりの向上およびコストの低減を達成することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板５と、基板上５に形成され、ゲートトレンチ１１が形成されたエピタキシャル層６と、ゲートトレンチ１１の側面１４および底面１５に形成されたゲート絶縁膜１７と、ゲートトレンチ１１に埋め込まれ、ゲート絶縁膜１７を介してエピタキシャル層６に対向しているゲート電極２０と、エピタキシャル層６の表面側から裏面側へ向かって順に形成されたソース層２５、チャネル層２６およびドリフト層２７とを含む半導体装置１において、オン抵抗Ｒ_ｏｎを変数ｙとし、耐電圧Ｖ_ｂを変数ｘとする関数で表したときに、下記関係式（１）を成立させる。
ｙ≦９×１０^−７ｘ^２−０．０００４ｘ＋０．７００１…（１） （もっと読む）

【課題】チャネル移動度の低下およびパンチスルーの発生が抑制され、かつ効率的に製造することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ１は、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下である側壁面２０Ａを有するトレンチ２０が形成された基板１０と、酸化膜３０と、ゲート電極４０とを備えている。基板１０は、ソース領域１４と、ボディ領域１３と、ソース領域１４との間にボディ領域１３を挟むように形成されたドリフト領域１２とを含む。ソース領域１４およびボディ領域１３はイオン注入により形成されている。ボディ領域１３においてソース領域１４とドリフト領域１２との間に挟まれた内部領域１３Ａの主表面１０Ａに垂直な方向における厚みは、１μｍ以下である。ボディ領域１３の不純物濃度は、３×１０^１７ｃｍ^−３以上である。 （もっと読む）