【課題】リーク電流が抑制された窒化物半導体、及び該窒化物半導体を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】Ａｌ原子，Ｇａ原子及びＩｎ原子から選択される１以上の金属原子と窒素原子とを少なくとも含むと共に、結晶面に対して垂直な転位線を持つらせん転位を有し、前記らせん転位の転位芯に相当する領域に位置された前記金属原子または窒素原子のうちの少なくとも一部が炭素原子で置換されている窒化物半導体である。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を低減できる構造を有するIII族窒化物半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】積層体１１は基板１３及びIII族窒化物半導体エピタキシャル膜１５を含む。基板１３は、１×１０^１８ｃｍ^−３を越えるキャリア濃度を有するIII族窒化物半導体からなる。エピタキシャル構造物１５はIII族窒化物半導体エピタキシャル膜１７を含む。基板１３の第１の面１３ａはｃ軸の方向に延びる軸Ｃｘに対して５度より大きい角度θで傾斜している。法線ベクトルＶＮ及びｃ軸ベクトルＶＣとは角度θを成す。III族窒化物半導体エピタキシャル膜１７は第１の面１３ａの法線方向に順に配置された第１、第２及び第３の領域１７ａ、１７ｂ、１７ｃを含む。第３の領域１７ｃの転位密度は第１の領域１７ａの転位密度よりも小さい。第２の領域１７ｂの転位密度は基板１３の転位密度よりも小さい。 （もっと読む）

電子デバイスにおいて使用するためのドープされた半導体接合およびそのような接合を製造する方法が開示される。該接合は、第一のドープされた半導体層が第一の極性を有し、該第一の層が融合した半導体ナノ粒子を含むように、ドナーまたはアクセプターをドープされた、基材の上の第一の多結晶性半導体層；および、該半導体接合を形成するように、該第一の半導体層と接触する、基材の上の第二の層、を含む。 （もっと読む）

【課題】キャリアのさらなる短寿命化が図られたテラヘルツ電磁波対応ウェハ、テラヘルツ発生検出デバイス及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るテラヘルツ電磁波対応ウェハ１１においては、表面１１ａ近傍には多数のＡｓクラスター２６が析出している。このＡｓクラスター２６は、キャリアの捕獲中心として働くことが知られており、特に、表面１１ａ近傍におけるＡｓクラスター２６がキャリア捕捉に大きく寄与することが知られている。また、エピタキシャル層１６が酸素を含有しており、この酸素により深い準位が形成されている。従って、このテラヘルツ電磁波対応ウェハ１１においては、エピタキシャル層１６の表面１１ａ近傍におけるＡｓクラスター２６が有意に増量されると共に、エピタキシャル層１６中に酸素が含有されているため、キャリアのさらなる短寿命化を実現することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 全面に渡って転位密度を低減し、クッラク発生を防止することが可能な窒化化合物半導体基板及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 第２ＧａＮ系半導体層Ｄ２の厚み方向に沿った断面は三角波形状となり、谷の位置Ｔは結晶成長制限部Ｃの直上に位置する。三角波の山の位置Ｙには欠陥や転位が残るが、その山の頂上の面積は小さく、基板の全面に渡って転位密度を低減し、クラックの発生を防止する。埋め込み層Ｇは、ＡｌＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮからなり、第２ＧａＮ系半導体層Ｄ２との間には、第２ＧａＮ系半導体層Ｄ２との格子歪を緩和するよう、埋め込み層Ｇと同様の材料からなり格子定数が小さな歪み抑制層Ｆが介在しているため、埋め込み層Ｇ内には圧縮応力が生じて引っ張り歪みが導入されず、クラックの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 III−V族化合物の半導体層に作成された半導体装置から発生する熱を効率よく半導体層外に排出させることができる構造物を提供する。
【解決手段】 窒化ガリウム（ＧａＮ）の半導体層４０と、その半導体層４０に接している下層６０を備えており、下層６０は、下層６０の表面から裏面まで伸びている金属領域５０を備え、下層６０の表面と裏面を結ぶ方向に直交する面内において、金属領域５０が間隔をおいて繰返して形成されていることを特徴とする構造物。 （もっと読む）

半絶縁ＩＩＩ族窒化物層および半絶縁ＩＩＩ族窒化物層の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物層を浅い準位のｐ型ドーパントでドーピングすること、およびＩＩＩ族窒化物層を、例えば深い準位の遷移金属ドーパントなどの深い準位のドーパントでドーピングすることを有する。このような層および／または方法はまた、ＩＩＩ族窒化物層をおよそ１×１０^１７ｃｍ^−３よりも小さい濃度を有する浅い準位のドーパントでドーピングすること、およびＩＩＩ族窒化物層を深い準位の遷移金属ドーパントでドーピングすることを有する。深い準位のドーパントの濃度は、浅い準位のｐ型ドーパントの濃度よりも大きい。
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