【課題】シリコン基板を下地基板とし、基板サイズに比して問題ない程度に反りが抑制され、半導体素子の作製に好適なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板１０が、シリコン単結晶からなる下地基板１と、下地基板１の上に形成された複数のIII族窒化物層２，３，４からなるIII族窒化物層群と、を備えており、下地基板１が、ボロンが添加されてなることでｐ型の導電性を有し、かつ、比抵抗が０．０１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ以下であり、複数のIII族窒化物層２，３，４がそれぞれ、少なくともＡｌまたはＧａを含み、エピタキシャル基板の反り量をＳＲ（単位：μｍ）、窒化物層群の総膜厚をｔｅ（単位：μｍ）、下地基板１の膜厚をｔｓ（単位：ｍｍ）、下地基板１の直径をｄｓ（単位：ｍｍ）とするときに、規格化反り指数ＫがＫ＝｛（ＳＲ／ｔｅ）×（ｔｓ／ｄｓ）²｝≦１×１０^-3なる関係式をみたすようにする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型化が抑制され、狭エネルギーギャップ材料として好適なゲルマニウム多結晶またはシリコンゲルマニウム多結晶を提供すること
【解決手段】不純物として酸素及び炭素を含む多結晶ゲルマニウム、または不純物として酸素及び炭素を含むゲルマニウムを５０原子数％を超える量含有する多結晶シリコンゲルマニウムを製造する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニールにより起こるダイヤモンド表面のエッチングを防ぎ、従来の方法では得られない高品質Ｐ型、Ｎ型ダイヤモンド半導体を得るダイヤモンド半導体の作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板５−１１を用意し、そのダイヤモンド基板５−１１上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとして基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜５−１２を１μｍ積層する。上記ダイヤモンド薄膜５−１２にイオン注入装置を用い、加速電圧６０ｋＶ、ドーズ量１×１０^１４ｃｍ^−２でドーパントを打ち込む。その後、イオン注入ダイヤモンド薄膜５−１３上に保護層（白金）５−１４を形成する。表面に保護層５−１４が形成されたイオン注入ダイヤモンド薄膜５−１３を、超高温高圧焼成炉内に配置し、３．５ＧＰａ以上、６００℃以上の圧力、温度下でアニールする。 （もっと読む）

【課題】低コストで加工でき、半導体デバイスに用いることができ、比較的低い欠陥密度を有する炭化ケイ素基板を提供すること。
【解決手段】炭化ケイ素エピタキシャル層を有する複合構造（１６）が提供される。このエピタキシャル層は、垂直に配列され、それぞれの境界面を画定する領域を少なくとも４つ含み、各領域はそれぞれの不純物濃度により特徴付けられ、これらの不純物濃度が各境界面を超えて変化し、全ての領域内で、少なくとも１つの不純物について、各不純物濃度が１ｘ１０^１７ｃｍ^−３を上回る。 （もっと読む）

【課題】不純物窒素が高い精度で面内に均一にドーピングされた、しかも広い面積の炭化珪素半導体を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長を利用して炭化珪素の結晶を成長させつつその内部に窒素をドーピングする炭化珪素半導体の製造方法であって、窒素源として供給する窒素化合物のガスを炭化珪素の結晶が形成される基板上に導入する前に、予め熱分解させておくための予備加熱ステップを有していることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。前記予備加熱ステップは、前記窒素化合物のガスを、１３００℃以上の部屋内を流すステップであることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。 （もっと読む）

半導体デバイス、光導波路、および産業用用途などの用途における使用に適合したものであって、少なくとも一つがＣＶＤ法により形成される１以上のダイアモンド層を有する単結晶ダイアモンド構造の形態をもった単結晶ダイアモンド。ダイアモンド層は、互いに「格子適合」または「格子不適合」されていて、望ましいレベルの歪みを提供する。 （もっと読む）

この発明は、広い温度範囲においてキャリア濃度の変化量が充分に低減されたダイヤモンドｎ型半導体等に関する。当該ダイヤモンドｎ型半導体は、ダイヤモンド基板と、その主面上に形成されたｎ型判定されるダイヤモンド半導体を備える。このダイヤモンド半導体は、そのｎ型判定される温度領域の一部においてキャリア濃度（電子濃度）の温度依存性が負の相関を示すとともに、ホール係数の温度依存性が正の相関を示す。このような特性をもつダイヤモンドｎ型半導体は、例えば、ダイヤモンド基板上にドナー元素以外の不純物を導入しながら、ドナー元素が多量にドープされたダイヤモンド半導体を形成することにより得られる。 （もっと読む）