【課題】電力素子のオン状態抵抗、放熱特性、インダクタンスを改善する。
【解決手段】半導体素子は導電パッド領域２６，３６を含み、各々の導電パッド領域は複数の金属トレースに電気的に接続される。複数の金属トレースは各々が順番に拡散に接続される。はんだバンプやビアなどの導電接点素子は各々の導電パッド領域に取り付けられ、導体素子が第１のピッチを有する反復パターンに配列され得る。半導体素子は平行移動トレース５０，６０も含み、各々の平行移動トレースは２つ以上の導電接点素子に電気的に接続され得る。各々の平行移動トレースはそこに取り付けられる相互接続素子を有し得る。相互接続素子は第１のピッチより実質的に大きい第２のピッチを有する反復パターンに配列され得る。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗の縦型トランジスタが形成されてなる半導体装置を提供する。また、マルチチャネル化の自由度の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板３０の一方の表面である主面側に形成された第1電極と、もう一方の表面である裏面側に形成された第２電極とを有する縦型トランジスタ１０１が形成されてなる半導体装置１００であって、第1電極が、主面上に形成された層間絶縁膜４３を介して、主面側の半導体基板３０表層部に形成された拡散領域４１，４２，４８に接続する第１金属層４４からなり、裏面側には、半導体基板３０の内部に向かってトレンチ３５が形成され、第２電極が、トレンチ内に形成され、トレンチ３５によって露出された半導体基板３０内の半導体層３３に接続する第２金属層３７からなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート長の短いゲート電極を有し、しかも低抵抗で高周波特性が優れている半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともノンドープＩｎＧａＰ層又はノンドープＩｎＡｌＧａＰ層からなる上層半導体層１２と、この上層半導体層直下にＧａＡｓ層またはＡｌＧａＡｓ層からなる下層半導体層１１を含む半導体基板に、上層半導体層表面から上層半導体層への浸入が、下層半導体層で略停止するショットキーゲート電極１５と、このショットキーゲート電極部に接続して第１の電極の抵抗を低減する第２の電極部１６からなるＴ字型ゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 リセス巾およびリセス深さを制御性良く作製できる多段リセス構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】 化合物半導体の導電層上に第１のリセスエッチングストッパー層５を設け、リセスエッチングストッパー層５上に第１の半導体層６を設け、さらに第１の半導体層６上に第２のリセスエッチングストッパー層７を設け、第２のリセスエッチングストッパー層７上に第２の半導体層８を設け、第１および第２の半導体層６，８の異方性エッチング液として、クエン酸水溶液と過酸化水素水の混合液からなるエッチング液を用いる。 （もっと読む）

【課題】配線構造における配線剥がれを防止すること。
【解決手段】半導体基板１４上に下層配線１１がメタルリフトオフにより形成され、アロイを行なった後に中間配線１２が同じくメタルリフトオフにより下層配線１１上に積層形成され、絶縁膜１５が基板１４、下層配線１１及び中間配線１２上に被着された後に反応性イオンエッチングにより絶縁膜１５の中間配線１２上の部分に中間配線１２の大きさより小さいコンタクトホール１７が開口され、コンタクトホール１７を介して中間配線１２と接触するように上層配線１３がコンタクトホール１７及び絶縁膜端部１６上に電界メッキにより形成されることにより、半導体装置の配線構造１００が形成される。 （もっと読む）

【目的】 ゲート電極の２段リセス形状を一定に制御可能とする。
【構成】 半導体基板１の上面にｎ型ＧａＡｓ等の活性層２を成長させ、活性層２の厚さが１０００〜２５００オングストロームとなった時点でＡｌＧａＡｓ等のストッパー層３を成長させ、引き続いてｎ型ＧａＡｓ等の活性層４を成長させる。活性層４の上面に形成したソース及びドレイン電極５，６上のレジストパターンをマスクとして活性層４を選択的にエッチングして、外側の幅の広いリセス８を形成する。リセス８の深さｄ２は活性層４の膜厚に等しい。更にストッパー層３及び活性層２をエッチングして内側の幅の狭いリセス１０を形成し、当該リセス１０の底面にゲート電極１１を蒸着リフトオフ法により形成する。 （もっと読む）