【課題】 効率よく生産することができる電力効率のよい窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板上に発光層を含む１又は２以上の窒化ガリウム系半導体層を介して形成されたｐ型窒化ガリウム系半導体層と、透光性を有しかつｐ型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する第１正電極と、第１正電極上の一部に形成された第２正電極とを備えた窒化物半導体発光素子であって、第２正電極は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＮｉからなる群から選ばれた少なくとも１つを主成分として第１正電極に接するように形成された第１層と、該第１層上に形成されたＡｕ又はＰｔを主成分として形成された第２層とを含む積層体が熱処理されてなり、第２正電極の直下の発光層における発光を抑制した。 （もっと読む）

【課題】 欠陥の少ない高品質の３−５族化合物半導体とその製造方法、及び該化合物半導体を用いた発光特性の良好な発光素子を提供する。
【解決手段】 サファイア基板９の鏡面研磨Ｃ面上に基板温度５５０℃で、トリメチルＧａとＮＨ_３を供給しＧａＮのバッファ層８を形成した後、基板温度を１１００℃まで上げシランを送りＳｉをドープしたｎ型ＧａＮ層５を成長させ、さらに同温度でノンドープのＧａＮ層４を形成した。次に基板温度を７８０℃まで下げ、ＴＥＧ、ＴＭＩ，ＮＨ_３を用いて発光層のＩｎ_０．３Ｇａ_０．７Ｎ層１を成長させ、さらに同温度でＴＥＧ，ＴＥＡ及びＮＨ_３を送り保護層のＧａ_０．８Ａｌ_０．２Ｎ層２を形成した後、基板温度を１１００℃に上げＭｇドープしたＧａＮ層３を成長させた。この３−５族半導体試料を炉から取出しＮ_２中熱処理してＧａＮ層３を低抵抗のＰ型層にした後、Ｐ及びｎ電極６，７を付けて明瞭な青色発光素子が得られた。 （もっと読む）

【目的】 AlGaInN系結晶から成る半導体素子に低抵抗かつ安定なオーミックコンタクトを形成する。
【構成】 AlGaInN系結晶のうえにGaP層18，19などの他のIIIＶ族化合物半導体をエピタキシャル成長し、このうえにオーミック電極を形成する。
【効果】 低抵抗かつ安定なオーミックコンタクトが得られ、素子の性能と信頼性が向上する。 （もっと読む）