【課題】 従来の半導体装置では、ゲート領域から注入された自由キャリア（正孔）がソース領域に取り込まれ、所望のｈＦＥを得られ難いという問題があった。
【解決手段】 本発明の半導体装置では、ソース領域６と同電位となる固定電位絶縁電極１１とゲート領域７と同電位となる可変電位絶縁電極９とを有する。そして、固定電位絶縁電極１１を介してチャネル領域１２を空乏層で満たし、ＯＮ動作、ＯＦＦ動作状態を成す。一方、可変電位絶縁電極を利用し、自由キャリア（正孔）のポテンシャルエネルギーを積極的に可変することで、所望のｈＦＥやスイッチング特性を得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】半導体素子に、１個以上の第２導電形（例えばｎ）のエミッタ（７）が内部に設けられた第１導電形（例えばｐ）のベース領域（６）をそれぞれ有する少なくとも１個のセル（１２）、第２導電形の第１ウェル領域（５）、第１導電形の第２ウェル領域（４）、第２導電形のドリフト領域（３）、第１導電形のコレクタ領域（２）、及びコレクタ接点（１）を設け、各セル（１２）を第１ウェル領域（５）内に配設し且つ第１ウェル領域（５）を第２ウェル領域（４）内に配設し、更にエミッタ領域（７）と第１ウェル領域（５）との間にＭＯＳＦＥＴチャンネルが形成されるようにベース領域（６）と連通された第１ゲート（１４）、及び第１ウェル領域（５）内に埋め込まれた少なくとも１個の埋込み領域（８）を設ける。 （もっと読む）

【課題】 入力端子にインピーダンス素子が接続されている半導体装置において、温度上昇によっノイズが増加してしまうといった問題を解決した半導体装置を提供する。
【解決手段】 入力トランジスタのゲート端子若しくはベース端子を半導体装置の入力端子とし、ソース端子若しくはエミッタ端子と入力端子との間に、インピーダンス素子を接続することで入力インピーダンスをコントロールする半導体装置において、インピーダンス素子は、正の温度係数を有するインピーダンス素子と負の温度係数を有するインピーダンス素子を直列に接続し、温度変化に伴う入力インピーダンスの変化を緩和する。 （もっと読む）

【課題】外部部品の数を少なくし、かつ、効率の良い小形パワートランジスタを制御要素に採用することで、安価で、より望ましい制御を行う。
【解決手段】高圧検出デバイスを備えた制御回路。本回路は、第１の端子、第２の端子、第３の端子を持つ、第１の基板中に設けられた第１のトランジスタを含む。第１のトランジスタの第１の端子は、外部電圧に接続されている。第１のトランジスタの第１の端子と第２の端子との間の電圧が、第１のトランジスタのピンチオフ電圧よりも低いときには、第１のトランジスタの第３の端子に供給される電圧は、第１のトランジスタの第１の端子と第２の端子との間の電圧にほぼ比例する。第１のトランジスタの第１の端子と第２の端子との間の電圧が、第１のトランジスタのピンチオフ電圧よりも高いときには、第１のトランジスタの第３の端子に供給される電圧は、ほぼ一定で、第１のトランジスタの第１の端子と第２の端子との間の電圧よりも低い。 （もっと読む）

本発明は、第２の導電型基板（１０）内の第１の導電型の第１のウエル（１１）と、前記第１のウエル内のそれぞれ第１の導電型からなるソース（１４）及びドレイン（１５）と、第２の導電型からなる第２のウエル（１２）内に配設されている第２の導電型のゲート（１６）とを有している高圧接合型電界効果トランジスタに関しており、前記第２のウエルは逆行性のタイプからなり、さらにソース、ゲート、ドレインの素子がフィールド酸化膜領域（１３ａ〜１３ｄ）によって相互に離間されていることを特徴としている。またゲート（１６）からソース及びドレイン領域の方向にフィールドプレート（１７ａ，１７ｂ）がフィールド酸化膜（１３ａ，１３ｂ）の上方で延在している。
（もっと読む）

半導体部品は、半導体基板（１１０）と、半導体基板の上方のエピタキシャル半導体層（１２０）と、エピタキシャル半導体層内のバイポーラトランジスタ（７７０、８７０）と、エピタキシャル半導体層内の電界効果トランジスタ（７８０、８８０）とを含む。エピタキシャル半導体層の一部によって、バイポーラトランジスタのベースと電界効果トランジスタのゲートとが形成され、エピタキシャル半導体層のその一部は実質的に均一なドーピング濃度を有する。同じまたは他の実施形態においては、エピタキシャル半導体層の異なる部分によって、バイポーラトランジスタのエミッタと電界効果トランジスタのチャネルとが形成され、エピタキシャル半導体層のその異なる部分はエピタキシャル半導体層の一部の実質的に均一なドーピング濃度と同じかまたは異なる実質的に均一なドーピング濃度を有する。
（もっと読む）

過渡現象遮断用の組み合わせデバイス。過渡現象が入力端子 ４０に印加されると、トランジスタ ４４のボディ電位がデプレッションモードＪＦＥＴ型遮断トランジスタ ７１のゲート ８１を駆動するように、パストランジスタ４４が配置されている。同時に、チャネル７７を空乏化するために、電位差 Ｖｄが外部ゲート ５２の両端に印加される。このように、外部端子上に現れる過渡現象は、非常に急速に伝播されて、チャネル ７７および８５を空乏化するので、出力端子４２に接続されたデバイスが故障する前に、入力端子 ４０を出力端子 ４２から効果的に分離する。一旦過渡現象がおさまると、デバイス ３７はその通常の導通状態に戻る。 （もっと読む）

【目的】炭化珪素を用いた半導体デバイスにおいて、炭化珪素と結晶整合性のよい材料をデバイスの構成要素に使用することで、炭化珪素が有する物理的性能を効果的に引き出し、大電力変換容量を有し、かつ高速動作する高性能な半導体素子を実現すること。
【構成】高不純物濃度の炭化珪素あるいは電気的導電性に優れた炭化チタンを基板とし、ドレイン領域になるｎ形の炭化珪素層と，ウェル層になるｐ形の炭化珪素層と，ソース領域になるｎ形の炭化珪素層が順次重ねられた構造の絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、素子の表面からドレイン領域へ達するように掘り込まれた凹部にゲート電極を設け、さらにソース電極とｐ形のウェル層の電気的接続に炭化珪素と結晶整合性のよい炭化チタンを使用する。 （もっと読む）