【課題】半導体センサや制御ＩＣ等の部材をコンパクトに収め、製造が容易であり、安価な部材を用いて容易に製造可能な半導体センサモジュールを提供する。
【解決手段】引出用電極２９を備えた半導体センサ素子２５と、半導体センサ素子２５を収納するための貫通空間３８が形成された下層基板３４と、センサ素子２５を収納する貫通空間及び引出用電極２９が重ねられ接続される電極パッド３２が形成された中層基板２４を備える。半導体センサ素子２５の出力信号処理用の電子部品である制御ＩＣや、電止素子１４が実装された上層基板１２と、半導体センサモジュール１０を有する。各層の基板に所定の回路パターン１８とスルーホール２４、及び電極パッド２２，３２が形成され、それぞれ隣接する各基板１２，２４，３４に対向する位置に設けられた接続用の電極パッ同士が導電性の接合部材を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成、ダイヤフラム部の厚さの制御等も容易で、高歩留まり、低コスト、かつ温度依存性が低く、高感度の半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】複数のショットキーバリアダイオードが半導体基板１７に、分散して形成されている。各ショットキーバリアダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４は、バリア膜、電極、半導体基板で構成されている。バリア膜１、３、５、７と半導体基板１７とを接触させることで、半導体基板１７側の接触面に空乏層が生じ、ショットキー障壁が発生する。このショットキー接合部分が、半導体基板１７におけるダイヤフラム領域１８に含まれており、圧力を感知する領域となる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成、ダイヤフラム部の厚さの制御等も容易で、高歩留まり、低コスト、かつ温度依存性が低い半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】半導体圧力センサは、バリア膜１、電極膜２、ｎ型半導体基板３からなるショッキーバリアダイオード素子１０と台座部４とで構成されている。ショットキーバリアダイオード素子１０において、金属で構成されるバリア膜１とｎ型半導体基板３とを接触させることで、ｎ型半導体基板３側の接触面に空乏層が生じ、ショットキー障壁が発生する。このショットキー接合部分が、ｎ型半導体基板３におけるダイヤフラム部５に含まれており、圧力を感知する領域となる。 （もっと読む）

本発明は、圧力に応じて変形可能な可撓性のある膜を有し、空所2を覆う圧力センサに関する。当該圧力センサは、可撓性のある膜の変形に応じた信号を生成する応力ゲージ21を有し、当該可撓性のある膜は、可撓性のあるモノリシックICの箔10である。この態様にて、半導体集積回路自体が可撓性のある膜として機能し、より複雑ではない製造プロセスに至る。
（もっと読む）

【課題】後工程に悪影響を及ぼすことなく、シリコン層（活性層）の厚さを選択的に調整可能なＳＯＩ基板を提供することを課題とする。また、検出感度の向上及びストッパ膜による保護機能の向上との両方の課題を達成可能な加速度センサを提供することを他の課題とする。
【解決手段】本発明は、第１の絶縁層を介して第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを接合した構造のＳＯＩ基板に適用される。そして、前記第１のシリコン基板は、部分的に厚さの薄い薄膜領域を有し；前記第１の絶縁層は、少なくとも前記第１のシリコン基板の前記薄膜領域内に形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、可動部分がないため高い歩留まりで製造できる、高信頼性及び低故障率の角速度センサとその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】流体が循環するための閉流路１０２が基板に１０１形成され、流体を循環させる駆動部１０４が閉流路１０２に設けられる角速度センサにおいて、流体を加熱する熱源１０４と、流体の温度を検知する温度検知手段１０５と、を備えることを特徴とする。また、温度検知手段１０５は、少なくとも二つ備わっている。また、温度検知手段１０５は、閉流路１０２の対称の位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】マイクロ構造での高スループットでのトリミングの達成。
【解決手段】機械的マイクロ構造、特にマイクロメカニカル共振器の様なマイクロメカニカル構造の共振周波数を調整し且つＱ因子を増大するのに使用することができる、一括処理に適合する製造後アニーリング方法及び装置。この技術は、マイクロメカニカル構造、又は近接するマイクロ構造（例えば、近接する抵抗器）を通して、電流を流し、これによって、電力を消費し且つマイクロ構造及び／又はその材料の特性を変化するのに十分に高い温度に構造を加熱し、マイクロ構造の共振周波数及びＱ因子に変化をもたらす。この技術は、多くのマイクロ構造の調整を同時に都合良く行うことを可能とし、且つマイクロメカニカル構造のアンカ１０部分を横切り、電圧を単に加えることによって実施出来る。 （もっと読む）

【課題】半導体センサチップを搭載する板状のモールドシートの上面に有底筒状の蓋体を配し、モールドシート及び蓋体により半導体センサチップを含む空洞部を形成した構成の半導体装置において、そのシールド性向上を図る。
【解決手段】モールドシート３の上面３ａをなす板状のステージ部１１にその周辺から内側に向けて切り欠き１７を形成し、半導体センサチップ５に電気接続する接続部１３ａ及びこれからステージ部１１の外側に向けて伸びるサポートリード１８を有するリード端子１３を切り欠き１７内に配し、ステージ部１１及びリード端子１３を電気的に絶縁させる絶縁部１５により樹脂モールドしてモールドシート３を構成する。切り欠き１７内のサポートリード１８には上面３ａよりも下方に配される窪み部を形成し、蓋体９の開口端９ａをステージ部１１の上面３ａ及び窪み部上に形成された絶縁部１５上にわたって配する。 （もっと読む）

【課題】 感度の高い半導体力検出装置を提供する。
【解決手段】 梁状に加工した半導体薄膜、または、半導体薄膜と絶縁体薄膜あるいは金属薄膜を接合し、かつ梁状に加工した積層薄膜を備え、この半導体薄膜または積層薄膜によって形成される梁の弾性的な変形を検出することにより、この梁に加わった微小な力を検出するメカニカルな半導体力検出装置において、前記半導体薄膜、または前記積層薄膜を構成する前記半導体薄膜は、２次元の低次元量子構造として作用する、表面のフェルミ準位が拘束されたＩｎＡｓ薄膜であり、前記ＩｎＡｓ薄膜の膜厚が、当該ＩｎＡｓ薄膜に形成される量子準位が前記拘束された表面のフェルミ準位と一致する膜厚とした。 （もっと読む）

【課題】耐環境性に優れ、また外部回路との接続工程を目視することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】センサチップ２０の表面に保護膜２２を配置すると共に、電極２１をセンサチップ２０の側面から露出するように配置する。そして、電極２１のうち露出されている部分を耐腐食金属２７で覆うと共に、電極２１と耐腐食金属２７とを電気的に接続する。このような構成とすれば、耐腐食金属２７がセンサチップ２０の側面に備えられている構成とすることができるので耐腐食金属２７と外部回路との接続工程を目視しながら行うことができる。またセンサチップ２０の表面は保護膜２２で覆われていると共に、電極２１のうちセンサチップ２０の側面から露出されている部分は耐腐食金属２７で覆われているので耐環境性にも優れている。 （もっと読む）