【課題】気密信頼性の高い電子デバイス及びこの電子デバイスを備えた電子機器の提供。
【解決手段】物理量センサー１００は、絶縁性を有する基板１と、基板１の主面１ａ側に配置されているセンサー素子２と、センサー素子２を内部空間７を介して覆い基板１の主面１ａに接合されている絶縁性を有する蓋体３と、を備え、基板１の主面１ａには、蓋体３との接合部分の外側に設けられたボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃと、センサー素子２とボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃとの間に設けられた配線部９ａ，９ｂ，９ｃと、を含み、基板１及び蓋体３の少なくとも一方には、基板１と蓋体３とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、接合パターンは、配線部９ａ，９ｂ，９ｃに平面視で交差する部分が開口した第１接合パターン１０と、開口に隣在し、開口の幅よりも大きい第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路チップの一面側にセンサチップを電気的に接続するとともに、回路チップの一面側に接続部材を設け、接続部材を介して回路チップを基台に支持してなるセンサ装置において、接続部材と基台とのはんだ接合性を向上させる。
【解決手段】接続部材は、Ａｇ−Ｓｎ合金の焼結体よりなり、回路チップ２０側から基台１０側に向かって先窄まりとなるアスペクト比が１以上の円錐形状をなす円錐部材４０であり、基台１０の一面１１に設けられたはんだ６０により、円錐部材４０の先端部４２側と基台１０とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面側からエッチングすることにより、基板裏面における開口面積が基板表面における開口面積よりも小さな空洞を基板に形成することができる音響センサを提供する。
【解決手段】基板４２には、その表面から裏面へ貫通するように空洞４４を設ける。空洞４４の上方において、基板４２の上方には音響振動を感知する薄膜のダイアフラム４３を設ける。空洞４４の少なくとも１つの壁面は、基板４２の表面とその厚み方向中間部との間において、基板４２の表面から前記中間部へ向かうにつれて次第に基板４２の外側へ向かって広がった第１の斜面４７ａと、前記中間部と基板４２の裏面との間において、前記中間部から基板４２の裏面へ向かうにつれて次第に基板４２の内側へ向かって狭まった第２の斜面４７ｂとで構成される。また、空洞４４の裏面開口幅が表面開口幅よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、測定誤差が小さいと共に信頼性に優れる物理量センサを提供することを目的とする。
【解決手段】第１基板２１と、第２基板３１と、第１基板２１と第２基板３１との間に位置する機能層を有する物理量センサ１において、外部端子に電気的に接続される第１内部配線層３７を有し、複数のアンカ部１１〜１２の少なくとも１つに対して、第１内部配線層３７が第２金属層３２を平面視で内包するように形成されており、前記第１金属層と前記第２金属層とが接合する面より外縁に位置する第３絶縁層３４に設けられる一つまたは複数の接続孔を介して、第２金属層３２と第１内部配線層３７とが電気的に接続されてなる物理量センサ１。 （もっと読む）

【課題】複数のセンサー素子間での特性バラツキを抑制し、所望の歩留まりが得られる超音波アレイセンサーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】超音波アレイセンサーにおいて、センサー素子２は、圧電体層８の平面パターンが下部電極５の平面パターンよりも外側にはみ出しておらず、上部電極３の平面パターンが圧電体層８の平面パターンよりも外側にはみ出していない。下部電極引き回し配線６は、コンタクトホール１３を介して下部電極５と電気的に接続され、コンタクトホール１３の箇所を除いて圧電体層８の一面上に配置されている。上部電極引き回し配線４は、下部電極引き回し配線６の延在方向と交差する方向に延在して上部電極３と一体に形成され、圧電体層８の一面上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】測定精度が高く、製作が容易で、安価に出来る振動式差圧センサを実現する。
【解決手段】ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサにおいて、一方の面に振動子形歪ゲージ素子が設けられ他方の面がダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板と、センサ基板の他方の面に一方の面が直接に接合されたシリコンよりなるベース基板と、ベース基板のセンサ基板との接合部に設けられセンサ基板に実質的にダイアフラムを形成し、異物の混入によりダイアフラムの可動範囲が制限されることなく且つ振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起されるダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間を有する凹部と、凹部に測定圧を導入する導入孔と、凹部に導入孔を介して圧力を伝搬しダイアフラムを制動するための流体とを具備したことを特徴とする振動式差圧センサである。 （もっと読む）

【課題】構造設計が容易であり、体格の増大と、熱応力による検出精度の低下とが抑制された半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】母基板（１０）と、母基板（１０）に連結された複数の子基板（３０）と、子基板（３０）に形成された素子と、を有する半導体装置であって、母基板（１０）と子基板（３０）とを連結する連結部（５０）を有し、複数の子基板（３０）の内、ある子基板（３０）に形成された素子は、互いに対向する可動電極と固定電極から成るコンデンサを有し、該コンデンサの静電容量変化に基づいて物理量を検出するセンサ部（４０）であり、任意の子基板（３０）と母基板（１０）とを連結する連結部（５０）と、任意の子基板（３０）とは異なる子基板（３０）と母基板（１０）とを連結する連結部（５０）とは、高さ方向の長さが異なり、複数の子基板（３０）は、高さ方向に並んでいる。 （もっと読む）

【課題】気密リークを抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】各チップ形成領域にそれぞれセンシング部１９が形成された半導体ウェハ１４ａを用意すると共に、チップ単位に分割されることによりキャップ部２０を構成するキャップウェハ２０ａを用意する。そして、半導体ウェハ１４ａとキャップウェハ２０ａとを真空下で貼り合わせて複数の気密室３０を有する積層ウェハ５０を形成する。その後、少なくともセンサ部１０とキャップ部２０との界面が露出するまで積層ウェハ５０をチップ形成領域の境界に沿ってダイシングする。続いて、加熱してセンサ部１０の一面とキャップ部２０の一面との間に形成される隙間４０に熱酸化膜４１を形成する。 （もっと読む）

【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第１ドーピング領域２０と、該第１ドーピング領域２０と反対の型のドーピング領域であり、第１振動部分３２を含む第２ドーピング領域３０と、該第１ドーピング領域と該第１振動部分３２との間に備えられた、空間６０と、を備えるトランスデューサ。第１及び第２ドーピング領域２０，３０は、一体である。第１振動部分は複数の貫通ホール４０を含み、振動部分上に貫通ホール４０を密封する物質膜５０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】検出感度を向上させることが可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】加速度センサー１は、第１凹部１１が設けられたベース基板１０と、第１凹部１１の上方に配置され、支持部２３ａ，２３ｂにより第１凹部１１の深さ方向に揺動可能に支持されたセンサー部２１と、を備え、センサー部２１は、支持部２３ａ，２３ｂを境に第１部分２１Ａと第２部分２１Ｂとに区分され、第１部分２１Ａ及び第２部分２１Ｂに可動電極部を有し、且つ、第１部分２１Ａよりも質量が大きい第２部分２１Ｂには、少なくとも先端側に貫通孔２４が形成され、ベース基板１０は、第１凹部１１における可動電極部に対向する位置に固定電極部１２，１３を有し、且つ、固定電極部１２，１３よりもセンサー部２１の先端寄りであって、センサー部２１の先端側に対向する部分に、第１凹部１１よりも深い第２凹部１４が設けられている。 （もっと読む）