【課題】負性抵抗と整流機能とを有するダイオードを提供する。
【解決手段】第１の導電型の第１の半導体層１１と、第２の導電型の第２の半導体層１２と、第１の導電型の第３の半導体層１３と、を有し、前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層と前記第３の半導体層との間に形成されており、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とは接しているものであって、前記第１の半導体層の伝導帯下端のエネルギーＥ_Ｃ１は、前記第２の半導体層の価電子帯上端のエネルギーＥ_Ｖ２よりも低く、前記第２の半導体層の価電子帯上端のエネルギーＥ_Ｖ２と、前記第３の半導体層の伝導帯下端のエネルギーＥ_Ｃ３とは略同じであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスなどに起因して初期又は動作中に半導体に生じる歪や欠陥を抑制し、発振特性などの特性の向上や安定化を実現することができる導波路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導波路１０７は、導波モードの電磁波に対する誘電率実部が負の負誘電率媒質の第一の導体層１０３と第二の導体層１０４と、２つの導体層に接し且つ２つの導体層の間に配置され半導体部１０１を含むコア層１０２を有する。少なくとも第一の導体層１０３は、面内方向に広がった特定の凹凸構造１０９、１１０を有する。 （もっと読む）

【課題】共鳴トンネルダイオードを利用した低雑音のテラヘルツ検出素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に配置された第２の電極２，２ａと、第２の電極２上に配置された絶縁層３と、第２の電極２に対して絶縁層３を介して配置され、かつ半導体基板１上に第２の電極２に対向して配置された第１の電極４（４ａ，４ｂ，４ｃ）と、絶縁層３を挟み第１の電極４ａと第２の電極２間に形成されたＭＩＭリフレクタ５０と、ＭＩＭリフレクタ５０に隣接して、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置された共振器６０と、共振器６０の略中央部に配置された能動素子９０と、共振器６０に隣接して、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置された導波路７０と、導波路７０に隣接して、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置されたホーン開口部８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧で動作する参照回路を提供すること。
【解決手段】低電圧参照回路は、一対の半導体装置を有し得る。各半導体装置は、ｎ型半導体領域と、ｎ型半導体領域におけるｎ＋領域と、メタルゲートと、ゲート絶縁体とを有し得る。ゲート絶縁体は、メタルゲートとｎ型半導体領域との間に挿入され、メタルゲートとｎ型半導体領域とを通りキャリアはトンネリングする。メタルゲートは、ｐ型ポリシリコンの仕事関数と整合する仕事関数を有し得る。ゲート絶縁体は、約２５オングストロームより薄い厚さを有し得る。メタルゲートは、第一の端子を半導体装置に対して形成し得る。ｎ＋領域およびｎ型半導体領域は、第二の端子を半導体装置に対して形成し得る。第二の端子は、接地に結合され得る。バイアス回路は、異なる電流を半導体装置に供給するために第一の端子を用い得、対応する参照出力電圧を１ボルト未満の値で提供し得る。 （もっと読む）

【課題】ピークバレイ電流比が高く、特殊な装置を用いることなく作製することができる、共鳴トンネルダイオード及びその作製方法を提供する。
【解決手段】第１の量子井戸層１１と第２の量子井戸層１２とを対に配置する。第１の量子井戸層１１及び第２の量子井戸層１２を何れもπ共役系分子により構成する。π共役系分子は、分子軌道のエネルギー準位がエネルギー高低方向に離散化して孤立に存在しておりかつエネルギーの高低方向に局所的に急峻な状態密度を有する。第１の量子井戸層１１を第１のエネルギー障壁層１３と第２のエネルギー障壁層１４とにより挟んで形成し、第２の量子井戸層１２を第２のエネルギー障壁層１４と第３のエネルギー障壁層１５とにより挟んで形成する。第１のエネルギー障壁層１３の第１の量子井戸層１１と逆側に第１の電極１６を形成し、第３のエネルギー障壁層１５の第２の量子井戸層１２と逆側に第２の電極１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】原子レベルで平坦な表面またはヘテロ界面を有する窒化物半導体構造を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、（１１−２０）面を主方位面とするＧａＮであり、らせん成分を含む貫通転位１０４の密度は１×１０^５ｃｍ^−２であった。該基板上に複数の開口部１０３（１辺が２０ミクロンの正方形）を有するマスク材１０２（酸化シリコン薄膜、厚さ１００ｎｍ）が形成されている。該開口部には、ｎ型ＧａＮ層１０６ａ、アンドープＡｌＮ層１０６ｂ、アンドープＧａＮ層１０６ｃ、アンドープＡｌＮ層１０６ｄ、および、ｎ型ＧａＮ層１０６ｅが順次形成されている。様々な条件下で貫通転位１０４の密度と開口部１０３の面積との関係を検討すると、貫通転位密度がＮｃｍ^−２である場合、各開口部１０３の面積が１／Ｎｃｍ^２以下であれば各開口部１０３内に形成した窒化物半導体多層薄膜の少なくとも一つの界面が平坦になることを見出した。 （もっと読む）

【課題】二重障壁層を通過した電子が電子走行層を通過する際の速度の低下を抑制し、発振器の動作周波数を向上させる。
【解決手段】共鳴トンネルダイオードは、バッファ層２２と、サブエミッタ層２３と、エミッタ層２４と、スペーサ層２５と、第１の障壁層２６と、井戸層２７と、第２の障壁層２８と、電子走行層２９と、コレクタ層３０とが、基板２１上に順次積層された構造からなる。電子走行層２９は、第２の障壁層２８との接合面でのポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルよりも低く、コレクタ層３０との距離が近づくに従ってポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルに近づき、コレクタ層３０との接合面でのポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルと同じになるような構造をしている。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＭ型トンネルダイオードを製造するにあたり、第１の金属層上に極薄の均一な絶縁層をプラズマ酸化により簡単に形成する製造方法を提供する。
【解決手段】ニッケルからなる第１の金属層１４と、厚さ１〜１０ｎｍの酸化ニッケルからなる絶縁層１６と、第２の金属層１８とがこの順に絶縁性基板１２上に積層されたＭＩＭ型のトンネルダイオードを製造する方法に関し、第１の金属層をプラズマ酸化法で酸化することにより絶縁層を形成する絶縁層形成工程を含む。該絶縁層形成工程では、第１の金属層をプラズマ酸化法で酸化するにあたり、平行平板型プラズマ発生装置を使用し、該平行平板型プラズマ発生装置の酸素圧力ｐ（Ｐａ）、自己バイアス電圧Ｖ_DC（Ｖ）及び処理時間ｔ（分）が次の条件を満たすようにする。６．８≦ｐ≦１２．０，２９０≦Ｖ_DC≦４００，３≦ｔ≦６ （もっと読む）

【課題】セルフアライメントにより容易に電極を形成することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングストッパ層２の上方に、Ｓｂを含み、所定の溶液に対するエッチング耐性がエッチングストッパ層２よりも低いＳｂ含有層３ｂを形成し、Ｓｂ含有化合物半導体層３ｂ上に、Ａｓを含み、前記所定の溶液に対するエッチング耐性がエッチングストッパ層２よりも低いＡｓ含有層３ｃを形成する。そして、前記所定の溶液を用いて、導電膜４をエッチングマスクとし、Ｓｂ含有層３ｂ及びＡｓ含有層３ｃをメサ状にウェットエッチングし、平面視でＳｂ含有層３ｂ及びＡｓ含有層３ｃから離間した位置において化合物半導体層１の上方に導電膜５ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】検波できる周波数が高く、トンネル電流が流れやすい半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層に接して形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層に接して形成された第２の導電型の第３の半導体層と、を有し、前記第１の半導体層において、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との界面より所定の距離離れた位置には第１の半導体領域が形成されており、前記第１の半導体領域における不純物濃度は、前記第１の半導体領域を除く前記第１の半導体層における不純物濃度よりも高いものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）