パターンが形成された基板の製造方法が開示される。本発明によるパターンが形成された基板の製造方法は、基板上の酸化物ビードパターンを形成しようとする位置に、選択的な結合力を持つ第１結合剤パターンを形成し、基板との結合力より第１結合剤との結合力がさらに大きい第２結合剤を酸化物ビードにコーティングする。そして、第２結合剤がコーティングされた酸化物ビードを基板上に塗布して、第２結合剤がコーティングされた酸化物ビードを第１結合剤パターン上に形成し、基板を熱処理する。本発明によれば、低コストの酸化物ビードを所望の形態で基板上にパターニングできるようになって、ドライエッチング時に基板に加えられる損傷を防止でき、エッチング過程がなくて素子収率の低下問題もなく、結果的に素子の量産性が向上する。またドライエッチングのための高コストの装備投資が不要で経済的に有利なだけでなく、短時間内に多くの基板を製作できる高い生産性を持つ。
（もっと読む）

半導体素子、発光素子及びこれの製造方法が開示される。半導体素子は、基板と、前記基板上に配置される多数個の柱と、前記柱の間及び前記基板上に配置される多数個の粒子と、前記柱上に配置される第１半導体層と、を含む。また、半導体素子の製造方法は、基板を提供する段階と、前記基板上に多数個の第１粒子を配置する段階と、前記第１粒子をエッチングマスクとして前記基板の一部をエッチングし、多数個の柱を形成する段階と、を含む。半導体素子は、粒子によって、発生される光を上方に効率的に反射させ、これによって向上された光効率を有する。また、第１粒子によって。柱が容易に形成され得る。
（もっと読む）

少なくとも一実施形態において、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は、電磁放射を発生するようにされた少なくとも１つの活性層（３）を有する半導体積層体（２）を備える。さらに、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は、半導体積層体（２）の放射伝播エリア（２０）上に少なくとも間接的に設けられた光取り出し構造（４）を備える。ここで、光取り出し構造（４）の材料は半導体積層体（２）の材料と異なる。光取り出し構造（４）の材料の屈折率と半導体積層体（２）の材料の屈折率とは最大で３０％異なる。光取り出し構造（４）の側面（４０）の合計面積は、放射伝播エリア（２０）の面積の少なくとも３０％に達する。 （もっと読む）

放射放出薄膜部品（１）を製造する方法の少なくとも一実施形態においては、本方法は、基板（２）を形成するステップと、基板（２）にナノロッド（３）をエピタキシャル成長によって形成するステップと、少なくとも１層の活性層（５）を有する半導体積層体（４）を、ナノロッド（３）の上にエピタキシャル成長させるステップと、半導体積層体（４）の上にキャリア（６）を貼り付けるステップと、ナノロッド（３）の少なくとも一部分を破壊することによって、半導体積層体（４）およびキャリア（６）を基板（２）から分離するステップと、を含んでいる。このような製造方法を使用することによって、エピタキシャル成長の結果として生じる半導体積層体における機械的応力およびクラックを減少させることができる。 （もっと読む）

【構成】本発明は、基板と、基板上に位置した第１導電層、活性層および第２導電層を含む窒化物半導体層と、第１導電層上に形成された第１電極と、第２導電層上に形成された第２電極とを含んでなり、前記基板は、前記第１導電層と接する表面に、所定の間隔で形成される少なくとも一つの突出部と、前記突出部の上面から所定の深さで陥没した陥没部とからなるパターンが形成されていることを特徴とする、窒化物半導体発光素子を提供する。また、窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【効果】前記突出部と陥没部からなるパターンが形成された基板を使用すると、より高い光抽出効率を獲得することができる。 （もっと読む）

ヘテロ構造のｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）層の光電気化学（ＰＥＣ）エッチングのための方法であって、半導体構造内の内部バイアスを使用して、電子がｐ型層の表面に到達するのを防止し、正孔がｐ型層の表面に到達するのを促進するステップを含み、半導体構造は、ｐ型層と、ＰＥＣ照射を吸収するための活性層と、ｎ型層とを含む。本発明は、ｐ型層の粗面を含む、ＬＥＤを開示するものであって、粗面は、粗面に入射する光を外部媒体中へと散乱させ、光は、ＬＥＤの発光活性層から入射する。例えば、ＬＥＤは、ＬＥＤによって放出される光を抽出するために、粗面化される表面を有する、ｐ型ＩＩＩ族窒化物層と、ｎ型ＩＩＩ族窒化物層と、ｐ型ＩＩＩ族窒化物層とｎ型ＩＩＩ族窒化物層との間の光を放出するための活性層とを含み得る。
（もっと読む）

本発明は発光素子及びその製造方法に関する。
本発明の発光素子は第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層上に発光層と、前記発光層上に保護層と、前記保護層上にナノ層と、前記ナノ層上に第２導電型半導体層と、を含む。
（もっと読む）

エピタキシャル層構造体と、第１電極と、第２電極とを有する発光ダイオード。第１電極と第２電極は、エピタキシャル層構造体上に別々に堆積される。第１電極が形成されるエピタキシャル層構造体の部分の表面は、約３ｎｍ未満の二乗平均粗さ（Ｒｏｏｔ−Ｍｅａｎ−Ｓｑｕａｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有する。
（もっと読む）