【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第２導電型の第２の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるＡｇを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第１キャップ層と、該第１キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第２キャップ層との積層を少なくとも２セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に対するコンタクト層として機能するＩＴＯ膜を有する半導体発光装置において、ＩＴＯ膜と半導体膜との接触の増大を抑制することができる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置１は、発光層を含む半導体膜２０と、半導体膜上に設けられたＩＴＯ膜３０と、ＩＴＯ膜３０の上面の一部および側面を覆う酸素吸着性を有する酸素吸着部８０と、ＩＴＯ膜３０の上面に設けられた光反射性を有する反射電極４０と、ＩＴＯ膜３０、酸素吸着部８０および反射電極４０からなる積層体を覆うキャップ層５０と、キャップ層５０上に接合層６１を介して接合された支持基板６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電気的特性がより向上した酸化亜鉛系透明導電性薄膜を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、３族元素がドープされた酸化亜鉛系透明導電性薄膜を有し、前記３族元素の濃度は、前記酸化亜鉛系透明導電性薄膜の厚さ方向に複数の周期を有する波形ように濃度の濃淡が変化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層と透光性電極との高い密着性と、均一な発光強度と、低い駆動電圧とを実現する。
【解決手段】透光性電極６にｐ側パッド電極７ｐが載置される凹部が形成され、凹部の底面の透光性電極６の厚みが、凹部以外の透光性電極６の厚みの０％より大きく７０％以下である半導体素子１０とする。 （もっと読む）

【課題】安定性が高く、バンドギャップの大きいｐ型透明酸化物導電性材料を提供する。
【解決手段】ＡＳｂＯ₄相として同定され（ここでＡは３価のＳｂ以外の３価の金属元素）、ｐ型導電性を示すｐ型透明酸化物導電性材料。あるいは、Ａ³⁺Ｓｂ⁵⁺Ｏ₄で表される複合酸化物（ここでＡは３価のＳｂ以外の３価の金属元素）のＳｂ⁵⁺を、部分的に４価の金属イオンＢ⁴⁺で置換したｐ型透明酸化物導電性材料。 （もっと読む）

【課題】 優れた電気的特性を有するトップエミット型窒化物系発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明は、トップエミット型窒化物系発光素子に関し、窒化物系発光素子は、ｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層が順次に積層されており、ｐ型クラッド層上に形成された導電性ナノ相酸化物粒子と、ｐ型クラッド層及び導電性ナノ相酸化物粒子層上に形成された透明導電性薄膜層と、を備え、透明導電性薄膜層は透明導電性素材で形成され、導電性ナノ相酸化物粒子は界面改質層が熱処理によってナノ相酸化物に分解されることにより形成される。このようなトップエミット型窒化物系発光素子によれば、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善され、発光素子のパッケージングの際に、ワイヤーボンディング効率及び収率を高めることができ、低い非接触抵抗及び優れた電流−電圧特性により素子の発光効率及び素子寿命を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】低光吸収率の透明導電膜を安定的に成膜できることで、高い品質が確保できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、透光性基板１１に、ｎ型半導体層１２１、発光層１２２およびｐ型半導体層１２３が積層された半導体層１２と、半導体層１２に積層され、金属酸化物からなる成膜材料により成膜された透明導電膜１３と、透明導電膜１３に積層された反射部１４とを備えている。この透明導電膜を成膜する際には、半導体層に透明導電膜の原膜をスパッタにより成膜するスパッタ工程と、原膜を酸素含有雰囲気ガスによりアニールする第１アニール工程と、酸素非含有雰囲気ガスによりアニールする第２アニール工程との２段階アニールを行う。第１アニール工程または第２アニール工程では、雰囲気温度が６００℃より高く、６８０℃より低くなるような範囲で行う。 （もっと読む）

【課題】ｎ側メタル電極の延伸部を通してｎ型導電層に流れる電流を増加させたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子は、複数のＧａＮ系半導体層を含む半導体積層体を有し、該複数のＧａＮ系半導体には、上面および底面を有するｐ型導電層と、該ｐ型導電層の底面側に配置された活性層と、該ｐ型導電層とで該活性層を挟むように配置されたｎ型導電層とが含まれる。該ｐ型導電層の上面にはｐ側電極およびｎ側メタル電極が互いに重ならないように設けられ、該ｐ側電極は透光性を有する部分を有し、該ｎ側メタル電極は接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該半導体積層体には該ｐ型導電層の上面に開口しその底部に該ｎ型導電層が露出する穴が設けられ、少なくとも該延伸部の一部が該穴を通して該ｎ型導電層に接することにより該ｎ側メタル電極と該ｎ型導電層とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率及び光取出し効率を増大させる。
【解決手段】支持層４００と、前記支持層４００上に配置された第１電極３００と、前記第１電極３００上に配置され、傾斜した側面を有する半導体構造物２００と、前記半導体構造物２００上に配置された透明電導性酸化物層６００と、前記透明電導性酸化物層６００上の一部分に設けられた第２電極７００と、を含んで構成し、前記半導体構造物２００と前記透明電導性酸化物６００との間に前記半導体構造物２００の窒素と反応性を有し、前記半導体構造物２００上でオーミック接触として作用する窒素ゲッターメタル層５００を介挿した。 （もっと読む）