【課題】積層タイプの圧電トランスにおいて、外部電極に対する半田づけ強度の低下を防止する。
【解決手段】圧電セラミックス１０２と１次側内部電極１０４，２次側内部電極１０６とを交互に重ね合わせて積層体１０１とし、この積層体１０１の外面に１次側外部電極１０８，２次側外部電極１１０を形成した圧電トランス１００において、２次側内部電極１０６が積層体１０１の外面に露出することなく２次側外部電極１１０と非接触であり、隙間Ｃでは、圧電セラミックス１０２の分極処理を通じて２次側外部電極１１０と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】圧電セラミックスと内部電極とを交互に重ね合わせた圧電トランスにおいて、材料の使用量を削減して製造コストの上昇を抑える。
【解決手段】圧電セラミックス１０２と１次側内部電極１０４，２次側内部電極１０６とを交互に重ね合わせて積層体とし、この積層体の外面に形成した１次側外部電極１０８，２次側外部電極１１０をそれぞれ１次側内部電極１０４，２次側内部電極１０６に接続させた圧電トランスにおいて、２次側内部電極１０６は、圧電セラミックス１０２の一端部から内部に向けて部分的に窪んだ形状を有する。 （もっと読む）

【課題】既存の圧電トランスで得られる利点を活かしつつ、より実用性を向上する。
【解決手段】圧電トランス１００は、外面に一次電極１０６、二次電極１０８がそれぞれ形成された圧電セラミックス１０２と、この圧電セラミックス１０２を収容する樹脂ケース１０４と、樹脂ケース１０４内で一次電極１０６、二次電極１０８にそれぞれ対向して配置された端子１１０，１１２，１１４と、樹脂ケース１０４内で一次電極１０６、二次電極１０８と端子１１０，１１２，１１４との間に圧入して配置された導電体ブロック１１６，１２０とを備える。導電体ブロック１１６，１２０は、それぞれ導電性ゴム層と絶シリコーンゴム層とを有した積層構造である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラム形状のシリコン基板に薄膜圧電振動子を配し、これを一括封止することによって、従来、支持および封止構造が複雑なために特性の低下を招き、かつ冗長であった。
【解決手段】シリコン基板１２は、図１下方の断面図に示すように、中央部の上面及び背面が削られこの部分に圧電振動子１が配されている。上面図に示すように圧電振動子１は、シリコンをエッチングなどの公知の方法で除去して形成した２本の梁２を介して、厚みのある図の左右を含む外周部に設けられているシリコン周辺部３に支持がされている。この支持されている部分が前述したようにノード部分に相当する。圧電振動子１の膜構造は、厚み方向に上方から順番に、Ａｌ電極と、ＰＺＴ薄膜と、Ｐｔ下地電極と、Ｔｉ下地層と、ＳｉＯ_２薄膜と、を有している。上記構成により、圧電振動子１は、シリコン周辺部３と一体化された梁２によって支持されるため、機械的な接続部分が無く、安定した接続が得られる。 （もっと読む）

【課題】 特性検査の際、外部電極の品質を劣化させず、測定精度を高めた圧電トランスの製造方法を提供すること。
【解決手段】 ３層以上の圧電セラミック層と一次側および二次側の内部電極が同一層内に形成された内部電極層とを交互に有する積層体が形成され、この積層体の側面には一次側および二次側の内部電極にそれぞれ接続された一次側外部電極および二次側外部電極が形成され、一次側外部電極から入力された電圧を機械的振動に変換し二次側外部電極から電圧として出力する圧電トランスの製造方法であって、素子作製後の特性測定時に、尖鋭な先端部を持ち外部電極との接触面積が０．００１〜０．１ｍｍ^２となるコンタクトプローブ９，１０を用いる圧電トランスの製造方法である。また、コンタクトプローブ９，１０を押し当てるときのスプリング圧を２０〜３００ｇｆ（０．１９６〜２．９４Ｎ）にする。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂを含まず、かつ、強誘電体特性、分極疲労特性に優れた強誘電体材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ストロンチウム、金属Ｍ１、金属Ｍ２、および酸素から構成され、Ｓｒ（Ｍ１_XＭ２_1-x）Ｏ₃の化学式で表わされる型強誘電体材料において、金属Ｍ１および金属Ｍ２は、ジルコニウム、モリブデン、タングステン、バナジウム、タンタル、ニオビウムの中から選ばれた互いに異なる任意の２つの金属であり、Ｘが０〜１の組成範囲であることを特徴とする強誘電体材料およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】低温で焼結可能な非鉛系圧電セラミックスを提供する。
【解決手段】非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤は、ｘ（Ｂｉ_０．５Ｎａ_０．５ＴｉＯ_３）−ｙ（ＢａＴｉＯ_３）−ｚ（ＳｒＴｉＯ_３）（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の組成で表される化合物を主成分とする非鉛系圧電セラミックスの製造に用いられる焼結助剤であって、酸化銅からなる。上記の成分を有する焼結助剤を用いれば、１１００℃以下の焼成温度で、ＢＮＴ−ＢＴ−ＳＴ系圧電セラミックスを緻密化させることができる。その結果、非鉛系圧電セラミックスを用いて圧電デバイスを作製することができ、自然環境へのダメージを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】低温で焼結可能な非鉛系圧電セラミックスを提供する。
【解決手段】非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤は、ｘ（Ｂｉ_０．５Ｎａ_０．５ＴｉＯ_３）−ｙ（ＢａＴｉＯ_３）−ｚ（ＳｒＴｉＯ_３）（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の組成で表される化合物を主成分とする非鉛系圧電セラミックスの製造に用いられる焼結助剤であって、少なくとも酸化ビスマスと酸化亜鉛とを有し、残部が酸化ホウ素からなる。上記の成分を有する焼結助剤を用いれば、１１００℃以下の焼成で、ＢＮＴ−ＢＴ−ＳＴ系圧電セラミックスを緻密化させることができる。その結果、非鉛系圧電セラミックスを用いて圧電デバイスを作製することができ、自然環境へのダメージを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、超音波振動に影響を及ぼさない配線の取り出しを行い、λ／２の周波数で駆動し、高い昇圧比を得ることができる圧電トランスを提供する。
【解決手段】信号入力側に用いられ、第１の方向に分極された一次側圧電素子と、信号出力側に用いられ、前記一次側圧電素子と誘電率が異なり、前記第１の方向と直交する方向に分極するように前記一次側圧電素子と接合した二次側圧電素子と、からなる圧電トランスにおいて、前記二次側圧電素子から出力される信号を引き出すための配線が前記一次側圧電素子と前記二次側圧電素子との接合面に形成することにより、上記課題の解決を図る。 （もっと読む）

【課題】１次と２次間に流れる漏洩電流を低減した圧電トランスの絶縁回路を提供する。
【解決手段】圧電トランス２，３の第１及び第２の１次端子を交流電源１に接続すると共に圧電トランス２，３の２次端子を冷陰極管５，６の高圧側に接続する。交流電源１と圧電トランス２，３の１次端子との間にバランス用のトランス４を配置する。圧電トランス２，３の１次側と２次側及び／または前記バランス用トランス４の１次側と２次側との間で絶縁（耐圧特性）を確保すると共に、前記バランス用トランス４部分に１次側と２次側の漏洩電流を打ち消す方向に電流を流す仮想電圧源を生成するインピーダンスＺｔを配置する。このインピーダンスＺｔは、バランス用トランス４の１次巻線と２次巻線の間に並列に接続した外付け抵抗と１次巻線と２次巻線間の絶縁抵抗の合成値Ｒｔと、１次巻線と２次巻線間の結合容量Ｃｔの並列インピーダンスとする。 （もっと読む）