完全非鉛であるとともに、ＰＺＴ系セラミックスを主流とする従来の実用化されている圧電材料よりも飛躍的に高い変位特性を示す環境に優しいペロブスカイトニオブ酸カリウムナトリウム（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３とペロブスカイト型酸化物Ｍ１Ｍ２Ｏ_３或いは単純酸化物Ｍ３_２Ｏ_３を含有するペロブスカイト固溶体組成物。 Ｍ１は、ペロブスカイトＡサイトに選択的に入りうる鉛を除く、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒなどの金属イオンを、Ｍ２は、ペロブスカイトＢサイトに選択的に入りうる、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｆｅ等などの４価または３価金属イオンを、Ｍ３はペロブスカイトＡ或いはＢサイトに選択的に入りうる、Ｂｉ、Ｌａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｆｅ等の３価金属イオンを表す。ｘは、０．４≦ｘ≦０．６の範囲の数値を表す。 （もっと読む）

出発化合物として使用すべきイオンを粉末状の酸化物及び／又は粉末状の炭酸塩の形で使用し、相互に混合し、次いでか焼して圧電セラミック材料にする、低温で焼結するＰＺＴ型の圧電セラミック材料の製造方法に関する。前記出発化合物のか焼の後に、前記混合物にリチウムをイオンの形で、ＰＺＴセラミックの質量に対して０．０１〜０．１質量％の範囲内の量で添加する。 （もっと読む）

【課題】 水晶単結晶薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の水晶エピタキシャル薄膜の製造方法は、大気圧下において、桂素源として珪素のアルコキシドを気化し、反応促進剤である塩化水素とともに基板上に導入する工程と、珪酸エチルと酸素を反応させて基板上に水晶を堆積させる工程を含むものである。前記薄膜は結晶性、光学特性の優れた単結晶水晶薄膜である。 （もっと読む）

【課題】高電気機械結合係数、低誘電率であるとともに、低温での焼成が可能なＰｂＺｒＯ₃−ＰｂＴｉＯ₃組成系の圧電磁器組成物を提供する。
【解決手段】ＰｂＺｒＯ₃−ＰｂＴｉＯ₃−Ｐｂ（Ｚｎ_1/3 Ｓｂ_2/3）Ｏ₃を主体とし、ＬｉとＢｉならびにＣｕの元素をそれぞれＬｉ₂ＣＯ₃、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＣｕＯに換算して、０重量％＜Ｌｉ₂ＣＯ₃＜１．０重量％、０重量％＜Ｂｉ₂Ｏ₃＜１．０重量％、０重量％＜ＣｕＯ＜２．０重量％の範囲でそれぞれ含有させて圧電磁器組成物を構成する。 （もっと読む）

【目的】１０００℃以下特には水晶の転移温度である５７３℃以下の加熱処理によって直接接合を達成する。
【構成】鏡面研磨された一方の基板の表面を親水面とし他方の基板の表面を疎水面として、両基板の表面同士を直接に重ね合わせて加熱処理して直接接合する。また、基板の主成分を珪素（Ｓｉ）とする。 （もっと読む）

【目的】 絶縁性の高い絶縁層を形成することができ、信頼性の高い積層型圧電素子の製造方法を提供すること。
【構成】 積層型圧電素子の側面に露出する内部電極１２の端部外面上に最初に電着によりアルミナ粒子３１を配置し、次にその上にエポキシ樹脂３２を配置し、その後に、それらを加熱して、エポキシ樹脂３２をアルミナ粒子３１の粒子間に充填し、硬化させ絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【目的】 圧電セラミックスと金属板との接合が強固であり、また高温高湿の環境下での信頼性に優れ、更に電圧印加時の変位量の低下を招きにくい。
【構成】 上下両面に電極層１１が形成されこの電極層の表面にはんだめっき層１３が形成された複数の圧電セラミックス１０とこの電極層に接続するための複数の金属板１４とをそれぞれ交互に積み重ねて圧電積層体１２を作製し、この圧電積層体を加圧状態で加熱してはんだめっき層のはんだを溶融し、溶融したはんだを冷却して凝固させることにより圧電セラミックスと金属板とを接合する。 （もっと読む）

【目的】 ＰＺＴ素子の高密度・高精度実装、ＰＺＴ素子の薄膜化、ＰＺＴ膜の低温焼成を可能にする。
【構成】 多数の個別インク路２を形成したヘッド基台１上に、ＩＴＯ電極（共通電極５）付きの振動板３を接合し、個別インク路２上に位置する共通電極５上の部分にＰＺＴオクチル酸塩混合物をスクリーン印刷してＰＺＴを成膜し、その後にＰＺＴ膜を焼成してＰＺＴ素子４とし、各ＰＺＴ素子４上に個別電極６を設け、次いで各ＰＺＴ素子４を分極させる。 （もっと読む）