【課題】情報の記録及び読み出し及び書き込みにおける閾値電圧等の特性のばらつきを抑制することができ、適正な特性を有する記憶素子を提供する。
【解決手段】第１の電極１及び第２の電極４の間に記憶層５が挟まれて構成され、この記憶層５が酸化物層２の上にＣｕを含有するイオン化層３を積層して成り、酸化物層２が希土類元素酸化物から成り、イオン化層３がＳ，Ｓｅ，Ｔｅから選ばれる１種以上の元素を含有し、酸化物層２が酸化物層２側の電極１とほぼ同一の平面パターンに形成されている記憶素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】無機ナノ複合体及び無機ナノ複合膜、及びそれらを作製する方法、並びに無機ナノ複合体及び無機ナノ複合膜を含む電界効果トランジスタ、データ記憶媒体及び光起電力デバイスを作製する方法とを提供する。
【解決手段】可溶性のヒドラジン系金属カルコゲナイド前駆体の溶液を得る工程と、前駆体溶液中にナノ物体を分散させる工程と、ナノ物体を含む前駆体の溶液を基板上に塗布してナノ物体を含む前駆体の膜を作る工程と、ナノ物体を含む前駆体の膜をアニールして、少なくとも一つの金属カルコゲナイドと、少なくとも一つの分子レベルで相互混合されたナノ物体とを含む金属カルコゲナイドナノ複合膜を基板上に作る工程とによって、無機ナノ複合体が調製される。本プロセスは、電界効果トランジスタ及び光起電力デバイスを調製するために用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 可変抵抗素子で発生した熱が選択メモリセルの外部に拡散することを抑制することにより、選択メモリセルに隣接する非選択メモリセルの可変抵抗素子の抵抗値が変化することを防ぐことができる不揮発性メモリ装置を提供する。
【解決手段】 情報を記憶可能な可変抵抗素子を含むメモリセルを複数配列してなる不揮発性メモリ装置であって、電気絶縁体を介して離接する２つのメモリセルの一方に電気的ストレスを印加して可変抵抗素子の抵抗値を変化させる場合において発生する熱が電気絶縁体より熱伝導率の高い導電性の配線材料を含む熱拡散経路を介して他方のメモリセルの可変抵抗素子に拡散して、他方のメモリセルの可変抵抗素子の抵抗値が変化するのを抑制可能な熱拡散防止体を、熱拡散経路中に設けてあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多数抵抗状態を有する抵抗メモリ要素、抵抗メモリセル及びその動作方法、そして前記抵抗メモリ要素を適用したデータ処理システムを提供する。
【解決手段】多数抵抗状態を示す抵抗メモリセルが提供される。この抵抗メモリセルは、高抵抗状態のとき、多数レベルの電流を印加することによって、多数レベルの電流に対応する多数レベルの抵抗状態に切り換えられる。その結果、抵抗メモリセルは、多数レベルの抵抗状態及び高い抵抗状態に切り換えられ、これらの状態に応じて情報を貯蔵することができる。 （もっと読む）

【課題】 可変抵抗体の電気的に寄与する領域の面積が上部電極若しくは下部電極等で規定される面積よりも微細な面積である構造の可変抵抗素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地基板５上に配置される下部電極１の上部には、突起電極物２が形成される。突起電極物２は、下部電極１の接触面と異なる面に可変抵抗体３と接触されており、この可変抵抗体３が突起電極物２との接触面と異なる面において上部電極４と接触している。これによって突起電極物２（可変抵抗体３）と上部電極４とのクロスポイント部分可変抵抗体の電気的に寄与している領域になるため、従来の可変抵抗素子における領域よりも、その面積が縮小される。 （もっと読む）

【課題】アンチヒューズに取って代わることができ、多結晶シリコンダイオードとの互換性を有する書き換え可能可変抵抗メモリ素子が必要である。
【解決手段】メモリ構造100は、ダイオード118を含むピラー117を有する。ダイオード118は、順番としてMIM RRAMスタック120の上に形成される。MIM RRAMスタック120は、ビット線122の上にある。ダイオード118は、ワード線112の下に形成される。任意に、RRAMスタック120とダイオード118との間には障壁層119が形成される。ビット線122とワード線112の交点は、メモリセルの層を形成する。メモリ構造100は、多結晶シリコンダイオードとの互換性を有し、低コスト単極書き換え可能可変抵抗メモリ素子を備える。 （もっと読む）

【課題】記録された内容を安定して保持することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】第１の電極２及び第２の電極６の間に、電圧印加により抵抗が変化する記憶層３が挟まれて構成され、第１の電極２及び第２の電極６のいずれかと、記憶層３との間に、細孔を有する絶縁層１１が形成されている記憶素子１０を構成する。細孔によって記憶層３内における導電パスが形成される位置を規定することができるため、記憶層３の抵抗値のばらつきを抑制して、抵抗値を安定化させることができる。 （もっと読む）

【課題】巨大電気抵抗メモリ機能を有するマンガン酸化物メモリ素子であって、従来の１１３型結晶構造ではない結晶構造をもつマンガン酸化物で構成することができる巨大電気抵抗メモリ素子を提供する。
【解決手段】巨大電気抵抗メモリ機能を有するマンガン酸化物メモリ素子において、Ｅｕ_0.5 Ｃａ_1.5 ＭｎＯ₄ のような２１４型結晶構造をもつマンガン酸化物、もしくはＰｒＣａ₂ Ｍｎ₂ Ｏ₇ のような３２７型結晶構造をもつマンガン酸化物を用いる。 （もっと読む）

【課題】データ保持特性の良好な記憶素子を提供する。
【解決手段】第１の電極２と第２の電極６との間に記憶層３が配置され、この記憶層３に接して、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層４が設けられ、記憶層３がＮｉＯ，ＣｏＯ，ＣｅＯ_２から選ばれる１種類以上の酸化物から成る記憶素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡素な構造で高集積化に向くだけでなく、データを破壊することなくデータを読み出すことができる強誘電体記憶素子及び強誘電体記憶装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る強誘電体記憶素子１Ａは、互いに対向する第１及び第２電極１１、１４間に、有機強誘電体から成る有機強誘電体層１２と該有機強誘電体層１２の少なくとも一方面に有機半導体から成る有機半導体層１３とが積層されている構造である。 （もっと読む）