【課題】 本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、情報の書込み時及び消去時における過渡電流を小さくし、消費電流を低減することができる不揮発性記憶素子及びその製造方法を提供する点にある。
【解決手段】 電気抵抗状態の高低を情報として記憶することができる可変抵抗体４と、可変抵抗体４に接する複数の電極２を備えてなる不揮発性記憶素子であって、複数の電極２の内の少なくとも１つの電極２の可変抵抗体４との接触面積が、不揮発性記憶素子の作製に用いる製造プロセスの最小加工寸法の２乗よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電界の印加による確実な電気特性の変化の検出を確保しながら、当該素子の面積を縮小し、当該素子を組み込む場合の電子回路の制限を低減し、設計における自由度を高いものとすることができる抵抗変化型素子および半導体装置を提供する。
【解決手段】 抵抗変化型素子１０は、可変抵抗層１３と、３電極２Ａ、２Ｂ、２Ｃとを備える。可変抵抗層１３は、電界が印加されることにより結晶相に変化が生じる特性を有する層である。そして、電極２Ａと電極２Ｂとは、可変抵抗層１３をその厚み方向に挟む状態に対向形成され、電極２Ｂと電極２Ｃとは、高誘電率層２４を挟む状態に対向形成されている。
電極２Ａと電極２Ｃとは、可変抵抗層１３に電界を印加するための制御電極対として構成され、電極２Ａと電極２Ｂとは、可変抵抗層２３における抵抗値を検知するための読出電極対として構成されている。
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【課題】高集積化可能で、電源を切ってもオン状態およびオフ状態のうちいずれか一方の状態を保持し、オン状態での抵抗値が低く、さらに上記いずれか一方の状態に再プログラムが可能なスイッチング素子を提供する。
【解決手段】電気化学反応に用いられる金属イオンが伝導するためのイオン伝導体１４と、イオン伝導体１４に接して、所定の距離だけ離れて設けられたソース電極１１およびドレイン電極１２と、オン状態に遷移させる電圧が印加されるとソース電極１１およびドレイン電極１２の間に金属イオンによる金属を析出させてソース電極１１およびドレイン電極１２を電気的に接続し、オフ状態に遷移させる電圧が印加されると析出した金属を溶解させてソース電極１１およびドレイン電極１２の電気的接続を切るための、イオン伝導体１４に接して設けられたゲート電極１３とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＢＲＡＭメモリアレイを使用したＰＭＣメモリセルの動作の安定化を図る。
【解決手段】ＰＭＣメモリセルは、印加電界に応じて導電性経路を選択的に形成、解消するように適合された固体電解質を含む。ＰＭＣメモリセルは、プログラム電圧を印加することによりプログラムされてプログラム状態に変化し、消去電圧を印加することにより消去されて消去状態に変化する。リフレッシュ電圧がＰＭＣメモリセルに所定回数印加されて、ＰＭＣメモリセルのプログラム状態が安定になる。リフレッシュ電圧は、リフレッシュ電圧を印加する間、消去状態にあるＰＭＣメモリセルのプログラム状態へのプログラムが防止され、また、リフレッシュ電圧を印加することによって、ＰＭＣメモリセルのプログラム状態が安定になるように選択される。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを簡単にする。
【解決手段】基板４上に下部電極３が形成され、下部電極３上に状態変化材料２が形成され、状態変化材料２上に上部電極１が形成される。電源５は、上部電極１および下部電極３間に所定の電圧を印加する。状態変化材料２は、順方向には電流が流れやすいが逆方向には電流が流れにくい特性（ダイオード特性）と、所定のパルス電圧が印加されることによって抵抗値が増加／減少する特性（可変抵抗特性）とを示す。 （もっと読む）

【課題】 下部電極と金属酸化物と上部電極の積層構造を有する可変抵抗型の不揮発性記憶素子において、電荷が界面トラップからデトラップする確率を低減してデータ保持特性の改善を図る。
【解決手段】 下部電極２、金属酸化物３、絶縁膜５、及び、上部電極４を順次積層した構造を有する。下部電極２と上部電極４の間に電気的ストレスを印加することで、下部電極２と上部電極４の間の電気抵抗特性が可逆的に変化する。金属酸化物３の界面トラップに保持された電荷が、トラップバリアとして機能する絶縁膜５によりデトラップする確率が低減する。 （もっと読む）

【課題】導電性であることが期待でき、ナノワイヤとして利用でき、２価以上の金属イオンを除去して非導電性の二量体を可逆的に形成することができるので、スイッチング機構を構築でき、高密度配線や高集積回路の開発の基礎および進展に有用性が高い多量体を提供する。
【解決手段】核酸鎖部分を、２価以上の金属イオンと相互作用が可能な部分の両末端に有する修飾核酸鎖化合物と、２価以上の金属イオンとを含有する修飾核酸鎖・金属イオン多量体。 （もっと読む）

基板の上に形成された新規な不揮発性メモリセルにおいて、ダイオードが、可逆的な抵抗率切り換え材料、好ましくは、例えばＮｉ_x Ｏ_y ，Ｎｂ_x Ｏ_y ，Ｔｉ_x Ｏ_y ，Ｈｆ_x Ｏ_y ，Ａｌ_x Ｏ_y ，Ｍｇ_x Ｏ_y ，Ｃｏ_x Ｏ_y ，Ｃｒ_x Ｏ_y ，Ｖ_x Ｏ_y ，Ｚｎ_x Ｏ_y ，Ｚｒ_x Ｏ_y ，Ｂ_x Ｎ_y およびＡｌ_x Ｎ_y などの金属酸化物または窒化物と対にされている。好ましい実施形態において、ダイオードは、導体間に配置された垂直な柱として形成される。モノリシックな三次元メモリアレイを形成するために、複数のメモリレベルを積み重ねることが可能である。ある実施形態において、ダイオードは、ゲルマニウムまたは比較的低い温度で堆積および結晶化可能なゲルマニウム合金を備え、導体内でアルミニウムまたは銅を使用できる。本発明のメモリセルは、再書き込み可能なメモリセルまたは１回プログラム可能なメモリセルとして使用でき、２つ以上のデータ状態を記憶できる。
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本発明は、相変化メモリセルに関するものである。相変化メモリセルは、第１薄層スペーサと第２薄層スペーサとを有している。この第１薄層スペーサは、サブリソグラフィック寸法を規定し、第１電極と電気的に接続している。また、第２薄層スペーサは、サブリソグラフィック寸法を規定し、第２電極と、第１薄層スペーサとの間を電気的に接続している。そして、第１薄層スペーサが第２薄層スペーサに電気的に接続された境界領域に相変化メモリセルが形成されている。
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【課題】抵抗メモリセル、その形成方法及びこれを利用した抵抗メモリ配列を提供する。
【解決手段】本発明は光化学線照射によってパターニングされて区別可能な抵抗状態の間で可逆的にスイッチング可能な写真現像型スイッチング可能物質をメモリ素子で使う抵抗メモリセル及びその形成方法を提供する。本発明の写真現像型スイッチング可能物質は光化学線照射によって直接的にパターニングされるから、単純な工程を通じて抵抗メモリセルを製造することができる。 （もっと読む）