メモリ装置は、区別可能な双安定状態を振幅変調下で呈するメカニカル素子を備える。これらの状態は、所定周波数の駆動信号の適用によって、動的に双安定性となるか多安定性となる。ヒステリシス効果に関連した素子の固有共振は、区別可能な複数の状態を特定の周波数範囲に亘って生じる。共通コンタクト上に設けられた異なる周波数範囲に対応する多様な素子を持つ複数の装置は、改良された密度で形成される。これらの装置は、起磁式、容量式、圧電式及び／又は光学式方法によって励起され、そして読み取られる。これらの装置は、平面方位付けされるか面外方位付けされて、３次元メモリ構造を可能にする。ＤＣバイアスが、周波数応答をシフトして、素子の状態を弁別するための代替法を可能にすることに使用される。 （もっと読む）

【課題】製造後に情報の書き込みが可能で、情報の書き換えによる偽造を防止し、かつ、単純な構造と安価な材料から、安価に製造できる半導体装置を提供する。さらに、上記の機能を備え、かつ、内部の構成によりる無線通信の阻害がない半導体装置を提供する。
【解決手段】複数のメモリセルを含むメモリセルアレイを有する有機メモリと、有機メモリを制御する制御回路と、アンテナを接続するための配線とを有し、複数のメモリセルの各々は、トランジスタと記憶素子を有し、記憶素子は、第１の導電層と第２の導電層との間に有機化合物層が挟まれて設けられ、第２の導電層は線状に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】伝導性粒子のイオン溶液を用いるインシチュ分散方法によって伝導性ナノ粒子を有機物の内部に迅速且つ均一に分散させることが可能な不揮発性有機メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】上部電極１０と下部電極３０との間にメモリ層２０を含む不揮発性有機メモリ１００を製造するにおいて、上部電極１０と下部電極３０との間の有機物にイオン状態の伝導性粒子を分散させた後、これを有機物内で還元させて伝導性ナノ粒子を形成することにより、メモリ層２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】二種の抵抗体を含む不揮発性メモリ素子を提供する。
【解決手段】下部電極と、下部電極上に形成されて２種以上の抵抗パターンを示す第１抵抗層と、第１抵抗層上に形成され、スレショルドスイッチング特性を持つ第２抵抗層と、第２抵抗層上に形成された上部電極と、を備える二種の抵抗体を含む不揮発性メモリ素子。 （もっと読む）

【課題】急激な金属−絶縁体転移素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】急激な金属−絶縁体転移素子の電極をＮｉ（またはＣｒ）／Ｉｎ／Ｍｏ（またはＷ）／Ａｕの積層膜で構成する。Ｎｉ（またはＣｒ）／Ｉｎは、低抵抗コンタクトのためなものであり、熱処理過程時に界面反応により形成される化合物を利用して、急激な金属−絶縁体転移物質膜と電極との間のポテンシャルバリアを低くして電流流入効率を増大させる。そして、高出力素子動作時、高温動作時にも熱的に安定化させる役割を行う。Ｍｏ（またはＷ）はＩｎとＡｕとの間に導入されて素子高温動作過程でＡｕの熱拡散によるオーミック特性抵抗を防止する。
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【課題】２成分系金属酸化膜をデータ保存物質膜として採用する交差点不揮発性記憶素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板内に複数の平行なドーピングラインが配置される。複数の平行な上部電極が前記ドーピングラインと重畳される部分に交差点を形成するように前記ドーピングラインの上部を横切る。前記ドーピングラインと前記上部電極の間の前記交差点に複数の下部電極が位置する。データ保存物質膜として提供される２成分系金属酸化膜が前記上部電極と前記下部電極との間に介在している。前記ドーピングラインとともにダイオードを構成し、前記ドーピングラインと反対の導電型を有するドーピング領域が前記下部電極及び前記ドーピングラインの間に介在している。前記不揮発性記憶素子を製造する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造を有し、低電力駆動及び高速の動作が可能で、かつ１つの抵抗体及び１つのスイッチを備えた不揮発性半導体メモリ素子、及び、その駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明の不揮発性半導体メモリ素子は、スイッチング構造体と、前記スイッチング構造体と電気的に接続され、１つのリセット抵抗状態及び少なくとも２つ以上のセット抵抗状態を呈する抵抗体（１２）と、を備えることを特徴とする。更に、本発明の不揮発性半導体メモリ素子の駆動方法は、前記抵抗体（１２）の抵抗状態がリセット抵抗状態からセット抵抗状態に変化する途中に、前記抵抗体（１２）に流れる電流値を調節することにより、前記抵抗体（１２）の抵抗状態を制御するステップを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単に製造することができ、低電力での駆動と高速動作が可能な不揮発性メモリ素子を提供する。
【解決手段】トランジスタ構造体と、前記トランジスタ構造体の第１不純物領域及び第２不純物領域とそれぞれ電気的に接続されると共に、印加される電圧に応じて異なる抵抗値特性を示す抵抗層とを備えた不揮発性メモリ素子であって、
前記トランジスタ構造体は、基板上に互いに所定間隔離隔させた状態で形成された第１不純物領域及び第２不純物領域と、前記基板上に設けられており、前記第１不純物領域と前記第２不純物領域とに接続されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】探針アレイを有する抵抗性メモリ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の抵抗性メモリ素子は、第１基板１０１および第２基板３００と、前記第１基板１０１上に形成された底電極層１００および強誘電層２００を備えるメモリ部１０と、前記第２基板３００上に固定され、前記強誘電層２００と対向するようにチップ部分が設けられた、前記強誘電層２００へのデータ記録および再生のための抵抗性探針４００を備える探針部２０と、前記抵抗性探針４００を前記強誘電層２００上につかんで固定させる結合層５００と、を備える構成とした。 （もっと読む）

導電層（１０２）を設け、その導電層（１０２）を覆うように誘電体（１００）を設け、その誘電体（１００）を貫通する第１および第２の開口（１０４，１０６）を設け、第１および第２の開口（１０４，１０６）内にそれぞれ第１および第２の導電体（１０８，１１０）を設けかつ第１および第２の導電体（１０８，１１０）を導電層（１０２）に接触させ、その第１の導電体（１０８）を覆うようにメモリ構造（１２６）を設け、そのメモリ構造（１２６）を覆うように保護要素（１３４）を設け、その第２の導電体（１１０）上に処理を施すことによる電子構造の製造方法。
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