本発明は、パンチスルーダイオード（Ｓ）と直列に接続されたプログラマブル抵抗器（ＰＲ）を有する電気デバイス（図６）に関する。本発明はまた、そのような電気デバイスの製造方法に関する。前記方法は、第１の導電型とは反対の第２の導電型の半導体材料からなる第２の層と第３の層との間に配置された、第１の導電型の半導体材料からなる第１の層を含む積層体を設けるステップと、プログラマブルな抵抗率を有する材料の層であって、半導体材料の第２および第３の層のうちの１つと電気的に接触している、プログラマブルな抵抗率を有する材料の層を設けるステップとを含む。
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組成物であって、分子内電荷移動もしくは分子間電荷移動または分子（１２）と電極（１４、１６；１４’、１６’）との間での、電界によって引き起こされる電荷移動によって、電気的特性に変化をもたらす組成物を提供する。
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【課題】
【解決手段】 メモリ（３７００）が提供される。メモリは、不揮発性メモリセルアレイ（３７２０）を含み、各セルは、第１の書き込み電圧パルスを印加されると第１の抵抗状態から第２の抵抗状態へと切り替わるとともに第２の書き込み電圧パルスを印加されると第２の抵抗状態から第１の抵抗状態へと可逆的に切り替わる２端子メモリプラグを含む。 （もっと読む）

有機メモリセルの製造中などに実施されうるものなど、導電層上にパッシブ層を形成するためのシステムおよび方法が開示され、これは、一般に、従来の無機メモリデバイスに固有の不具合を低減させる。パッシブ層は硫化銅（Ｃｕ_２Ｓ）などの導電促進化合物を含み、これは、導電材料の上部から形成される。この導電材料はメモリセルにおいて下部電極として作用し、導電材料の上部が、フッ素（Ｆ）系ガスから生成されたプラズマによる処理によってパッシブ層に変換されうる。
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【構成】この発明は，記憶保持特性およびスイッチング特性を高めた抵抗可変メモリ素子を提供する方法および装置に関する。この発明によれば，好ましくはＧｅ_xＳｅ_100-x組成を有する２つのカルコゲナイド・ガラス層（１７，２０）と上部，下部電極（１４，２２）との間に，好ましくはセレン化銀層である少なくとも１つの金属含有層（１８）を設けた抵抗可変メモリ素子が提供される。少なくとも第２のカルコゲナイド・ガラス層（２０）の上に，好ましくは銀層である金属層（５０）を設け，前記銀層の上に導電性接着層（３０）を配置する。この発明の他の実施形態によれば，第１のカルコゲナイド・ガラス層（１７）と，前記第１のカルコゲナイド・ガラス層の上にある銀層（４０’）と，前記銀層の上にあるセレン化銀層（１８）と，前記セレン化銀層の上にある第２のカルコゲナイド・ガラス層（２０）とを有する抵抗可変メモリ素子が提供され，前記第２のカルコゲナイド・ガラス層の上に第２の銀層が任意に設けられる。 （もっと読む）

薄膜記憶デバイスは、第１電極（３）と、第１の可変抵抗薄膜（２）と、第２の電極（１）とを備える。第１の電極（３）は、基板（４）の表面上に形成される。第１の可変抵抗薄膜（２）は、第１の電極（３）の表面上に形成される。第２の電極（１）は、第１の可変抵抗薄膜（２）の表面上に形成される。第１の可変抵抗薄膜（２）は、格子歪みおよび電荷配列のうち少なくとも１つによってバルク状態における抵抗値が変化する材料を含む。 （もっと読む）

双安定性に基づくエレクトロルミネセントデバイス、及びその使用方法。そのデバイスは電圧の印加により低抵抗状態と高抵抗状態との間を交互する。双安定電気デバイスは、双安定挙動を示す有機材料を二つの電極が挟むようになっている。その双安定素子につながれた有機発光ダイオードは、導電時に光を放射する。段階付けられた光出力を作り出すためには、ターンオフ電圧とターンオン電圧の中間であり一定なバイアス電圧と、パルス時間幅において変動するか、追加電圧において変動するか、又はその両方において変動する電気パルスを、その双安定素子に印加するための回路が提供される。そのパルスが印加されるにつき追加電圧がバイアス電圧に重畳される。双安定素子を通る電流、そして、したがって、そのパルスを終えた後のダイオードにより放射される光の明るさが、パルス時間幅や追加電圧を変化させることでコントロールされる。 （もっと読む）

本発明の電子接合体は、（ａ）第一の導電性構成要素と、（ｂ）第二の導電性構成要素と、から成り、第一の導電性構成要素は、（ｉ）接触面を持つ基板と、（ｉｉ）第一及び第二の末端を持つ複数の分子ユニットから成る少なくとも一つの層と、から成り、少なくとも一つの層の複数の分子ユニットの第一の末端は、共有結合と強い電子結合とから成る群から選択される型の結合を介して、接触面に結び付けられており、第二の導電性構成要素は、少なくとも一つの層の複数の分子ユニットの第二の末端に電気的に接触しており、第二の導電性構成要素は、少なくとも一の金属と、少なくとも一の金属酸化物と、から成り、電子接合体の少なくとも一つの導電性要素は刺激に応じて変化する電気的特性を持つ。 （もっと読む）

【解決手段】第１の可変抵抗（５）は、第１の端子（７）と第３の端子（９）との間に接続され、第１の端子（７）と第３の端子（９）との間に印加されるパルス電圧の極性に応じてその抵抗値を増加／減少させる。第２の可変抵抗（６）は、第３の端子（９）と第２の端子（８）との間に接続され、第３の端子（９）と第２の端子（８）との間に印加されるパルス電圧の極性に応じてその抵抗値を増加／減少させる。第１の端子（７）と第３の端子（９）との間および第３の端子（９）と第２の端子（８）との間に所定のパルス電圧を印加して第１および第２の可変抵抗（５，６）の抵抗値を可逆的に変化させることにより１ビットあるいは多ビットの情報を記録する。 （もっと読む）

スイッチングの再現性が高く、かつ、オン状態での高い電流値が得られるスイッチング素子を提供する。
このスイッチング素子は、印加される電圧に対して２種類の安定な抵抗値を持つ双安定材料層３０が、第１電極層２０ａと第２電極層２０ｂとの間に薄膜として配置され、双安定材料層３０がフラーレン類からなり、電極のうち少なくとも一方が金を含有する電極である。フラーレン類はＣ６０及び／又はＣ７０であることが好ましく、双安定材料層３０の厚さが１０オングストローム〜１００μｍであることがより好ましい。 （もっと読む）